校准读取电压电平的集成命令制造技术

本申请涉及一种校准读取电压电平的集成命令。存储器装置中的处理逻辑接收执行具有对应于与所述存储器装置相关联的编程分布的读取电压电平的读取操作集合的命令。确定存储器位计数集合，其中每一存储器位计数对应于与所述读取操作集合的所述多个读取电压电平相关联的仓集合中的相应仓。确定具有所述存储器位计数集合中的最小存储器位计数的谷值中心仓。所述处理逻辑确定所述谷值中心仓的所述最小存储器位计数满足条件，且响应于满足所述条件而识别与所述谷值中心仓相关联的经调整读取电压电平。电压电平。电压电平。

【技术实现步骤摘要】
校准读取电压电平的集成命令


[0001]本公开的实施例大体上涉及存储器子系统，且更确切地说涉及用以校准存储器子系统中的读取电压电平的集成命令的执行。

技术介绍

[0002]存储器子系统可包含存储数据的一或多个存储器装置。存储器装置可例如为非易失性存储器装置和易失性存储器装置。一般来说，主机系统可利用存储器子系统以在存储器装置处存储数据且从存储器装置检索数据。

技术实现思路

[0003]本公开的一方面提供一种存储器装置，其包括：存储器阵列，其包括存储器胞元集合；和处理逻辑，其操作性地与存储器阵列耦合，以执行包括以下的操作：从存储器子系统控制器接收在对应于与存储器装置相关联的编程分布的多个读取电压电平下执行读取操作集合的命令；响应于命令而确定存储器位计数集合，其中每一存储器位计数对应于与读取操作集合的多个读取电压电平相关联的仓集合中的相应仓；响应于命令而识别具有存储器位计数集合中的最小存储器位计数的谷值中心仓；响应于命令而确定谷值中心仓的最小存储器位计数满足条件；及响应于命令，响应于满足条件而识别与谷值中心仓相关联的经调整读取电压电本文档来自技高网...

【技术保护点】

【技术特征摘要】
1.一种存储器装置，其包括：存储器阵列，其包括存储器胞元集合；和处理逻辑，其操作性地与所述存储器阵列耦合，以执行包括以下的操作：从存储器子系统控制器接收在对应于与所述存储器装置相关联的编程分布的多个读取电压电平下执行读取操作集合的命令；响应于所述命令而确定存储器位计数集合，其中每一存储器位计数对应于与所述读取操作集合的所述多个读取电压电平相关联的仓集合中的相应仓；响应于所述命令而识别具有所述存储器位计数集合中的最小存储器位计数的谷值中心仓；响应于所述命令而确定所述谷值中心仓的所述最小存储器位计数满足条件；及响应于所述命令，响应于满足所述条件而识别与所述谷值中心仓相关联的经调整读取电压电平。2.根据权利要求1所述的存储器装置，其中当所述谷值中心仓的所述最小存储器位计数小于谷值容限阈值时满足所述条件。3.根据权利要求1所述的存储器装置，所述操作进一步包括：基于所述谷值中心仓的所述最小存储器位计数及与一或多个额外仓相关联的一或多个额外存储器位计数而确定聚合存储器位计数。4.根据权利要求3所述的存储器装置，所述操作进一步包括将所述聚合存储器位计数与谷值容限阈值进行比较以确定是否满足所述条件。5.根据权利要求1所述的存储器装置，其中所述仓集合中的每一仓对应于所述多个读取电压电平中的邻近读取电压电平对之间的一或多个编程分布的部分。6.根据权利要求1所述的存储器装置，所述操作进一步包括将识别所述经调整读取电压电平的信息发送到所述存储器子系统控制器，其中所述存储器子系统控制器在与所述存储器装置相关联的后续校准扫描中应用所述经调整读取电压电平。7.根据权利要求1所述的存储器装置，其中所述多个读取电压电平包括默认读取电压电平、一或多个较低偏移读取电压电平及一或多个较高偏移读取电压电平。8.一种存储器装置，其包括：存储器阵列，其包括存储器胞元集合；和处理逻辑，其操作性地与所述存储器阵列耦合，以执行包括以下的操作：接收校准扫描命令；响应于所述校准扫描命令而致使在多个读取电压电平下对所述存储器装置执行读取操作集合；响应于所述校准扫描命令而识别位计数集合，其中所述位计数集合中的每一位计数对应于与所述多个读取电压电平相关联的仓集合中的相应仓；及基于对应于所述仓集合中的每一仓的所述位计数而识别具有最低位计数的仓。9.根据权利...

【专利技术属性】
技术研发人员：E，
申请(专利权)人：美光科技公司，
类型：发明
国别省市：