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本发明涉及半导体芯片二氧化硅表面束致变蚀技术。本发明包括使用一种或两种粒子束诸如离子束、电子束和等离子束对二氧化硅表面进行选择轰击，使二氧化硅表面的腐蚀特性发生明显变化；在该选择轰击的二氧化硅表面上涂一层催化剂混合物层；在一定温度下经过用氮...
该专利属于中国科学院微电子中心所有，仅供学习研究参考，未经过中国科学院微电子中心授权不得商用。

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