表面被覆荧光体粒子、表面被覆荧光体粒子的制造方法及发光装置制造方法及图纸

本发明专利技术的表面被覆荧光体粒子包含：含有荧光体的粒子和被覆该粒子的表面的被覆部，上述荧光体具有由通式M

【技术实现步骤摘要】
【国外来华专利技术】表面被覆荧光体粒子、表面被覆荧光体粒子的制造方法及发光装置


[0001]本专利技术涉及一种表面被覆荧光体粒子、表面被覆荧光体粒子的制造方法和发光装置。

技术介绍

[0002]组合发光二极管(LED)和荧光体而形成的发光装置广泛用于照明装置、液晶显示装置的背光灯等。特别是在液晶显示装置中使用发光装置的情况下，要求高的颜色再现性，因此期望使用荧光光谱的半值全宽度(以下，简称为“半峰宽”)窄的荧光体。
[0003]作为以往使用的半峰宽窄的红色荧光体，已知有用Eu
2+
激活的氮化物荧光体或氧氮化物荧光体。作为这些代表性的纯氮化物荧光体，有Sr2Si5N8：Eu
2+
、CaAlSiN3：Eu
2+
(简记为CASN)、(Ca，Sr)AlSiN3：Eu
2+
(简记为SCASN)等。CASN荧光体和SCASN荧光体在610～680nm的范围具有峰值波长，其半峰宽为75nm～90nm，比较窄。然而，在将这些荧光体用作液晶显示用的发光装置的情况下，期望颜色再现范围进一步的扩大，期望半峰宽更窄的荧光体。
[0004]近年来，作为半峰宽显示70nm以下的窄带域的红色荧光体，已知有SrLiAl3N4：Eu
2+
(简记为SLAN)荧光体，应用该荧光体的发光装置可期待优异的显色性、颜色再现性。
[0005]专利文献1中公开了具有特定组成的SLAN荧光体。
[0006]现有技术文献
[0007]专利文献
[0008]专利文献1：日本特开2017－088881号公报

