β型塞隆荧光体粒子和发光装置制造方法及图纸

本发明专利技术涉及一种固溶有铕的β型塞隆荧光体粒子。将通过对上述荧光体粒子的截面利用能量分散型X射线分析法进行分析而求出的上述荧光体粒子的表面部分的Si原子的元素浓度设为Ps[at％]，将通过利用相同方法进行分析而求出的上述荧光体粒子的中心附近的Si原子的元素浓度设为Pc[at％]，此时，Pc－Ps的值为3at％以上。上。上。

【技术实现步骤摘要】
【国外来华专利技术】β
型塞隆荧光体粒子和发光装置


[0001]本专利技术涉及一种β型塞隆荧光体粒子及发光装置。

技术介绍

[0002]已知有使发出一次光的发光元件和吸收一次光并发出二次光的荧光体组合而成的发光装置。
[0003]近年来，伴随着发光装置的高输出化，对荧光体的耐热性和耐久性的要求高涨。因此，晶体结构稳定的β型塞隆荧光体备受关注。
[0004]在β型塞隆的晶体结构内固溶了Eu
2+
的荧光体是被从紫外到蓝色的光激发，显示波长520nm～550nm的绿色发光的荧光体。固溶了Eu
2+
的β型塞隆也被称为Eu固溶β型塞隆。该荧光体用作白色发光二极管(白色LED(Light Emitting Diode))等发光装置的绿色发光成分。Eu固溶β型塞隆在固溶了Eu
2+
的荧光体中发光光谱非常陡峭。因此，Eu固溶β型塞隆是特别适于对由蓝、绿、红光这3种原色构成的窄带域发光有要求的液晶显示器面板的背光灯光源的绿色发光成分的荧光体。
[0005]作为关于β型塞隆荧光体的技术，例如可举出专利文献1中所述的技术。
[0006]专利文献1中记载了一种β型塞隆，是由通式：Si
6－Z
Al
Z
O
Z
N
8－Z
(0＜Z≤0.42)所示且固溶了Eu的β型塞隆，β型塞隆的一次粒子的50％面积平均直径为5μm以上。
[0007]现有技术文献
[0008]专利文献
[0009]专利文献1：国际公开第2012/011444号。

