【技术实现步骤摘要】
存储装置、存储控制器以及存储控制器的操作方法
[0001]本申请基于并要求于2021年8月31日在韩国知识产权局提交的第10
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2021
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0115702号韩国专利申请的优先权，所述韩国专利申请的公开通过引用全部包含于此。
[0002]本公开涉及存储器装置，并且更具体地，涉及存储控制器、包括存储控制器的存储装置以及存储控制器的操作方法。
技术介绍
[0003]作为非易失性存储器，即使当断电时，闪存也可保留存储的数据。最近，包括闪存(诸如，嵌入式多媒体卡(eMMC)、通用闪存(UFS)、固态驱动器(SSD)和存储卡)的存储装置已被广泛使用，并且存储装置用于存储或移动大量数据。存在对能够提高存储装置的性能和可靠性的方法和设备的持续需求。
技术实现思路
[0004]一个方面提供一种能够通过动态地调整存储历史读取电平或历史读取电平偏移的历史缓冲器来提高读取可靠性和性能的存储装置、存储控制器以及存储控制器的操作方法。
[0005]根据一个或多个实施例的一个方面，提供了...
【技术保护点】
【技术特征摘要】
1.一种存储装置，包括：非易失性存储器，包括多个存储器块；和存储控制器，包括历史缓冲器，历史缓冲器包括与所述多个存储器块对应的多个历史读取电平存储区域，存储控制器被配置为在所述存储装置的运行时间期间基于所述多个存储器块的可靠性来动态地调整分配给所述多个存储器块之中的至少一个存储器块的所述多个历史读取电平存储区域的数量，其中，存储控制器被配置为：增加分配给所述多个存储器块中的第一存储器块的历史读取电平存储区域的数量，第一存储器块相对于所述多个存储器块中的其余存储器块的可靠性具有相对低的可靠性。2.根据权利要求1所述的存储装置，其中，所述多个存储器块中的至少一个具有堆叠N个堆叠件的N堆叠结构，其中，N是2或更大的正整数。3.根据权利要求1所述的存储装置，其中，包括在历史缓冲器中的历史读取电平存储区域的数量是固定的，并且被分配给所述多个存储器块的一部分中的每个的历史读取电平存储区域的数量是可变的。4.根据权利要求1所述的存储装置，其中，存储控制器还被配置为：减少分配给所述多个存储器块之中的第二存储器块的历史读取电平存储区域的数量，第二存储器块相对于所述多个存储器块中的其余存储器块的可靠性具有相对高的可靠性。5.根据权利要求4所述的存储装置，其中，存储控制器还被配置为：将分配给第二存储器块的第一历史读取电平存储区域分配给第一存储器块。6.根据权利要求4所述的存储装置，其中，存储控制器还被配置为：通过使用默认读取电平来对第二存储器块执行读取操作。7.根据权利要求1所述的存储装置，其中，存储控制器还包括：块可靠性检测器，被配置为检测所述多个存储器块的可靠性；和历史缓冲器控制器，被配置为基于可靠性来动态地控制历史缓冲器。8.根据权利要求1至7中的任意一项所述的存储装置，其中，存储控制器还被配置为：在没有接收来自主机的读取请求的情况下，通过使用默认读取电平对所述多个存储器块执行后台读取操作，并且根据后台读取操作的结果来检测所述多个存储器块的可靠性。9.根据权利要求8所述的存储装置，其中，存储控制器还被配置为：确定来自所述多个存储器块之中的后台读取操作已经失败的第三存储器块的可靠性相对低，并且增加分配给第三存储器块的历史读取电平存储区域的数量。10.根据权利要求9所述的存储装置，其中，存储控制器还被配置为：通过使用校正的读取电平对第三存储器块执行读取重试操作，并且当读取重试操作成功时，将校正的读取电平存储在历史缓冲器中作为第三存储器块的历史读取电平。11.根据权利要求1至7中的任意一项所述的存储装置，其中，存储控制器还被配置为：基于从主机接收的读取请求，通过使用默认读取电平对来自所述多个存储器块之中的选择的存储器块执行正常读取操作，当正常读取操作失败时，通过使用校正的读取电平对选择的存储器块执行读取重试操作，并且
根据正常读取操作或读取重试操作的结果来检测选择的存储器块的可靠性。12.根据权利要求11所述的存储装置，其中，存储控制器还被配置为：当选择的存储器块的正常读取操作已经失败时，确定选择的存储器块的可靠性相对低，并且增加分配给选择的存储器块的历史读取电平存储区域的数量。...
【专利技术属性】
技术研发人员：李侊祐，柳尚辰，金妍智，朴正根，李静雨，
申请(专利权)人：三星电子株式会社，
类型：发明
国别省市：
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