本公开涉及存储器装置中的联合单层级单元验证。存储器装置中的控制逻辑识别存储器阵列的块中的存储器单元集，其中所述存储器单元集包括在编程操作的编程阶段期间被编程并且与所述存储器阵列的选定字线相关联的两个或更多个存储器单元。所述控制逻辑另外致使在所述编程操作的编程验证阶段期间将编程验证电压施加到所述选定字线；和对所述存储器单元集执行并行感测操作以确定所述存储器单元集中的每一存储器单元是否在所述编程操作的所述编程阶段期间被编程到至少所述编程验证电压。编程阶段期间被编程到至少所述编程验证电压。编程阶段期间被编程到至少所述编程验证电压。
【技术实现步骤摘要】
存储器装置中的联合单层级单元验证
[0001]本公开的实施例体上涉及存储器子系统，且更具体地说，涉及存储器子系统的存储器装置中的联合单层级单元(SLC)验证。
技术介绍
[0002]存储器子系统可以包含存储数据的一或多个存储器装置。存储器装置可为例如非易失性存储器装置和易失性存储器装置。一般来说，主机系统可利用存储器子系统以在存储器装置处存储数据且从存储器装置检索数据。
技术实现思路
[0003]根据本公开的一方面，提供一种存储器装置。所述存储器装置包括：存储器阵列；和控制逻辑，其以可操作方式与所述存储器阵列耦合以执行包括以下操作的操作：识别所述存储器阵列的块中的存储器单元集，其中所述存储器单元集包括在编程操作的编程阶段期间被编程并且与所述存储器阵列的选定字线相关联的两个或更多个存储器单元；致使在所述编程操作的编程验证阶段期间将编程验证电压施加到所述选定字线；和对所述存储器单元集执行并行感测操作以确定所述存储器单元集中的每一存储器单元是否在所述编程操作的所述编程阶段期间被编程到至少所述编程验证电压。
[0004]根据本公开的另一方面，提供一种方法。所述方法包括：识别存储器阵列的块中的存储器单元集，其中所述存储器单元集包括在编程操作的编程阶段期间被编程并且与所述存储器阵列的选定字线相关联的两个或更多个存储器单元；致使在所述编程操作的编程验证阶段期间将编程验证电压施加到所述选定字线；和对所述存储器单元集执行并行感测操作以确定所述存储器单元集中的每一存储器单元是否在所述编程操作的所述编程阶段期间被编程到至少所述编程验证电压。
[0005]根据本公开的又一方面，提供一种存储器装置。所述存储器装置包括：存储器阵列；和控制逻辑，其以可操作方式与所述存储器阵列耦合以执行包括以下操作的操作：在所述存储器阵列上发起编程操作，所述编程操作包括编程阶段和编程验证阶段；和致使在所述编程阶段期间将具有编程电压电平的双重脉冲施加至所述存储器阵列的选定字线以编程与所述选定字线相关联的一对存储器单元；和致使在所述编程验证阶段期间将具有编程验证电压电平的单个脉冲施加至所述存储器阵列的所述选定字线以并行验证所述对存储器单元在所述编程操作的所述编程阶段期间被编程到至少所述编程验证电压电平。
附图说明
[0006]根据下文提供的具体实施方式和本公开的各种实施例的附图将更加充分地理解本公开。
[0007]图1A说明根据本公开的一些实施例的包含存储器子系统的实例计算系统。
[0008]图1B是根据本公开的一些实施例的与存储器子系统的存储器子系统控制器通信
的存储器装置的框图。
[0009]图2是根据本公开的一些实施例的可用于参考图1B所描述的类型的存储器中的存储器单元阵列的部分的示意图。
[0010]图3A是根据本公开的一些实施例的实施联合单层级单元(SLC)验证的存储器单元阵列的部分的示意图。
[0011]图3B是说明根据本公开的一些实施例的在联合单层级单元(SLC)验证期间施加至存储器阵列的各种信号的信号图。
