荧光体粉末、复合体和发光装置制造方法及图纸

本发明专利技术的一个方案是一种由含有Eu的α型塞隆荧光体粒子构成的荧光体粉末。该荧光体粉末的利用激光衍射散射法测定的体积基准的中值粒径(D

【技术实现步骤摘要】
【国外来华专利技术】荧光体粉末、复合体和发光装置


[0001]本专利技术涉及荧光体粉末、复合体和发光装置。

技术介绍

[0002]作为氮化物、氮氧化物荧光体，已知激活特定的稀土元素而得的α型塞隆荧光体具有有用的荧光特性，应用于白色LED等。在α型塞隆荧光体中，α型氮化硅晶体的Si－N键部分被Al－N键和Al－O键取代，为了保持电中性，在晶格间具有特定的元素(Ca、Li、Mg和Y，或不包括La和Ce的镧系金属)侵入固溶于晶格内的结构。通过将侵入固溶的元素的一部分设为成为发光中心的稀土元素，表现出荧光特性。其中，使Ca固溶并用Eu取代其一部分而得的α型塞隆荧光体在紫外区域～青色区域的宽广波长区域被相对有效地激发，显示黄色～橙色发光。作为进一步提高这样的α型塞隆荧光体的荧光特性的尝试，例如提出了通过分级处理来选出具有特定平均粒径的α型塞隆荧光体(专利文献1)。
[0003]现有技术文献
[0004]专利文献
[0005]专利文献1：日本特开2009－96882号公报

