一种阳极短路的隧道泵ＩＧＢＴ，属于半导体功率器件技术领域。本发明是在传统ＩＧＢＴ中同时引入阳极短路结构和隧道泵结构，或是在单纯的阳极短路的ＩＧＢＴ中引入隧道泵结构，或是在单纯的隧道泵的ＩＧＢＴ中引入阳极短路结构，使得本发明所述的阳极短路...

一种高压ＢＣＤ器件的制备方法，属于半导体制造技术领域。包括以下步骤：生长外延；制备Ｎｗｅｌｌ；制备Ｐｗｅｌｌ；制备Ｄｅｅｐ－Ｎ↑［＋］；高温推结；制备Ｐｂａｓｅ；制备Ｐｂｏｄｙ；制备Ｐｗｅｌｌ２制备Ｐｃｈｓｔｏｐ；制备Ｎｃｈｓｔｏｐ；高...

一种ＶＤＭＯＳ器件，属于半导体功率器件技术领域。本发明在传统的ＶＤＭＯＳ器件结构中引入一层掺杂层：对于Ｎ沟道ＶＤＭＯＳ器件而言，该掺杂层为位于Ｐ型基区（５）和Ｎ↑［－］漂移区（６）之间的Ｎ↑［＋］层（７）；对于Ｐ沟道ＶＤＭＯＳ器件而言，...

一种槽栅ＳＯＩ　ＬＩＧＢＴ器件，涉及半导体功率器件技术。本发明包括衬底、埋氧层、Ｎ型缓冲层、阳极Ｐ↑［＋］区、阳极金属、Ｎ型漂移区、场氧化层、金属前介质层、Ｐ↑［＋］区、Ｎ↑［＋］区、多晶硅槽栅、ＬＩＧＢＴ器件栅氧化层、Ｐ型沟道区、多晶...

双极结型晶体管，涉及半导体功率器件技术领域。本发明包括衬底、集电区、发射区、基区、发射极电极、基极电极和集电极电极，其特征在于，在基区内部设置有浮空埋层，所述浮空埋层材料与基区材料相异。本发明的有益效果是，同时具有良好的直流特性和击穿特...

本发明公开了一种柔性光电子器件用基板，包括柔性衬底，其特征在于，所述柔性衬底表面设置有粘结层和导电薄膜，所述导电薄膜沉积在粘结层的表面，所述粘结层材料是需要紫外光固化的胶粘剂，所述胶粘剂的原料包括以下组份：多硫醇－多烯体系、单官能团或多...

一种两次刻蚀单多晶硅的高功率ＢＣＤ工艺，属于半导体器件及集成电路，具体涉及ＢＣＤ器件的制造方法。包括衬底预氧、ＮＢＬ、ＰＢＬ；外延生长；ＩＳＯ；Ｎｓｉｎｋ；ＰＣＨ和ＮＣＨ注入；栅氧化层生长；ＰＢＡＳＥ、ＰＢＯＤＹ１和ＰＢＯＤＹ２区硼注入...

一种ＳＯＩ　ＬＩＧＢＴ器件，属于半导体功率器件技术领域。本发明通过在器件阴极侧增加一个收集阳极注入空穴的深结Ｐ↑［＋］掺杂区（１５），以降低流过阴极Ｎ↑［＋］区（１１）下Ｐ型体区（８）中的空穴电流，并缩短阴极Ｎ↑［＋］区（１１）下寄生Ｐ...

一种薄层ＳＯＩ　ＬＩＧＢＴ器件，包括：衬底（１），埋氧层（２），Ｎ型缓冲层（３），Ｐ↑［＋］阳极区（４），阳极金属（５），场氧区（６），金属前介质（７），Ｎ型空穴势垒层（８），Ｐ型体区（９），多晶硅栅极（１０），阴极金属（１１），阴极Ｎ...

本发明公开了一种柔性光电子器件用基板，包括柔性衬底，其特征在于，所述柔性衬底表面设置有粘结层和导电薄膜，所述导电薄膜沉积在粘结层的表面，所述粘结层材料是需要紫外固化的阳离子型紫外光固化胶粘剂，阳离子型紫外光固化胶粘剂原料包括以下成份：环...

