存储设备及其操作方法、存储系统技术方案

本公开实施例公开了一种存储设备及其操作方法、存储系统。所述操作方法包括：对目标态范围为第i态至第i+k态的存储单元执行第一编程操作，同时对目标态范围为第i+k+1态至第m态的存储单元执行第一编程禁止操作；其中，i+k+1小于或等于m，i为正整数，k为自然数，m为大于1的正整数；对目标态范围为第i+k+1态至第i+k+j态的存储单元执行第二编程操作，同时对目标态范围为第i+k+j+1态至第m态的存储单元执行第二编程禁止操作；其中，第二编程操作在第一编程操作之后执行，第二编程操作的编程电压大于第一编程操作的编程电压；i+k+j+1小于或等于m，j为正整数。j为正整数。j为正整数。

【技术实现步骤摘要】
存储设备及其操作方法、存储系统


[0001]本公开实施例涉及但不限于半导体领域，尤其涉及一种存储设备及其操作方法、存储系统。

技术介绍

[0002]NAND存储器作为一种非易失性存储器，具有成本低、容量高、改写速度快等优点。在NAND存储器中，编程方案是提高存储器性能一个重要而又关键的项目，通常采用步进脉冲编程(Incremental Step Pulse Programming，ISSP)的编程方案，即利用逐步增大的编程电压对存储器中待编程的存储单元进行编程。
[0003]通过采用多态存储技术可提高存储器的存储密度。例如，存储单元(cell)中可以存放2位(2bits)、3位(3bits)甚至4位(4bits)的数据，相应地，存储单元中可包括3个、7个甚至15个的编程态。然而，随着存储单元中编程态的数量增加，对存储单元进行编程所需的功耗增大、编程过程中各存储单元之间的串扰增加。因此，如何降低存储单元编程所需的功耗，减少编程过程中各编程态之间的串扰，成为亟待解决的技术问题。

技术实现思路

[0004]有鉴于此，本公开实施本文档来自技高网...

【技术保护点】

【技术特征摘要】
1.一种存储设备的操作方法，其特征在于，所述操作方法包括：对目标态范围为第i态至第i+k态的存储单元执行第一编程操作，同时对目标态范围为第i+k+1态至第m态的存储单元执行第一编程禁止操作；其中，i+k+1小于或等于m，i为正整数，k为自然数，m为大于1的正整数；对目标态范围为第i+k+1态至第i+k+j态的存储单元执行第二编程操作，同时对目标态范围为第i+k+j+1态至第m态的存储单元执行第二编程禁止操作；其中，第二编程操作在第一编程操作之后执行，第二编程操作的编程电压大于第一编程操作的编程电压；i+k+j+1小于或等于m，j为正整数。2.根据权利要求1所述的操作方法，其特征在于，在执行所述第一编程操作之后，所述操作方法还包括：执行第一编程验证操作，获得第一验证结果；其中，所述第一验证结果至少包括对目标态为第i态的存储单元进行编程验证的验证子结果；在所述验证子结果指示目标态为第i态的存储单元编程通过时，对目标态范围为第i+1态至第i+k+1态的存储单元执行第三编程操作，同时对第1态至第i态的存储单元执行第三编程禁止操作；其中，所述第三编程操作的编程电压大于所述第一编程操作的编程电压，所述第三编程操作的编程电压小于或等于所述第二编程操作的编程电压。3.根据权利要求2所述的操作方法，其特征在于，在所述验证子结果指示目标态为第i态的存储单元编程未通过时，对目标态范围为第i态至第i+k态的存储单元执行第四编程操作，同时对目标态范围为第i+k+1态至第m态的存储单元执行第四编程禁止操作；其中，所述第四编程操作的编程电压大于所述第一编程操作的编程电压，所述第四编程操作的编程电压小于所述第三编程操作的编程电压。4.根据权利要求2所述的操作方法，其特征在于，所述执行第一编程验证操作，包括：至少对耦合至目标态范围为第i态的存储单元的字线施加第一编程验证电压；在执行所述第二编程操作之后，所述操作方法还包括：执行第二编程验证操作，包括：对耦合至目标态范围为第i+k+1态至第i+k+j态中的至少一个目标态的存储单元的字线施加第二编程验证电压；其中，所述第二编程验证电压大于所述第一编程验证电压。5.根据权利要求1所述的操作方法，其特征在于，所述对目标态范围为第i+k+1态至第i+k+j态的存储单元执行第二编程操作，包括：在施加的编程脉冲数大于或等于第i+1态的第一预设值时，对目标态范围为第i+k+1态至第i+k+j态的存储单元执行所述第二编程操作，同时对目标态范围为第i...

【专利技术属性】
技术研发人员：赵利川，杜智超，王瑜，
申请(专利权)人：长江存储科技有限责任公司，
类型：发明
国别省市：