技术实现思路

[0010]近年来，对于β型塞隆荧光体和发光装置，要求亮度的进一步提高。
[0011]本专利技术鉴于这样的情况而完成。本专利技术提供一种亮度得到提高的β型塞隆荧光体及发光装置。
[0012]本专利技术人等为了提高亮度进行了各种研究。并且，研究的结果是完成了以下提供的专利技术。
[0013]根据本专利技术，提供一种β型塞隆荧光体粒子，
[0014]其为固溶有铕的β型塞隆荧光体粒子，
[0015]将通过对上述荧光体粒子的截面利用能量分散型X射线分析法进行分析而求出的上述荧光体粒子的表面部分的Si原子的元素浓度设为Ps[at％]，将通过利用相同方法进行分析而求出的上述荧光体粒子的中心附近的Si原子的元素浓度设为Pc[at％]，此时，Pc－Ps的值为3at％以上。
[0016]另外，根据本专利技术，提供一种发光装置，
[0017]是包含发光光源和波长转换部件的发光装置，
[0018]上述波长转换部件包含荧光体，
[0019]上述荧光体包含上述的β型塞隆荧光体粒子。
[0020]根据本专利技术，本专利技术提供一种亮度得到提高的β型塞隆荧光体粒子及发光装置。
附图说明
[0021]图1是示意性地表示发光装置的结构的一个例子的截面图。
[0022]图2是用于说明能量分散型X射线分析法的测定点的图。
具体实施方式
[0023]以下，参照附图对本专利技术的实施方式详细进行说明。
[0024]附图仅用于说明。附图中的各部件的形状、尺寸比等不必须与现实的物品对应。
[0025]本说明书中，“大致”这样的术语只要没有特别明示的说明，表示包含考虑了制造上的公差、组装上的偏差等而得到的范围。
[0026]＜β型塞隆荧光体粒子＞
[0027]本实施方式的β型塞隆荧光体粒子是固溶有铕的β型塞隆荧光体粒子。
[0028]将对该荧光体粒子的截面用能量分散型X射线分析法(也大致记为EDX法)进行分析而求出的荧光体粒子的表面部分的Si原子的元素浓度设为Ps[at％]，将利用相同方法进行分析而求出的荧光体粒子的中心附近的Si原子的元素浓度设为Pc[at％]，此时，Pc－Ps的值为3at％以上。
[0029]慎重起见如下所述，在本实施方式中，着眼于对将一次粒子或二次粒子(优选为一次粒子)进行切断时的切断面利用EDX法进行分析时的Pc和Ps的关系等。一次粒子是指不会被相当的机械应力压碎的单一粒子。将一次粒子集合而成的凝结物称为二次粒子。
[0030]一次粒子有时存在单晶的情况，也存在多晶的情况。
[0031]本实施方式的β型塞隆荧光体例如是由通式Si
6－z
Al
z
O
z
N
8－z
：Eu
2+
(0＜Z≤4.2)表示的固溶了Eu
2+
的β型塞隆构成的荧光体。以下，将固溶有铕的β型塞隆也简称为β型塞隆。
[0032]在通式Si
6－z
Al
z
O
z
N
8－z
：Eu
2+
中，Z值和铕的含量没有特别限定。Z值例如超过0且为4.2以下，从进一步提高β型塞隆荧光体的发光强度的观点考虑，优选为0.005～1.0。另外，铕的含量优选为0.1质量％～2.0质量％。
[0033]在本实施方式的β型塞隆荧光体粒子中，通过使Pc－Ps的值为3at％以上，即中心附近的Si浓度高，表面部分的Si浓度低，使亮度提高。该理由并不十分明确，例如如下推断。
[0034]基于本专利技术人等的知识，Si倾向于吸收从紫外到可见的宽度广的波长区域的光。因此，特别是如果由于β型塞隆的部分的分解生成的Si、或者由Si形成的化合物存在于荧光体粒子的表面，则推断亮度大幅度地降低。因此，认为如本实施方式那样，通过在荧光体粒子的表面部分，减少对发光没有帮助的Si的量，从而使亮度提高。
[0035]在得到本实施方式的β型塞隆荧光体时，优选在选择适当的原材料的基础上，选择适当的制法。例如通过进行后述的第一煅烧工序和第二煅烧工序这2个阶段的煅烧、和/或作为煅烧后的处理进行酸处理等，从而可得到Pc－Ps的值为3at％以上的β型塞隆荧光体。
[0036]以下，对本实施方式的β型塞隆荧光体粒子，更具体地进行说明。
[0037](对于Ps，Pc)
[0038]Ps优选为20at％～35at％，更优选为22at％～35at％。
[0039]Pc优选为23at％～50at％，更优选为30at％～50at％，进一步优选为35at％～45at％。
[0040]Pc与Ps之差(Pc－Ps)至少为3at％，更优选为至少为5at％，进一步优选至少为6.5at％。通过将Pc与Ps之差设计成足够大，从而可进一步提高亮度。
[0041]从现实设计的观点等考虑，Pc与Ps之差通常最大为20at％，优选最大为17.5at％，更优选最大为15at％。
[0042](Si以外的元素的存在量)
[0043]本实施方式的β型塞隆荧光体粒子为“塞隆”，因此除了Si之外，通常包含Al、O和N。另外，本实施方式的β型塞隆荧光体粒子包含Eu。由通式表示的化学组成如上所述。
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【技术保护点】

【技术特征摘要】
【国外来华专利技术】1.一种β型塞隆荧光体粒子，是固溶有铕的β型塞隆荧光体粒子，将通过对所述荧光体粒子的截面利用能量分散型X射线分析法进行分析而求出的所述荧光体粒子的表面部分的Si原子的元素浓度设为Ps且单位为at％，将通过利用相同方法进行分析而求出的所述荧光体粒子的中心附近的Si原子的元素浓度设为Pc且单位为at％，此时，Pc－Ps的值为3at％以上。2.根据权利要求1所述的β型塞隆荧光体粒子，其中，Pc－Ps的值为5at％～20at％。3.根据权利要求1或2所述的β型塞隆荧光体粒子，其中，Ps为20at％～35at％。4.根据权利要求1～3中任一项所述的β型塞隆荧光体粒子，其中，体积基准的累计分率的50％直径D
V50
为5...

【专利技术属性】
技术研发人员：野见山智宏，小林学，宫崎胜，奥园达也，
申请(专利权)人：电化株式会社，
类型：发明
国别省市：