【技术实现步骤摘要】
【国外来华专利技术】
本专利技术涉及半导体高压器件及功率器件技术，特别是涉及一种用于半导体器件的表面耐压区。众所周知，平面(planar)n+—p-(或p+—n-)结的击穿电压常受限于表面击穿。这里利用图1所示的n+—p结剖面，对此现象作一简单解释。图中1为第一种导电类型区，如p-(或n-)型衬底，2为形成在第一种导电类型衬底上的第二种导电类型区，如n+(或p+)型区，当n+—p(或P+—n-)结加上反向偏压后，沿中间线只有纵向电场，其值在n+—p(或p-—n-)冶金结面最高，其沿线积分等于反向偏压。沿p(或n)区表面有一横向电场，其沿表面的积分也等于反向偏压。由于曲率效应，在n+(或p+)区表面附近的电场分布很不均匀，在n+(或p+)区附近有特别高的电场。此高电场使碰撞电离击穿电压远低于同衬底的单边突变平行平面结的碰撞电离击穿电压。为了提高表面击穿电压，已有不少的有关技术可以利用。这种技术称为平面结终端技术，关于平面结终端技术可参考文献B.J.Bali-ga.IEE Proc，Vol 129.pt I.No.5pp.173—179(1982)。在各种平面结终端技术中，可能使击穿...
【技术保护点】
一种用于半导体器件的表面耐压区，所述半导体器件是以第一种导电类型的衬底及其上形成的第二种导电类型重掺杂区为基础的，所述表面耐压区的特征在于： 当所述表面耐压区在所述衬底和所述重掺杂区之间所加电压接近反向击穿电压而全部耗尽时，该表面耐压区中第二种导电类型的电离杂质的有效平均密度随着离开重掺杂区中心的距离的增加从约为Ｎ↓［Ｂ］.Ｗ↓［ｐｐ］逐渐或阶梯式地下降，这里，Ｎ↓［Ｂ］代表衬底的杂质浓度，Ｗ↓［ｐｐ］代表由该衬底形成的单边突变平行平面结在其击穿电压下的耗尽层厚度，平均密度系指在一个表面横向尺寸远小于Ｗ↓［ｐｐ］而又大于该表面耐压区厚度的面积内有效的第二种导电类型杂质...
【技术特征摘要】
【国外来华专利技术】CN 1994-7-20 94111842.81.一种用于半导体器件的表面耐压区，所述半导体器件是以第一种导电类型的衬底及其上形成的第二种导电类型重掺杂区为基础的，所述表面耐压区的特征在于当所述表面耐压区在所述衬底和所述重掺杂区之间所加电压接近反向击穿电压而全部耗尽时，该表面耐压区中第二种导电类型的电离杂质的有效平均密度随着离开重掺杂区中心的距离的增加从约为NB*Wpp逐渐或阶梯式地下降，这里，NB代表衬底的杂质浓度，Wpp代表由该衬底形成的单边突变平行平面结在其击穿电压下的耗尽层厚度，平均密度系指在一个表面横向尺寸远小于Wpp而又大于该表面耐压区厚度的面积内有效的第二种导电类型杂质总数除以该面积所得的值。2.如权利要求1所述的表面耐压区，其特征在于所述表面耐压区中第二种导电类型杂质随离开所述第二种导电类型区的中心部分的距离的增加而减少的平均密度是通过既用第二种导电类型的杂质进行掺杂，又用第一种导电类型的杂质进行补偿的方法而得到，其中，所述表面耐压区与衬底相邻的区域为第二种杂质类型区。3.如权...
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