技术实现思路

[0006]近年来，需要白色LED的进一步的高亮度化。例如对白色LED中使用的荧光体粉末的发光特性也要求更进一步的提高。
[0007]本专利技术鉴于如上所述的问题。本专利技术的目的是提供发光特性得到提高的荧光体粉末。
[0008]根据本专利技术，提供一种荧光体粉末，由含有Eu的α型塞隆荧光体粒子构成，利用激光衍射散射法测定的体积基准的中值粒径(D
50
)为10μm～20μm，对波长600nm的光的扩散反射率为93％～99％。
[0009]另外，根据本专利技术，提供一种复合体，具备上述荧光体粉末和密封该荧光体粉末的密封材料。
[0010]另外，根据本专利技术，提供一种发光装置，具备发出激发光的发光元件和转换上述激发光的波长的上述复合体。
[0011]专利技术效果
[0012]根据本专利技术，可以提供与发光特性得到提高的荧光体粉末相关的技术。
附图说明
[0013]图1是表示以往的荧光体粉末的中值粒径(D
50
)与对波长600nm的光的扩散反射率的关系以及对本实施方式的荧光体粉末规定的中值粒径(D
50
)和对波长600nm的光的扩散反射率的范围的概念图。
[0014]图2是表示实施方式的发光装置的结构的概略截面图。
具体实施方式
[0015]以下，对本专利技术的实施方式详细进行说明。
[0016]实施方式的荧光体粉末是由含有Eu的α型塞隆荧光体粒子构成的荧光体粉末。该荧光体粉末的利用激光衍射散射法测定的体积基准的中值粒径(D
50
)为10μm～20μm，对波长600nm的光的扩散反射率为93％～99％。
[0017]根据本实施方式的荧光体粉末，可以保持以往的α型塞隆荧光体粒子所具有的激发波长区域和荧光波长区域并提高其荧光特性。因此，结果可以使使用本实施方式的荧光体粉末而得的发光装置的发光特性提高。
[0018]作为该理由，详细的机理尚不明确，但是认为通过兼顾将中值粒径设为10μm～20μm的范围以及将对波长600nm的光的扩散反射率设为93％～99％，从而荧光体粉末的荧光特性提高。
[0019](α型塞隆荧光体粒子)
[0020]含有Eu的α型塞隆荧光体粒子由以下说明的α型塞隆荧光体构成。
[0021]α型塞隆荧光体是由通式：(M1
x
，M2
y
，Eu
z
)(Si
12－(m+n)
Al
m+n
)(O
n
N
16－n
)(其中，M1为1价Li元素，M2为选自Mg、Ca和镧系元素(不包括La和Ce)中的1种以上的2价元素)表示的含有Eu元素的α型塞隆荧光体。
[0022]α型塞隆荧光体的固溶组成由上述通式中的x、y、z以及通过其附随的Si/Al比、O/N比而决定的m和n表示，为0≤x＜2.0，0≤y＜2.0，0＜z≤0.5，0＜x+y，0.3≤x+y+z≤2.0，0＜m≤4.0，0＜n≤3.0。特别是如果使用Ca作为M2，则α型塞隆荧光体在宽广的组成范围稳定化，通过用成为发光中心的Eu取代其一部分，被从紫外到青色的宽广波长区域的光激发，可以得到显示从黄色到橙色的可见发光的荧光体。
[0023]另外，从在照明用途中得到灯泡色的光的观点出发，α型塞隆荧光体优选不包含Li作为固溶组成，或者即使包含也为少量。如果以上述通式来说，则优选为0≤x≤0.1。和/或α型塞隆荧光体中的Li的比率优选为0质量％～1质量％。
[0024]一般而言，α型塞隆荧光体由于与该α型塞隆荧光体不同的第二晶相、不可避免地存在的非晶相，所以不能通过组成分析等来严格地规定固溶组成。作为α型塞隆荧光体的晶相，优选为α型塞隆单相，也可以包含氮化铝或其多型体等作为其他晶相。
[0025]对于α型塞隆荧光体粒子，多个等轴状的一次粒子烧结而形成块状的二次粒子。本实施方式中的一次粒子是指可以用电子显微镜等观察的可以单独存在的最小粒子。α型塞隆荧光体粒子的形状不特别限定。作为形状的例子，可以举出球状体、立方体、柱状体、不定形等。
[0026]本实施方式的荧光体粉末的中值粒径(D
50
)为10μm以上，更优选为12μm以上。另外，本实施方式的荧光体粉末的中值粒径(D
50
)的上限为20μm以下，更优选为18μm以下。本实施方式的荧光体粉末的中值粒径(D
50
)为上述二次粒子的尺寸。
[0027]这里，荧光体粉末的中值粒径(D
50
)是指依据JIS R1629：199的利用激光衍射散射法测定的体积基准的累计分率中的50％粒径。
[0028]本实施方式的荧光体粒子满足将中值粒径(D
50
)设为上述范围以及对波长600nm的光的扩散反射率为93％～99％的条件。扩散反射率可以通过安装有积分球装置的紫外可见分光光度计来测定。应予说明，从进一步提高发光特性的观点出发，对波长600nm的光的扩
散反射率优选为94％～99％，更优选为94％～96％。
[0029]图1是表示以往的荧光体粉末的中值粒径(D
50
)与对波长600nm的光的扩散反射率的关系以及对于本实施方式的荧光体粉末规定的中值粒径(D
50
)和对波长600nm的光的扩散反射率的范围的概念图。
[0030]根据至今积累的关于α型塞隆荧光体的见解，对于以往的α型塞隆荧光体粉末，如果将对波长600nm的光的扩散反射率与中值粒径(D
50
)的关系绘制于图1，则位于图1所示的曲线的附近。与此相对，对于本实施方式的荧光体粉末，发现了通过优化后述的制造方法，在中值粒径(D
50
)为10μm～20μm的范围内将扩散反射率调节为高于以往的93％～99％的范围，本文档来自技高网...

【技术保护点】

【技术特征摘要】
【国外来华专利技术】1.一种荧光体粉末，由含有Eu的α型塞隆荧光体粒子构成，利用激光衍射散射法测定的体积基准的中值粒径即D
50
为10μm～20μm，对波长600nm的光的扩散反射率为93％～99％。2.根据权利要求1所述的荧光体粉末，其中，对波长600nm的光的扩散反射率为94％～99％。3.根据权利要求1或2所述的荧光体粉末，其中，对波长500nm的光的扩散反射率为66％～80％。4.根据权利要求1～3中任一项所述的荧光体粉末，其中，对波长800nm的光的扩散反射率X1与对波长600nm的光的扩散反射率X2之差即X1－X2为3.0％以下，所述扩散反射率X1和扩散反射率X2的单位是％。5.根据权利要求1～4中任一项所述的荧光体粉末，其中，在将用激光衍射散射法测定的体积基准累积10％粒径、体积基准累积90％粒径分别设为D
10
、D
90
时，(D
90
－D
10
)/D
50
为1.0～1.5。6.根据权利要求1～5中任一项所述的荧...

【专利技术属性】
技术研发人员：武田雄介，野见山智宏，高村麻里奈，奥园达也，宫崎胜，渡边真太郎，
申请(专利权)人：电化株式会社，
类型：发明
国别省市：