电化株式会社专利技术

电化株式会社共有1031项专利

  • 绝缘性树脂组合物包含有机材料和无机填料,所述有机材料含有环氧树脂、胺系固化剂、在1分子中具有1个以上羟基的磷酸酯化合物和重金属钝化剂,所述无机填料的含量为50质量%以上95质量%以下。上95质量%以下。上95质量%以下。
  • 提供在不进行检体的预处理操作而使用自动分析装置以两个工序对小而密LDL中的胆固醇进行定量的方法中,抑制保管时的试剂的自然显色的方法及用于该方法的定量试剂盒以及制备方法。一种试剂盒,其特征在于,是被检体试样中的小而密LDL胆固醇定量试剂盒...
  • 一种试剂盒,其为用于识别试样中的sdLDL
  • 绝缘性树脂组合物,其包含有机材料和无机填料,有机材料含有环氧树脂;固化剂;在1分子中具有1个以上羟基的磷酸酯化合物;重金属钝化剂和受阻酚系抗氧化剂,无机填料的含量为50质量%以上95质量%以下。质量%以上95质量%以下。质量%以上95质...
  • 本发明提供一种散布性优异的树脂乳液的散布方法。根据本发明提供一种树脂乳液的散布方法,其具有混合工序和散布工序,在所述混合工序中,将第1液和第2液混合制备混合液,在所述散布工序中,进行所述混合后24小时以内对土壤散布所述混合液,所述第1液...
  • 本发明涉及一种固溶有铕的β型塞隆荧光体粒子。将通过对上述荧光体粒子的截面利用能量分散型X射线分析法进行分析而求出的上述荧光体粒子的表面部分的Si原子的元素浓度设为Ps[at%],将通过利用相同方法进行分析而求出的上述荧光体粒子的中心附近...
  • 本发明涉及一种固溶有铕的β型塞隆荧光体,其中,将根据X射线光电子分光测定得到的、从荧光体的表面起8nm的深度的铝元素的比率设为P8[at%],将从荧光体的表面起80nm的深度的铝元素的比率设为P
  • 对于本发明的散热片(30)而言,使外加了具有60Hz的频率的2.0kV的交流电压的、在尖端部分(231)具备具有3mm的高度及0.75mm的底面直径的圆锥的针状电极(23)按每次10μm来阶段性地侵入,并且在侵入前及各阶段中保持60秒钟...
  • 提供一种粘着带,其具有多孔质基材,即使在采用水类涂敷液作为粘着剂的情况下,也能够抑制透印、且抑制吸音性降低,并且还能够抑制多孔质基材与底漆层的粘接性降低。一种粘着带,其具备:多孔质基材,其单位面积重量为60~150g/m2、厚度为200...
  • 热电转换元件具备:具有第一主面及第二主面的基板;设置在第一主面上的第一电极、n型热电转换层、p型热电转换层及第二电极;设置在第一主面上并覆盖第一电极、n型热电转换层、p型热电转换层及第二电极的密封层以及设置在第二主面上的第一高热传导部、...
  • 热电转换元件的第一热电转换模块具备:具有第一主面及第二主面的第一基板;设置在第一主面上的第一电极、第一n型热电转换层、与第一n型热电转换层接触的第一p型热电转换层及第二电极以及设置在第一主面上的密封层。热电转换元件的一对薄板构件各自具备...
  • 丙烯酸类橡胶,其具有丙烯酸烷基酯单元、交联位点单体单元、下述式(A
  • 本公开的一个方式为提供一种六氟锰酸钾,其由通式:K2MnF6表示,且对于波长310nm的光的漫反射率为20%以上。漫反射率为20%以上。漫反射率为20%以上。
  • 提供下述陶瓷基板,其具备具有由划分线所划分的多个划分部、和对准标记的主面,该主面在比对准标记更靠近主面中心的位置具有至少一条划分线。提供陶瓷基板的制造方法,其包括得到在主面具有对准标记的陶瓷基材的工序,和对主面照射激光而形成将主面划分成...
  • 偏氟乙烯系树脂多层膜,其包含背面层与表面层层叠而成的2层,以表面层的树脂成分总量为基准,表面层含有80质量%以上的偏氟乙烯系树脂,以背面层的树脂成分总量为基准,背面层含有85质量%以上的甲基丙烯酸酯系树脂,相对于背面层的树脂成分合计10...
  • 本发明提供作为部件具有优异的可靠性的陶瓷基板及电路基板。陶瓷基板在主面具有表面粗糙度彼此不同的第1区域和第2区域。第2区域的表面粗糙度Ra2与第1区域的表面粗糙度Ra1之比为1.5以上。电路基板具备陶瓷基板、和与第1区域的至少一部分接合...
  • 本公开的一个方式为提供一种六氟锰酸钾,其由通式:K2MnF6表示,且对于波长550nm的光的漫反射率为60%以上。漫反射率为60%以上。漫反射率为60%以上。
  • [课题]提供一种粘着带,其可降低敲击噪声、摩擦声,可防止由尘埃或灰尘的混入、水或油的浸透所致的被覆物的污染,具有对于刺穿、摩擦的耐久性,捆扎被覆物后容易弯曲。[解决手段]一种粘着带,其为具有包含聚氯乙烯100质量份、相对于上述聚氯乙烯1...
  • 本发明的荧光体板具备包含母材和分散于母材中的荧光体的板状的复合体,母材的主成分为氧化铝,荧光体包含α型塞隆荧光体,在依据JISZ8781-4测定时的L
  • 本发明的荧光体的由M