本发明公开了一种压控可调薄膜电感，它是在压电陶瓷基底上，制备包含磁性层的薄膜电感，利用压电陶瓷的逆压电效应和磁性薄膜的逆磁致伸缩效应，通过外加电压，调节压电陶瓷基底的形变，改变磁性薄膜的磁导率，最终实现薄膜电感值大小的调节。这种压控可调...

一种白光有机电致发光器件，属于电子元器件技术领域。包括透明衬底１、阳极层２、有机功能层３和阴极层４；有机功能层３至少包括发光层３４，发光层３４由载体材料、蓝光荧光材料和磷光材料组合而成；在外加电源９０的驱动下，器件发出白光。发光层３４具...

一种铁合金氮化物纳米巨磁阻抗薄膜材料及制备方法，属于功能材料技术领域。所述材料为ＮｉＦｅ合金薄膜层和ＦｅＸＮ（Ｘ＝Ａｌ、Ｔｉ或Ｔａ）纳米晶软磁薄膜层彼此相间形成的多层薄膜体系。其中ＦｅＸＮ（Ｘ＝Ａｌ、Ｔｉ或Ｔａ）纳米晶软磁薄膜层的厚度小...

高压ＳｅｎｓｏｒＦＥＴ器件，属于半导体功率器件技术、功率器件传感技术和功率集成电路技术领域。包括具有横向ＪＦＥＴ结构和纵向ＪＦＥＴ结构的高压ＳｅｎｓｏｒＦＥＴ器件。具有横向ＪＦＥＴ结构的功率ＳｅｎｓｏｒＦＥＴ器件是通过ｐ（或ｎ）栅区２和...

铁电场效应晶体管存储器件结构及制备方法，属于微电子器件领域，具体涉及一种ＭＦＰＩＳ结构的铁电场效应晶体管存储器件制备技术。本发明包括上电极、源区和漏区，从上到下各层依次为：ＰＺＴ铁电薄膜、多晶硅、绝缘层、阱和Ｓｉ基片，上电极位于ＰＺＴ铁...

本发明提出一种三维槽栅金属半导体场效应晶体管结构，即在源漏区之间有源层中开出一个或多个沟槽，栅电极连续地覆盖于沟槽中。沟槽形状可根据实际需要改变，可以是方形、Ｖ形、梯形以及阶梯形等结构。与传统ＭＥＳＦＥＴ结构相比，三维槽栅ＭＥＳＦＥＴ结...

本发明提出了一种应用在高频、大功率领域的金属半导体场效应晶体管（ＭＥＳＦＥＴ）结构，即源漏双凹结构ＭＥＳＦＥＴ。栅漏和栅源之间的有源层通过刻蚀形成了两个相互独立的凹槽，并在两凹槽之间形成一个凸起的平台。栅电极可以全部淀积在平台上；也可以...

一种柔性光电子器件用基板，包括柔性衬底，其特征在于，还包括旋涂在衬底表面的有机缓冲层和导电薄膜，所述导电薄膜沉积在有机缓冲层表面，所述有机缓冲层材料为有机光固化剂。该基板解决了由于柔性衬底表面能低导致沉积的薄膜与衬底的附着性差的问题，提...

一种具有ａ－ｂ取向的ＺｎＯ纳米线阵列的制备方法，属于电子材料技术领域，涉及宽禁带半导体ＺｎＯ发光材料，特别涉及ＺｎＯ纳米线阵列的制备方法。本发明采用化学气相沉积技术，以纯ＺｎＯ粉末为蒸发源，采用蓝宝石Ａｌ↓［２］Ｏ↓［３］（１１＊０）作...

本发明提供了一种用于ＳＯＩ功率器件的具有双介质埋层的耐压层结构，以及采用该耐压层结构的ＳＯＩ功率器件，属于ＳＯＩ功率器件耐压技术领域。本发明耐压层具有双介质埋层，两介质埋层之间设置中间层。本发明采用的耐压层及其采用该耐压层制作的功率器件...

本发明公开了一种基于水溶性感光胶的功率型白光ＬＥＤ平面涂层工艺，包括以下步骤：①配制有机胶体；②配制光敏剂溶液；③混合成感光体系：将有机胶体与光敏剂按比例混合，加入少量分散剂或消泡剂使光敏剂均匀分散于有机胶体中，形成符合要求的感光体系；...

本发明公开了一种有机电致发光器件的新型封装系统，包括基板，所述基板由衬底和有机电致发光工作层构成，其中有机电致发光工作层包括阳极层、空穴传输层、电子传输层和金属电极，其特征在于，所述衬底在蒸镀了有机电致发光工作层的一侧设置有盖板，所述盖...

本发明提出了一种具有“Ｕ”字形样的漂移区的半导体器件，包括：第一种导电类型的半导体衬底材料，在衬底材料的第一主表面内形成至少一个沟槽，沟槽内含有绝缘介质，每个沟槽及其周围的半导体形成器件的一个单元，此半导体器件包含至少一个单元，沟槽两侧...

本发明公开了一种新型有机电致发光器件，包括导电基板或者衬底，阳极层和阴极层，其中一种电极位于衬底或者导电基板表面，所述阳极层和阴极层之间设置有机功能层，它至少包括发光层，所述发光层在外加电源的驱动下发光，其特征在于：所述有机功能层还包括...

本发明公开了一种能发出白光的有机电致发光器件，包括导电基板或者衬底，阳极层和阴极层，其中一种电极位于衬底表面，所述阳极层和阴极层之间设置有机功能层，它至少包括发光层，该发光层是发出白光的有机材料层，在外加电源的驱动下，发出白光，其特征在...

一种基于芴－咔唑共聚物的有机电致发光器件，包括透明衬底、阳极层和阴极层，其中一种电极位于透明衬底表面，还包括设置在所述阳极层和阴极层之间的有机功能层，它包括发光层或者空穴传输层，所述发光层在外加电源的驱动下发光，其特征在于，所述空穴传输...

本发明公开了一种结构优化的白光有机电致发光器件，包括衬底、阳极层、阴极层和位于阳极层和阴极层之间的有机功能层，所述的阳极层或者阴极层位于衬底之上，所述有机功能层在外加电源的驱动下，发出白光，其特征在于：有机功能层包括空穴传输层、掺杂层、...

本发明公开了一种简化结构的有机薄膜晶体管，基板为刚性衬底或柔性衬底，其特征在于：在所述基板正面设置有呈平面排列的源电极、漏电极和栅电极，在呈平面结构的源电极、漏电极和栅电极上设置有有机栅绝缘膜，在所述有机栅绝缘膜的表面设置有有机半导体膜...

本发明公开了一种有机薄膜晶体管，包括Ｓｉ基板，其特征在于：所述Ｓｉ基板的背面设置栅电极，所述Ｓｉ基板的正面设置有单层或者多层有机栅绝缘膜，所述有机栅绝缘膜的上端蒸镀有漏电极和源电极，所述漏电极、源电极和有机栅绝缘膜的表面覆盖有有机半导体...

一种半导体表面的横向耐压区及由其构成的器件。它是一种利用阶梯式场板对半导体表面形成的金属－绝缘层－半导体（ＭＩＳ）电容来吸收（或注入）电通量于半导体表面，使半导体表面向衬底发出的有效电通量密度接近于最佳分布，从而在最短的表面距离内有最高...