灯泡退火装置和显示元件用基片制造方法及图纸

本发明专利技术涉及用来使在透明基片上边形成的半导体膜退火的灯泡退火装置的改良。在本发明专利技术中，在灯泡退火装置内设置选择加热半导体膜的装置，抑制退火中的基片的温度上升。此外，根据来自退火处理后的半导体膜的反射光或透过光，对退火处理进行反馈控制。（*该技术在2021年保护过期，可自由使用*）

【技术实现步骤摘要】

本专利技术涉及在薄膜晶体管的制造中使用的灯泡退火装置。
技术介绍
作为像素的开关元件使用薄膜晶体管的有源矩阵型液晶显示面板，在数字静物照相机、数字摄象机、导航系统、笔记本型计算机等中，被人们广为使用。以往，薄膜晶体管的半导体层一直使用非晶硅，但最近几年，人们则积极开发以迁移率比非晶硅大得多的多晶硅为半导体层的薄膜晶体管。采用把多晶硅薄膜晶体管用做液晶面板的像素的开关元件的办法，可以在玻璃基片上不仅形成晶体管，还可以形成驱动晶体管的驱动电路。但是，在玻璃基片上边形成的薄膜晶体管，由于玻璃基片的软化点低到约600℃，故不能进行用于在硅衬底上边形成的如MOS晶体管的激活化或用于除去掺杂损伤的1000℃以上的高温下的退火处理。当激活化或损伤的除去不充分时，由于晶体管的特性或可靠性会劣化，故需要在尽可能高的高温下进行退火。于是，过去一直进行现有的在600℃左右的比较低的低温下的长时间的退火炉内退火。但是，在炉内退火的情况下，由于要长时间地暴露在玻璃的软化点附近的温度气氛内，故将会发生玻璃基片的畸变或伸缩等的形状变形，微细加工是困难的。此外，由于在退火期间，因为玻璃基片的软化，杂质会从玻璃基本文档来自技高网...

【技术保护点】
一种用来使在基片上边形成的半导体膜退火的灯泡退火装置，具备：向透明基片投射用来加热的光的光投射装置；及配置在上述透明基片与上述光投射装置之间，选择加热上述透明基片上边的规定区域的选择加热装置。

【技术特征摘要】
JP 2000-2-8 30047/00;JP 2000-2-28 50602/001.一种用来使在基片上边形成的半导体膜退火的灯泡退火装置，具备向透明基片投射用来加热的光的光投射装置；及配置在上述透明基片与上述光投射装置之间，选择加热上述透明基片上边的规定区域的选择加热装置。2.如权利要求1所述的灯泡退火装置，上述选择加热装置是仅仅向上述透明基片上边的上述规定区域上照射由上述光投射装置投射的光的遮光掩模。3.如权利要求2所述的灯泡退火装置，上述半导体膜仅仅在上述规定的区域上形成。4.如权利要求2所述的灯泡退火装置，上述遮光掩模具有最小宽度为5～100微米的开口部分图形。5.如权利要求2所述的灯泡退火装置，上述透明基片与上述遮光掩模以0.1～10mm的间隔配置。6.如权利要求1所述的灯泡退火装置，上述选择照射装置是仅仅透过由上述照射装置投射的光中规定的波长成分的光学滤光片。7.如权利要求6所述的灯泡退火装置，上述光学滤光片是截止波长比规定值还长的光的低通滤光片，而上述规定值为2.5微米以上。8.如权利要求6所述的灯泡退火装置，上述光学滤光片是截止波长比规定值还长的光的低通滤光片，而上述规定值为700nm以上。9.如权利要求6所述的灯泡退火装置，上述光学滤光片是截止波长比规定值还短的光的高通滤光片，而上述规定值为350nm以下。10.如权利要求6所述的灯泡退火装置，上述光学滤光片是截止波长比规定值还短的光的高通滤光片，截止提高构成上述透明基片的材料的能带能级的波长的光。11.如权利要求6所述的灯泡退火装置，上述光学滤光片由与上述透明基片相同的材料构成。12.如权利要求6所述的灯泡退火装置，上述光学滤光片是透过波长为350～700nm的光的带通滤光片。13.如权利要求6所述的灯泡退火装置，上述光学滤光片是透过波长为350～2.5微米的光的带通滤光片。14.如权利要求6所述的灯泡退火装置，还具备配置在上述光投射装置与上述透明基片之间，仅仅向上述透明基片上边的规定区域照射由上述光投射装置投射过来的光的遮光掩模。15.如权利要求1所述的灯泡退火装置，上述光投射装置被配置为分别与上述透明基片的一对主面对置，上述选择加热装置被配置在至少其中一方。16.如权利要求1所述的灯泡退火装置，还具备用来使上述光投射装置与上述透明基片之间的相对位置变化的变位装置，上述光投射装...

【专利技术属性】
技术研发人员：森田幸弘，西谷干彦，涩谷宗裕，
申请(专利权)人：松下电器产业株式会社，
类型：发明
国别省市：JP[日本]