电化株式会社专利技术

电化株式会社共有1031项专利

  • 本发明提供一种耐冲击性、耐药性、流动性以及色相优异,且具有聚碳酸酯和ABS树脂的热塑性树脂组合物及其成形品。该热塑性树脂组合物包含:具有芳香族乙烯基单体单元、腈化乙烯基单体单元、以及马来酰亚胺单体单元的马来酰亚胺系共聚物(A);聚碳酸酯...
  • 本发明的一个方案是包含Eu活化了的β型塞隆荧光体粒子作为主要成分的荧光体粉末。一种荧光体粉末,对于未实施超声波均化器处理的上述荧光体粉末,将通过使用了激光衍射式粒度分布测定装置的湿式测定而测得的中值径(D
  • 绝缘性树脂组合物,其含有环氧树脂、胺系固化剂、和无机填充材料,胺系固化剂包含式(A
  • 本发明提供一种可抑制结的形成的人造毛发用纤维。根据本发明,提供一种人造毛发用纤维,其由树脂组合物拉伸而成的纤维构成,将未拉伸丝在100℃的初始拉伸应力设为F0,将拉伸2.5倍时的拉伸应力设为F1时,将所述树脂组合物纺丝得到的未拉伸丝的F...
  • 一种含有Eu的α型塞隆荧光体粒子。在该α型塞隆荧光体粒子的表面形成有至少一个微小凹部。该α型塞隆荧光体粒子优选经过原料的混合工序、加热工序、粉碎工序和酸处理工序来制造。造。造。
  • 提供氮化硼粉末,该氮化硼粉末包含鳞片状的一次粒子凝集而构成的块状粒子,就一次粒子而言,其面内方向沿与块状粒子的短边方向平行的方向取向。另外,提供氮化硼粉末的制造方法,其具有下述工序:氮化工序,将长径比为1.5~10的碳化硼粉末在氮加压气...
  • 一种含有Eu的α型塞隆荧光体粒子。在该α型塞隆荧光体粒子表面形成有至少一个狭缝。该α型塞隆荧光体粒子优选经过原料的混合工序、加热工序、粉碎工序和酸处理工序来制造。粉碎工序和酸处理工序来制造。粉碎工序和酸处理工序来制造。
  • 本发明的表面被覆荧光体粒子包含:含有荧光体的粒子和被覆该粒子的表面的被覆部,上述荧光体具有由通式M
  • 共聚物,其具有:具有阴离子性基团的(甲基)丙烯酸系单体单元A;具有阳离子性基团的(甲基)丙烯酸系单体单元B;和除上述(甲基)丙烯酸系单体单元A及上述(甲基)丙烯酸系单体单元B以外的(甲基)丙烯酸系单体单元C。元B以外的(甲基)丙烯酸系单...
  • 提供一种组合物,该组合物成为在高温下的循环容量维持率优异的粘合剂。根据本发明,提供一种组合物,含有接枝共聚物,其特征在于,上述接枝共聚物具有主干聚合物以及多个分支聚合物,上述主干聚合物具有聚乙烯醇结构,第1单体单元以及第2单体单元分别至...
  • 本发明提供氮化硅电路基板,其具备氮化硅基板、设置于上述氮化硅基板的一面的第一铜层、和设置于上述氮化硅基板的另一面的第二铜层,上述氮化硅基板的断裂韧性值Kc为5.0MPa
  • 本发明的一个方式是一种由含有Eu的α型塞隆荧光体粒子构成的荧光体粉末。该荧光体粉末的由下述提取离子分析求出的、荧光体粉末的氨离子的浓度C
  • 硫改性氯丁橡胶,其具有由下述通式(A)表示且位于分子末端的官能团A、和由下述通式(B)表示且位于分子末端的官能团B,官能团B的含量相对于官能团A的含量而言的质量比B/A超过0且为6.00以下,官能团A及官能团B的总量为0.10~0.60...
  • 提供一种耐湿热性优异的苯乙烯系树脂组合物、其成型品以及导光板。根据本发明提供一种苯乙烯系树脂组合物,当设在200℃的氧气气氛下测定的氧化诱导时间为t1,设在80℃且90%湿度的空气气氛下经过500小时湿热处理后,在200℃的氧气气氛下测...
  • 树脂组合物、使用了该树脂组合物的成型体、以及使用了它们的膜结构物、建造物及粘合成型体,所述树脂组合物包含乙烯
  • 本发明的一个方案是一种由含有Eu的α型塞隆荧光体粒子构成的荧光体粉末。该荧光体粉末的利用激光衍射散射法测定的体积基准的中值粒径(D
  • 本公开的一个方式提供一种荧光体,由通式:MAlSiN3(M=Ca,Sr)表示,上述M的一部分被Eu取代,且主结晶相与CaAlSiN3结晶相具有相同的结构,上述荧光体的发光峰波长为640nm以上,上述发光峰波长的半值宽度为80nm以下。上...
  • 本发明的一个方案是一种由含有Eu的α型塞隆荧光体粒子构成的荧光体粉末。对于该荧光体粉末,将在大气气氛下在600℃保持1小时后的内量子效率设为P1、将在大气气氛下在700℃保持1小时后的内量子效率设为P2时,P1为70%以上,并且(P1-...
  • 首先,利用激光,在氮化物陶瓷基材(100)的第1面(102)形成划线(110)。接着,沿着划线(110)将氮化物陶瓷基材(100)分割。划线(110)包含多个凹部(112)。多个凹部(112)在氮化物陶瓷基材(100)的第1面(102)...
  • 本发明提供氮化硅基板,其为含有氮化硅和镁的氮化硅基板,在特定的条件I下,利用X射线荧光分析装置对氮化硅基板的表面进行分析时,XB/XA为0.8以上、1.0以下。1.0以下。1.0以下。