在某些方面，一种三维(3D)存储器装置包括第一半导体结构、第二半导体结构、第三半导体结构、第一半导体结构和第二半导体结构之间的第一键合界面、以及第二半导体结构和第三半导体结构之间的第二键合界面。第一半导体结构包括NAND存储器串阵列和与...

本申请提供了一种三维存储器及其制备方法。该制备方法包括：在衬底上依次形成牺牲层和叠层结构；形成贯穿叠层结构并延伸至牺牲层的沟道结构和栅极缝隙结构、以及贯穿叠层结构并延伸至衬底的虚设沟道结构，其中，沟道结构包括沟道层和功能层；去除衬底和虚...

本申请公开了一种用于晶圆激光退火的挡光环及其制备方法，属于半导体晶圆技术领域，该制备方法包括：对石英玻璃的上表面进行抛光处理后，采用激光隐形切割方式对石英玻璃进行切割，得到挡光环粗品；对挡光环粗品的下表面进行表面磨制，再对挡光环粗品的内...

在某些方面，一种三维(3D)存储器装置包括第一半导体结构、第二半导体结构、第三半导体结构、第一半导体结构和第二半导体结构之间的第一键合界面、以及第一半导体结构和第三半导体结构之间的第二键合界面。第一半导体结构包括NAND存储器串阵列和与...

在某些方面，一种(3D)存储器装置包括第一半导体结构、第二半导体结构以及第一半导体结构和第二半导体结构之间的键合界面。第一半导体结构包括存储器单元阵列。第二半导体结构包括存储器单元阵列的第一外围电路。第一外围电路包括第一晶体管。第一半导...

本发明提供了一种闪存存储器的操作方法及装置，操作方法包括：在对所述闪存存储器进行数据操作时，向所述闪存存储器写入操作命令；所述操作命令至少包括地址信息；所述地址信息包括数据地址和补偿特征值；所述闪存存储器包括外围电路和存储单元阵列；所述...

本发明提供了一种三维存储器的制作方法。该方法在形成牺牲层的工艺中，顶层牺牲层对底层牺牲层具有第一刻蚀选择比A，顶层牺牲层对中间牺牲层具有第二刻蚀选择比B，其中，A≤B≤1，且A≠1，从而通过在牺牲层的沉积阶段通过改变材料组分，在湿法刻蚀...

本发明提供一种半导体结构、三维存储器及各自的制备方法，半导体结构的制备方法包括：提供半导体衬底，于半导体衬底上形成叠层结构，叠层结构包括沿X方向划分的存储区及连接区，连接区至少包括第一连接分区及第二连接分区，对第一连接分区的叠层结构进行...

本公开实施例公开了一种存储设备及其操作方法、存储系统。所述操作方法包括：对目标态范围为第i态至第i+k态的存储单元执行第一编程操作，同时对目标态范围为第i+k+1态至第m态的存储单元执行第一编程禁止操作；其中，i+k+1小于或等于m，i...

在某些方面，一种三维(3D)存储器装置包括第一半导体结构、第二半导体结构、第三半导体结构以及第一半导体结构和第二半导体结构之间的第一键合界面。第一半导体结构包括存储器单元阵列。第二半导体结构包括存储器单元阵列的第一外围电路。第一外围电路...

本公开实施例公开了一种半导体结构及其制造方法、存储器，其中，所述半导体结构包括：依次层叠设置的第一半导体层、隔离结构及第二半导体层；至少一个第一器件，所述第一器件的部分结构位于所述第一半导体层中；至少一个第二器件，所述第二器件的部分结构...

本公开提供了一种三维存储器的制备方法，涉及半导体芯片技术领域，旨在实现节约成本，提高工艺均匀性和一致性的效果。改制备方法包括：在衬底中注入离子，以形成剥离层，剥离层将衬底分为沿厚度方向层叠设置的第一衬底部分和第二衬底部分；在第一衬底部分...

本申请实施方式提供了一种三维存储器及其制造方法、存储器系统。三维存储器包括：半导体层；堆叠结构，位于半导体层一侧；沟道结构，在垂直于半导体层的方向上贯穿堆叠结构，并且在垂直于半导体层的同一平面内，沟道结构在堆叠结构远离半导体层的表面处的...

本申请提供了一种三维存储器、三维存储器的制造方法以及存储器系统，该三维存储器包括：堆叠层，包括交替堆叠的第一介质层和导电层；以及沟道结构，穿过堆叠层，并包括由外向内依次设置的第二介质层和阻挡层，其中，第二介质层的介电常数大于或等于3.9...

本公开实施例公开了一种三维存储器及其制作方法、存储器系统，所述三维存储器的制作方法包括：形成由多个绝缘层和多个牺牲层交替层叠的初始堆叠结构；所述初始堆叠结构包括在第一方向并列排布的初始核心区和初始台阶区，所述初始台阶区中设置有初始台阶结...

本公开实施例提供了一种存储系统，包括：至少一个存储器和耦合到所述存储器的存储器控制器，所述存储器包括第一存储模块、第二存储模块和外围电路，所述外围电路与所述第一存储模块和所述第二存储模块耦接；其中，所述第一存储模块为非易失性存储模块，用...

在某些方面中，一种三维(3D)存储器器件包括第一半导体结构、第二半导体结构以及第一半导体结构与第二半导体结构之间的键合界面。第一半导体结构包括NAND存储器串阵列、包括第一晶体管的NAND存储器串阵列的第一外围电路、在NAND存储器串阵...

在某些方面中，一种三维(3D)存储器器件包括第一半导体结构、第二半导体结构以及第一半导体结构与第二半导体结构之间的键合界面。第一半导体结构包括存储器单元阵列、存储器单元阵列的第一外围电路、以及在存储器单元阵列与第一外围电路之间的多晶硅层...

在某些方面，一种三维(3D)存储器装置包括第一半导体结构、第二半导体结构、第三半导体结构、第一半导体结构和第二半导体结构之间的第一键合界面、以及第二半导体结构和第三半导体结构之间的第二键合界面。第一半导体结构包括NAND存储器串阵列和与...

本申请提供了一种半导体结构键合的方法、键合设备、存储器、存储系统。半导体结构包括第一半导体结构和第二半导体结构。半导体结构键合的方法包括：基于第一气体和第二气体，对所述第一半导体结构的第一表面和所述第二半导体结构的第二表面进行表面处理，...