硅基缺陷掺杂发光薄膜材料的制备方法，属于半导体光电子材料技术领域，特别涉及半导体硅基发光薄膜材料的制备方法。硅基缺陷掺杂发光薄膜材料是在硅基片上利用三氧化二硼、三氧化二铝、三氧化二镓、三氧化二铟、磷的氧化物、砷的氧化物、锑的氧化物、铋的...

硅基近红外发光薄膜材料的制备方法，属于半导体光电子材料技术领域，特别涉及半导体硅基发光薄膜材料的制备方法。硅基近红外发光薄膜材料是在硅基片上利用三氧化二硼、三氧化二铝、三氧化二镓、三氧化二铟、磷的氧化物、砷的氧化物、锑的氧化物、铋的氧化...

本发明公开了一种柔性光电子器件用基板，包括柔性衬底，其特征在于，所述柔性衬底表面设置有粘结层和导电薄膜，所述导电薄膜沉积在粘结层的表面，所述粘结层材料是需要紫外光固化的胶粘剂，所述胶粘剂原料包括以下组份：不饱和聚酯树脂或者丙烯酸系树脂、...

本发明提供了一种半导体器件，将两个端电压相近的高压横向器件做在表面相邻的区域上。两个器件都有与衬底导电类型相反而紧贴于衬底的区。在电压不完全相同的区之间均有一个隔离区。隔离区中的半导体区在全耗尽时向衬底发出的、有效的电通量密度之值介于其...

一种沟槽绝缘栅双极型晶体管，属于半导体功率器件技术领域。本发明在传统的沟槽绝缘栅双极型晶体管中引入一个Ｐ↑［＋］空穴收集区（５），避免了空穴进入Ｐ型体区（６），起到了很好的空穴旁路的作用，从而大大削弱了寄生晶闸管效应，器件的安全工作区得...

ＢＣＤ半导体器件及其制造方法属于半导体功率器件技术领域。器件包括高压ｎＬＩＧＢＴ、第一类高压ｎＬＤＭＯＳ，第二类高压ｎＬＤＭＯＳ，第三类高压ｎＬＤＭＯＳ和低压ＮＭＯＳ、ＰＭＯＳ、ＮＰＮ。半导体器件直接做在单晶衬底上。高压ｎＬＩＧＢＴ、ｎ...

本发明公开了一种柔性光电子器件用基板，包括柔性衬底，其特征在于，所述柔性衬底表面设置有粘结层和导电薄膜，所述导电薄膜沉积在粘结层的表面，所述粘结层材料是需要紫外光固化的胶粘剂，所述胶粘剂为自由基型紫外光固化胶粘剂和阳离子型紫外光固化胶粘...

本发明公开了一种柔性光电子器件用基板，包括柔性衬底，其特征在于，所述柔性衬底表面设置有粘结层和导电薄膜，所述导电薄膜沉积在粘结层的表面，所述粘结层材料是由紫外光固化－热固化或者紫外光固化－微波固化或者紫外光固化－厌氧固化或者紫外光固化－...

本发明公开了一种柔性光电子器件用基板，包括柔性衬底，其特征在于，所述柔性衬底表面设置有粘结层和导电薄膜，所述导电薄膜沉积在粘结层的表面，所述粘结层材料是需要紫外光固化的有机硅胶粘剂，所述胶粘剂的原料包括以下组份：光敏性的聚硅氧烷、光引发...

等离子平板显示器扫描驱动芯片用高压器件属半导体功率器件领域。在衬底、埋氧层和ＳＯＩ层上建立高压ｎＬＩＧＢＴ、高压ｎＬＤＭＯＳ、高压ｐＬＤＭＯＳ和低压ＣＭＯＳ，用介质隔离区分开。埋氧层处于衬底和ＳＯＩ层中间，ＳＯＩ层厚度仅为０．５～３μｍ...