一种高频E型、I型薄膜变压器及其制备方法技术

本发明专利技术公开了一种薄膜变压器及其制作工艺，该薄膜变压器是由初级绕组、次级绕组和磁芯薄膜组成，初、次级绕组分别与水平方向倾斜１５°和２０°，以交叉互绕的方式镀制在薄膜磁芯上；该薄膜变压器的制作工艺采用掩膜或光刻技术制作上、下电极，磁芯膜采用磁控溅射工艺制备，绝缘层采用蒸发镀方法即采用钨舟蒸发块状ＳｉＯ↓［ｘ］材料；最后对变压器的磁芯膜磁场真空取向和纳米晶化。该薄膜变压器由于采用倾斜交叉互绕，增大了耦合系数和效率。该薄膜变压器是磁性电子元器件的最基本元件，它的薄膜化将极大促进电子元器件的片式化步伐。（*该技术在2021年保护过期，可自由使用*）

【技术实现步骤摘要】

本专利技术属于电子
，特别涉及电子元器件的制备技术。薄膜变压器和相关集成器件是近年来国际上研究和开发的热点。一方面由于移动通信的迅猛发展和平面显示系统的广泛应用，加速了它的发展；另一方面由于机载、星载系统对“小、轻、薄、精”要求，使薄膜变压器在集成DC/DC变压器、微开关电源系统的研发异常活跃。日本仙台东北大学在1992年用非晶薄带作编织型薄膜变压器，用作编织的铜线是15-50μm直径，绕匝变化从3～30匝，尽管电感值较大，但体积大，不属于薄膜集成化变压器。1993年该大学报告了螺旋型三层夹心结构薄膜变压器，它是用上、下两层软磁膜夹中间一层螺旋型初/次级构成(如附图说明图1所示)。这样的变压器用光刻技术实现，尺寸2.4×3.1mm2，使用极限频率fmax＝10MHZ，但初级和初级电感较低，耦合效果差，高频电感在0.3μHz以下。1992年，日本NTT公司在Si基片上作3×4mm2的薄膜变压器，初/次级采用上下光刻对接，电感值为0.4μHz，工艺极其复杂，电感值也比较小。1994年Toshiba公司和Hosei大学采用正方形绕组上/下夹心层结构，体积同样较大。1995年，日本文档来自技高网...

【技术保护点】
一种薄膜变压器，其特征是：它是由初级绕组、次级绕组和磁芯薄膜组成，初、次级绕组分别与水平方向倾斜１５°和２０°，以交叉互绕的方式镀制在薄膜磁芯上。

【技术特征摘要】

【专利技术属性】
技术研发人员：张怀武，刘颖力，钟智勇，贾利军，
申请(专利权)人：电子科技大学，
类型：发明
国别省市：90[中国|成都]