本发明公开了一种高频无极性有引线固体钽电解电容器，涉及固体电解电容器技术领域，其基本结构包括绝缘外壳（２）、钽芯子（１）、引出线（４）、环氧树脂封装层（３），用粘接银浆将两块超薄钽芯子（１）串联粘接牢固，再将两钽芯子上的钽丝（６）分别点...

本发明公开了一种高频大功率铁氧体材料的制备方法，它包括以下步骤：１）混合：将５１～５５ｍｏｌ％Ｆｅ↓［２］Ｏ↓［３］、５～１０ｍｏｌ％ＺｎＯ，余量为ＭｎＣＯ↓［３］的料粉混合均匀；２）预烧：将步骤１所得混合料进行预烧；３）掺杂：将步骤２...

本发明属于高分子材料领域，特别涉及磁性二茂铁－双端基邻苯二甲腈树脂固化物及其制备方法，本发明的树脂固化物结构如式Ⅰ所示，它是以磁性二茂铁－双端基邻苯二甲腈树脂、三价铁盐和４，４’－双（３，４－二氰基）苯氧基－联苯在无水强极性溶剂中反应得...

本发明公开了一种高温超导高压变压器及其作为低电流高压电源的应用。所述高温超导高压变压器，包括铁心、初级线圈和次级线圈，初级线圈通过电流引线与外部电源相连，次级线圈通过高压输出端口输出高压电；初级线圈由复合高温超导导线或高温超导初始带材绕...

本发明公开了一种高温超导大电流变压器及其作为大电流低压电源的应用。所述高温超导大电流变压器，包括铁心、初级线圈和次级线圈，初级线圈通过高压输入端口与外部电源相连，次级线圈通过大电流引线输出大电流低压电；次级线圈由高温超导大电流电缆导线、...

本发明公开了一种薄膜变压器及其制作工艺，该薄膜变压器是由初级绕组、次级绕组和磁芯薄膜组成，初、次级绕组分别与水平方向倾斜１５°和２０°，以交叉互绕的方式镀制在薄膜磁芯上；该薄膜变压器的制作工艺采用掩膜或光刻技术制作上、下电极，磁芯膜采用...

本发明提供了一种宽频磁电双性复合材料及其制备方法，它是由主相铁氧体相为磁导率为５００－１０００的ＮｉＣｕＺｎ铁氧体软磁材料（例如Ｎｉ↓［０．２４］Ｃｕ↓［０．０７］Ｚｎ↓［０．５］Ｆｅ↓［１．９２］Ｏ↓［４］）和陶瓷介质相选用钙钛矿Ｂａ...

本发明公开了一种基于纳米晶软磁薄膜的磁三明治材料及其制备方法，该材料是两个铁磁层由一个非磁性金属层隔离而成，其特点是两个铁磁层中一个是纳米晶磁性薄膜，另一个为多晶态的磁性薄膜，总体厚度在１０ｎｍ以内。这种材料主要由直流磁控溅射方法制备，...

本发明在常规高磁导率ＮｉＺｎ铁氧体配方、制备工艺和掺杂方式基础上提供一种兼具高磁导率和高居里温度的ＮｉＺｎ铁氧体材料及其制备方法。所述材料以金属氧化物为原料采用氧化物湿法工艺制成，原料包括Ｆｅ↓［２］Ｏ↓［３］、ＮｉＯ、ＺｎＯ、ＣｕＯ和...

本发明公开了一种高频低损耗ＭｎＺｎ铁氧体材料的制备方法，它包括以下步骤：１）５１～５５ｍｏｌ％Ｆｅ↓［２］Ｏ↓［３］，５～１０ｍｏｌ％ＺｎＯ，３５～４４ｍｏｌ％ＭｎＣＯ↓［３］球磨混合均匀；２）将步骤１）所得粉料８００～１０００℃下预烧...

本发明公开了一种高Ｑ值高温超导电感，及其制备方法，及其在高温超导谐振高压源中的应用。所述高温超导电感的线圈为多层或一层螺线管式缠绕，或由多个或一个单饼式高温超导电感线圈单元串联组合而成，或由多个或一个双饼式高温超导电感线圈单元串联组合而...

本发明属于电子材料技术领域，涉及超高密度磁信息存储技术。本发明的磁信息存储单元由高／低各向异性常数磁性薄膜在横向方向上交换耦合而成。制备时，先制备高各向异性常数磁性薄膜，经退火处理后，采用离子注入或离子扩散工艺对其进行部分改性，降低改性...

ＮｉＺｎ系铁氧体材料及制备方法，本发明属于铁氧体材料制备技术领域。其主成分按摩尔百分比，以氧化物计算：４８．５～５２．５ｍｏｌ％Ｆｅ↓［２］Ｏ↓［３］，２５～３３ｍｏｌ％ＺｎＯ，０．５～８．０ｍｏｌ％ＣｕＯ，余量为ＮｉＯ；掺杂剂按重量百...

宽温超低损耗ＭｎＺｎ软磁铁氧体材料，其特征在于，其主成分按摩尔百分比，以氧化物计算：６５～７５ｍｏｌ％Ｆｅ↓［２］Ｏ↓［３］，１３～２０ｍｏｌ％ＺｎＯ，０．０００１～０．５ｍｏｌ％ＴｉＯ↓［２］，余量为Ｍｎ↓［３］Ｏ↓［４］；　　　　掺...

钇铁石榴石薄膜结构，属于电子材料领域，它特别涉及钇铁石榴石薄膜材料的射频磁控溅射制备方法。本发明包括Ｓｉ基片和其上的钇铁石榴石薄膜层，在Ｓｉ基片和钇铁石榴石薄膜层之间还有ＣｅＯ↓［２］过渡层。本发明具有以下优点：薄膜的表面得到很大程度的...

本发明属于电子材料技术领域，涉及平面磁性阵列器件的制备方法。先将永磁阵列母板固定于基底下表面，然后在基底上表面均匀涂覆纳米铁氧体／光敏聚合物复合材料，然后静置待纳米铁氧体磁性粒子在永磁阵列母板磁场的作用下按照母板的阵列图形排布后曝光实现...

ＮＴＣ薄膜热敏电阻及制备方法，特别涉及热敏电阻材料及器件的制作。本发明包括电阻体以及与之连接的内电极、端电极，其特征在于，所述电阻体为ＮＴＣ薄膜。本发明的有益效果是：器件工艺重复性好、工艺的环境污染小。器件的长期稳定性好，响应时间短，精...

本发明公开了一种矩形陶瓷芯片自动叠片机，其特点是将下面板（２）和上面板（３）分别安装在机架（１）上，运行汽缸（１０）安装在上面板（３）上，运行汽缸支座（２０）和汽缸支架（１９）固定，运行汽缸与浮动接头（１８）连接，浮动接头与滑动料仓（５...

一种氧化锌压敏电阻介质材料及电阻器制备方法，属于电子材料技术领域。所述氧化锌压敏电阻介质材料，其组分包括８５％～９５％的ＺｎＯ、２％～６％的Ｂｉ↓［２］Ｏ↓［３］、１％～５％的ＴｉＯ↓［２］、１％～３．５％的Ｓｂ↓［２］Ｏ↓［３］、１％...

本发明公开了含高价阳离子的铋系铜酸盐高温超导体及其制备方法。它掺有元素周期表中一种高于３价的阳离子，其掺入离子的配比范围在０. １～０. ６间，再加上采用高于熔点５～１０℃的热冲击工艺制备方法，使铋系铜酸盐高温超导体中的高温相（２２２３...