束致变蚀方法技术

本发明专利技术涉及半导体芯片二氧化硅表面束致变蚀技术。本发明专利技术包括使用一种或两种粒子束诸如离子束、电子束和等离子束对二氧化硅表面进行选择轰击，使二氧化硅表面的腐蚀特性发生明显变化；在该选择轰击的二氧化硅表面上涂一层催化剂混合物层；在一定温度下经过用氮鼓泡的氟化氢溶液的混合气体中腐蚀。可使选择轰击二氧化硅表面的二个区的腐蚀速率比达到１∶１００，刻蚀分辨率为亚微米级，正负图形可变并且清晰完整，可靠性高。（*该技术在2014年保护过期，可自由使用*）

【技术实现步骤摘要】
【国外来华专利技术】
本专利技术涉及半导体集成电路及器件制造领域，特另涉及作为集成电路制作中、介质膜SiO2的图形制作技术的束致变蚀技术。随着微电子技术的不断发展，半导体集成电路进入了VLSI时代，由于VLSI所具有的高性能和高可靠性，它已成为电子工业的基础和核心，而工艺技术又成为发展大规模集成电路的关键，其中，微细图形加工技术的发展又直接导致器件的小型化和高性能化，可使芯片面积大为缩小，实现高集成度。集成电路制造业的飞速发展已使电路特征尺寸进入亚微米级，常规光刻的尺寸限制和固有弊病已经迫使人们必须寻求其它有效的光刻手段，这些手段中就有已知的离子束曝光，电子束曝光以及软X-射线曝光等光刻技术。但这些光刻技术尽管已能满足制作亚微米级光刻图形的需要，但终究未脱离曝光、显影、坚膜、腐蚀等一系列固有的烦琐工艺模式，因而，不可避免由相应各步骤所引入的缺陷和偏差，因此，它们的应用仍是有局限性的。80年代曾有报通，用N、He、Ar、H离子注入SiO2薄层表面后，用10％HF水溶液腐蚀(湿法)SiO2，获得增蚀效果，注入区(离子轰击区)与非注入区的腐蚀速率比为5倍，离子剂量为72×1016cm-2，能量为30～10本文档来自技高网...

【技术保护点】
束致变蚀技术，其特征在于由下列步骤组成：第一步：用一种或两种粒子束诸如离子束、电子束、等离子体束对ＳｉＯ↓［２］表面进行选择轰击，使ＳｉＯ↓［２］表面能发生明显变化，使在随后用氮气鼓泡ＨＦ溶液的混合气体中腐蚀后的轰击区与非轰击区的腐蚀速 率比显著增大或恢复原状，所用离子束的离子是Ｎ、Ｈ、Ｏ、Ａｒ，离子注入量是５×１０↑［１５］～１×１０↑［１６］（ｃｍ↑［－２］），能量为１０ＫｅＶ～１００ＫｅＶ，电子束轰击时所用两极电压为１８００～２０００Ｖ，轰击时间为大于５分钟；等离子体束轰击时所用能量为２０～４０Ｗ，轰击时间６０～９０秒；第二步：在粒子束选择轰击的表面上涂一层厚度为２００～２０００Ａ...

【技术特征摘要】
【国外来华专利技术】1.束致变蚀技术，其特征在于由下列步骤组成第一步用一种或两种粒子束诸如离子束、电子束、等离子体束对SiO2表面进行选择轰击，使SiO2表面能发生明显变化，使在随后用氮气鼓泡HF溶液的混合气体中腐蚀后的轰击区与非轰击区的腐蚀速率比显著增大或恢复原状，所用离子束的离子是N、H、O、Ar，离子注入量是5×1015～1×1016(cm-2)，能量为10KeV～100KeV，电子束轰击时所用两极电压为1800～2000V，轰击时间为大于5分钟；等离子体束轰击时所用能量为20～40W，轰击时间60～90秒第二步在粒子束选择轰击的表面上涂一层厚度为200～2000A的催化剂混合物，该催化剂混合物有一、环乙酮 … 100m...

【专利技术属性】
技术研发人员：韩阶平，王守武，王培大，杜甲丽，李秀琼，陈梦真，刘辉，徐卫东，
申请(专利权)人：中国科学院微电子中心，
类型：发明
国别省市：11[中国|北京]