制作导电或半导电三维结构的方法和擦除该结构的方法技术

在基体中制作导电或半导电三维结构的方法中，其中基体包括两种和多种处于空间隔离材料结构中的材料，每种材料结构都受到与材料响应相配合的具有给定强度和／或频率特性的辐射的照射，辐射根据在相关材料结构中表示导电或半导电结构的预定图案的协议受到调制，通过辐射，在材料结构中制成了具有预定图案的二维导电和半导电结构，这样包含各种材料结构的基体就具有了导电或半导电三维结构。在擦除这种导电或半导电结构的方法中，每种材料结构都以一种与制作该结构相对应的方式受到照射，只是通过辐射将材料结构中的导电或半导电二维结构擦除，结构中的材料全部转化为非导电态。（*该技术在2019年保护过期，可自由使用*）

【技术实现步骤摘要】

本专利技术涉及在复合基体中制作导电或半导电三维结构的方法，其中基体包括两种或多种处于空间隔离的均质材料结构中的材料，其中材料根据所提供的能量发生特定的物理和/或化学状态变化，使其从非导电态转化成导电或半导电态，反之亦然，或使其导电模式发生改变。本专利技术还涉及擦除在复合基体中制作的导电或半导电三维结构的方法，其中基体包括两种或多种处于空间隔离的均质材料结构中的材料，其中材料根据所提供的能量发生特定的物理和/或化学状态变化，使其从非导电态转化成导电或半导电态，反之亦然，或使其导电模式发生改变，其中每种材料结构都具有由预定协议表示的二维导电或半导电结构所产生的图案，其中导电或半导电三维结构可以在利用权利要求1-5和12-22中的任何一个所述的方法，根据另一在每种材料结构中制作二维导电或半导电结构的预定协议，完成擦除之后在基体中重新制成，还涉及用于在复合基体中全部擦除导电或半导电三维结构的方法，其中基体包括两种或多种处于空间隔离的均质材料结构中的材料，其中材料根据所提供的能量发生特定的物理和/或化学状态变化，使其从非导电态转化成导电或半导电态，反之亦然，或使其导电模式发生改变，其中导本文档来自技高网...

【技术保护点】
在复合基体中制作导电或半导电三维结构的方法，其中基体包括两种或多种处于空间隔离的、均质材料结构中的材料，所述材料可根据供给的能量产生特定的物理和／或化学状态的变化，这种变化使其由非导电态向导电态或半导电态转换，或相反，或者导致材料导电模式的变化，其特征在于利用具有与材料对辐射所提供的能量产生的响应相适合的给定强度或频率特性的辐射照射每个材料结构，在每种情况下根据表示相关材料结构中的导电或半导电结构的预定图案的协议对辐射进行空间调制，由此，根据辐射提供的能量，在材料结构中形成其图案由预定协议确定的二维导电或半导电结构，这样由具有二维导电或半导电结构的独立且相邻的材料结构构成的复合基体具有导电或半...

【技术特征摘要】
NO 1998-1-28 19980385;NO 1998-6-2 199825181．在复合基体中制作导电或半导电三维结构的方法，其中基体包括两种或多种处于空间隔离的、均质材料结构中的材料，所述材料可根据供给的能量产生特定的物理和/或化学状态的变化，这种变化使其由非导电态向导电态或半导电态转换，或相反，或者导致材料导电模式的变化，其特征在于利用具有与材料对辐射所提供的能量产生的响应相适合的给定强度或频率特性的辐射照射每个材料结构，在每种情况下根据表示相关材料结构中的导电或半导电结构的预定图案的协议对辐射进行空间调制，由此，根据辐射提供的能量，在材料结构中形成其图案由预定协议确定的二维导电或半导电结构，这样由具有二维导电或半导电结构的独立且相邻的材料结构构成的复合基体具有导电或半导电三维结构。2．权利要求1的方法，其中用于照射的电磁辐射是从一个或多个下述光谱范围内选择的γ射线、x-射线、紫外线、可见光、红外光和微波。3．权利要求1的方法，其中用于照射的粒子辐射是从一种或多种下述粒子类型中选择的包括质子、中子和电子的基本粒子；离子、分子、和材料基团。4．权利要求1的方法，其中利用根据预定协议进行构图的掩膜，在基本上平行于材料结构的平面内对辐射进行空间调制，掩膜调制入射辐射的强度和/或相位，以便在材料结构中产生导电和半导电结构。5．权利要求1的方法，其中通过将辐射会聚到其尺寸与导电或半导电结构一致的光束内，在基本上平行于材料结构的平面内对辐射进行空间调制，并利用其强度根据在材料结构中制作二维导电或半导电结构的预定协议受到调制的光束对材料结构进行扫描。6．权利要求1的方法，其中通过将两个和多个层合并成构成具有导电或半导电三维结构的复合基体的重叠多层结构，制作呈薄层形式的材料结构。7．权利要求6的方法，其中通过在载体衬底上将两个或多个层连续地淀积到叠层结构中，或通过将两个或多个自支撑层重叠到叠层结构中，从而形成多层结构。8．权利要求7的方法，其中多层结构是通过连续地淀积两个或多个层而制成的，其特征在于在衬底上或相邻层上淀积完一层之后，并在该淀积层上再次淀积之前，在该层中制作二维导电或半导电结构。9．权利要求8的方法，其中在层中制作一个或多个二维导电或半导电结构，这样它们将根据协议与在已经淀积的相邻层中制作的一个或多个二维导电或半导电结构对准，由此在垂直于层面的方向制作出一个或多个垂直导电或半导电沟道。10．权利要求7的方法，其中多层结构是通过重叠两个或多个自支撑层而制成的，其特征在于在将层重叠到相邻层上之前制作二维导电或半导电结构。11．权利要求10的方法，其中将叠层结构中的层安置在相邻层上，这样先述层中的两个或多个二维导电或半导电结构根据协议与相邻层中的一个或多个二维导电或半导电结构对准，由此在垂直于层面的方向上形成一个或多个垂直导电或半导电沟道。12．权利要求7的方法，其中在将所有的层淀积到衬底上的叠层结构中之后，或者在将所有的层重叠倒叠层结构中之后，在层中制作二维导电或半导电结构，为了在所选的相关层中制作导电或半导电结构，而不影响未选中的层，选择性地照射叠层结构中的一个或多个层，但不是所有的层。13．权利要求12的方法，其中利用具有特定辐射特性和给定功率的辐射照射选中的层来选择一个或多个制作导电或半导电结构的层，选中的层由能够对一种或多种辐射特性和/或功率，或其组合产生响应的材料制成。14．权利要求13的方法，其中具体的辐射特性是强度和/或频率。15．权利要求14的方法，其中利用其频率处于两个或多个波长带内的两个或多个电磁辐射进行照射，来选择制作导电或半导电结构的一个或多个层，这样处于给定频率或给定波长的照射将在一个或多个层中产生响应，但不是所有的层。16．权利要求14的方法，其中为了对处于给定频率或给定波长带内的辐射产生响应，向一个或多个层的材料内添加一种或多种对于给定频率或给定波长带有光谱吸收的添加剂，由此在叠层结构中至少有两层获得相互不同的吸收谱。17．权利要求16的方法，其中利用在...

【专利技术属性】
技术研发人员：PE诺尔达尔，GI莱斯塔德，HG古德森，
申请(专利权)人：薄膜电子有限公司，
类型：发明
国别省市：NO[挪威]