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一种用于半导体器件的表面耐压区，它位于第一种导电类型的衬底（１）之上形成的第二种导电类型（２）的中心部分周围，该耐压区的平均有效第二种导电类型的杂质密度随离开所述第二种导电类型（２）的中心部分的距离的增加而逐渐或阶梯式减少。此种表面耐压区可...
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