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本发明公开了一种薄膜变压器及其制作工艺，该薄膜变压器是由初级绕组、次级绕组和磁芯薄膜组成，初、次级绕组分别与水平方向倾斜１５°和２０°，以交叉互绕的方式镀制在薄膜磁芯上；该薄膜变压器的制作工艺采用掩膜或光刻技术制作上、下电极，磁芯膜采用磁控...
该专利属于电子科技大学所有，仅供学习研究参考，未经过电子科技大学授权不得商用。

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