技术实现思路

[0009]SLAN荧光体具有与水接触时容易分解的性质。该性质成为随着时间经过发光强度降低的重要因素。近年来，对于使用了SLAN荧光体的发光装置的可靠性要求进一步的提高，对于SLAN荧光体的耐湿性也要求进一步的改善。
[0010]本专利技术人研究的结果表明：对于包含SLAN荧光体、晶体结构与其类似的氮化物荧光体的粒子，详细的机理尚不确定，但通过将氟元素相对于其粒子整体的含量和高温高湿试验前后的质量增加率作为指标，从而可稳定地评价粒子的耐湿性，并且通过将所述氟元素的含量设为规定值以上以及将质量增加率设为规定值以下，从而可抑制暴露于水环境下的荧光强度的降低，即可提高耐湿性。
[0011]根据本专利技术，提供一种表面被覆荧光体粒子，该表面被覆荧光体粒子包含：含有荧光体的粒子和被覆上述粒子的表面的被覆部，上述荧光体具有由通式M
1a
M
2b
M
3c
Al3N
4－d
O
d
(其中，M1是选自Sr、Mg、Ca和Ba中的1种以上的元素，M2是选自Li和Na中的1种以上的元素，M3是选自Eu和Ce中的1种以上的元素)所示的组成，上述a、b、c以及d满足下述各式：0.850≤a≤1.150、0.850≤b≤1.150、0.001≤c≤0.015、0≤d≤0.40、0≤d/(a+d)＜0.30，
[0012]相对于上述表面被覆荧光体粒子整体，氟元素的含有率为15质量％～30质量％，
[0013]在以下的条件下测定得到的质量增加率为15％以下。
[0014](质量增加率测定条件)
[0015]将由上述表面被覆荧光体粒子构成的粉体的初始质量设为W1，将在温度60℃、湿度90％RH的条件下经过50小时后的该粉体的质量设为W2，以(W2－W1)/W1
×
100(％)的形式算出质量增加率。
[0016]另外，根据本专利技术，提供一种表面被覆荧光体粒子的制造方法，是上述的表面被覆荧光体粒子的制造方法，包括如下的工序：混合原料的混合工序，对利用上述混合工序得到的混合体进行烧制的烧制工序，和将利用上述烧制工序得到的烧制物和酸性溶液进行混合的酸处理工序；
[0017]在上述混合工序中，将上述Al的摩尔比设为3时，上述M1的投入量为1.10～1.20。
[0018]另外，根据本专利技术，提供一种发光装置，其具有上述的表面被覆荧光体粒子和发光元件。
[0019]根据本专利技术，可提供一种涉及耐湿性得到提高的氮化物荧光体粒子的技术。
具体实施方式
[0020]以下，对于本专利技术的实施方式，详细进行说明。
[0021]实施方式所涉及的表面被覆荧光体粒子包含：含有荧光体的粒子和被覆该粒子的表面的被覆部。以下，对表面被覆荧光体粒子的详细内容进行说明。
[0022]构成本实施方式的粒子的荧光体由通式M
1a
M
2b
M
3c
Al3N
4－d
O
d
表示。a、b、c、4－d以及d表示各元素的摩尔比。
[0023]上述通式中，M1是选自Sr、Mg、Ca和Ba中的1种以上的元素。优选M1至少包含Sr。M1的摩尔比a的下限优选为0.850以上，更优选为0.950以上。另一方面，M1的摩尔比a的上限优选为1.150以下，更优选为1.100以下，进一步优选为1.050以下。通过使M1的摩尔比a为上述范围，从而可提高晶体结构稳定性。
[0024]上述通式中，M2是选自Li和Na中的1种以上的元素。优选M2至少包含Li。M2的摩尔比b的下限优选为0.850以上，更优选为0.950以上。另一方面，M2的摩尔比b的上限优选为1.150以下，更优选为1.100以下，进一步优选为1.050以下。通过将M2的摩尔比b设为上述范围，从而可提高晶体结构稳定性。
[0025]上述通式中，M3是添加到母晶的激活剂、即构成荧光体的发光中心离子的元素，是选自Eu和Ce中的1种以上的元素。M3可根据所要求的发光波长进行选择，优选至少包含Eu。
[0026]M3的摩尔比c的下限优选为0.001以上，更优选为0.005以上。另一方面，M3的摩尔比c的上限优选为0.015以下，更优选为0.010以下。通过将M3的摩尔比c的下限设为上述范围，从而可得到充分的发光强度。另外，通过将M3的摩尔比c的上限设为上述范围，从而可抑制浓度消光，将发光强度保持在充分的值。
[0027]在上述通式中，氧的摩尔比d的下限优选为0以上，更优选为0.05以上。另一方面，氧的摩尔比d的上限优选为0.40以下，更优选为0.35以下。通过将氧的摩尔比d设在上述范围，从而可使荧光体的结晶状态稳定化，将发光强度保持在充分的值。
[0028]另外，荧光体中的氧元素的含量优选小于2质量％，更优选为1.8质量％以下。通过使氧元素的含量小于2质量％，从而使荧光体的结晶状态稳定化，可将发光强度保持在充分
的值。
[0029]由M1和氧的摩尔比、即a、d算出的d/(a+d)的值的下限优选为0以上，更优选为0.05以上。另一方面，d/(a+d)的值的上限优选小于0.30，更优选为0.25以下。通过将d/(a+d)设在上述范围，从而使荧光体的结晶状态稳定化，可将发本文档来自技高网...

【技术保护点】

【技术特征摘要】
【国外来华专利技术】1.一种表面被覆荧光体粒子，包含：含有荧光体的粒子和被覆所述粒子的表面的被覆部，所述荧光体具有由通式M
1a
M
2b
M
3c
Al3N
4－d
O
d
所示的组成，其中，M1是选自Sr、Mg、Ca和Ba中的1种以上的元素，M2是选自Li和Na中的1种以上的元素，M3是选自Eu和Ce中的1种以上的元素，所述a、b、c和d满足下述各式：0.850≤a≤1.150、0.850≤b≤1.150、0.001≤c≤0.015、0≤d≤0.40、0≤d/(a+d)＜0.30，相对于所述表面被覆荧光体粒子整体，氟元素的含有率为15质量％～30质量％，在以下的条件下测定得到的质量增加率为15％以下，质量增加率测定条件：将由所述表面被覆荧光体粒子构成的粉体的初始质量设为W1，将在温度60℃、湿度90％RH的条件下经过50小时后的该粉体的质量设为W2，以(W2－W1)/W1
×
100(％)的形式算出质量增加率。2.根据权利要求1所述的表面被覆荧光体粒子，其中，所述被覆部构成所述粒子的最表面的至少一部分，并且包含含有氟元素的氟化合物。3.根据权利要求1或2所述的表面被覆荧光体粒子，其中，所述被覆部包含含有氟元素和铝元素的氟化合物。4.根据权利要求1～3中任一项...

【专利技术属性】
技术研发人员：赤羽雅斗，江本秀幸，
申请(专利权)人：电化株式会社，
类型：发明
国别省市：