[0012]图4是根据本公开的一些实施例的存储器子系统的存储器装置中的联合单层级单元(SLC)验证的实例方法的流程图。
[0013]图5是其中可操作本公开的实施例的实例计算机系统的框图。
具体实施方式
[0014]本公开的方面针对于存储器子系统的存储器装置中的联合单层级单元(SLC)验证。存储器子系统可以是存储装置、存储器模块，或存储装置和存储器模块的混合。下文结合图1描述存储装置和存储器模块的实例。一般来说，主机系统可利用包含一或多个组件(例如存储数据的存储器装置)的存储器子系统。主机系统可提供数据以存储于存储器子系统处，且可请求从存储器子系统检索数据。
[0015]存储器子系统可以包含高密度非易失性存储器装置，其中当没有电力被供应到存储器装置时需要数据的保持。举例来说，例如3D快闪NAND存储器等NAND存储器以紧凑的高密度配置的形式提供存储。非易失性存储器装置是一或多个裸片的封装，每一裸片包含一或多个平面。对于一些类型的非易失性存储器装置(例如，NAND存储器)，每一平面由物理块集组成。每一块包含页集。每一页由一组存储器单元(“单元”)构成。单元是存储信息的电子电路。取决于单元类型，单元可存储一或多个二进制信息位，且具有与所存储的位数相关的各种逻辑状态。逻辑状态可以由二进制值(例如，“0”和“1”或这类值的组合)表示。
[0016]存储器装置可由按二维或三维网格布置的位组成。存储器信元蚀刻到列(下文也称为位线)和行(下文也称为字线)的阵列中的硅晶片上。字线可以指存储器装置的存储器单元的一或多个行，所述一或多个行与一或多个位线一起使用以生成存储器单元中的每一个的地址。位线和字线的相交点构成存储器信元的地址。下文中，块是指用于存储数据的存储器装置的单元，并且可以包含存储器单元的群组、字线群组、字线或个别存储器单元。可将一或多个块分组在一起以形成存储器装置的单独分区(例如，平面)，以便允许在每一平面上进行并行操作。
[0017]在非易失性存储器装置上的编程操作期间，可能遇到某些阶段，包含编程和编程验证。举例来说，高编程电压可在编程阶段期间施加到存储器装置的块的选定字线，接着是其中将验证电压施加到选定字线的编程验证阶段。某些编程操作可能是例如其中在一个操作中将两个子块编程的双重编程操作。在这类双重编程操作中，可在进行编程验证阶段之前将两个子块编程(即，可施加两个单独编程脉冲)。取决于实施方案，某些存储器装置可在后续编程验证阶段期间利用双重验证操作或无缝验证操作。在双重验证操作中，编程验证电压以两个单独脉冲施加至选定字线，在所述两个单独脉冲中的每一个期间，通过单独地激活将子块连接到共同位线的相应选择栅极装置来感测对应子块中的电流(即，穿过形成
子块的存储器串的电流)。因此，存在与两个单独脉冲(和对应感测操作)相关联的时延，包含与使编程验证电压斜升和斜降两次有关的额外时间。在无缝验证操作中，编程验证电压施加至选定字线仅一次，且连续地感测两个子块中的电流(即，通过首先激活一个选择栅极装置并且接着激活另一选择栅极装置)。因此，在两个单独感测操作下仍存在时延，不过通过使编程验证电压斜升和斜降仅一次略微降低了时延。然而，总时延仍会增加编程操作的长度，在高优先级的时间敏感性操作(如单层级单元(SLC)编程操作)中可能尤其明显。
[0018]本公开的方面通过实施存储器子系统的存储器装置中的联合单层级单元(SLC)验证来解决以上和其它缺陷。在联合SLC验证操作中，存储器装置中的控制逻辑可同时(即，在时间上至少部分地重叠)验证使用单个感测操作用来自两个单独页的数据成功地编程了两个单独子块中的存储器单元。当在单个编程操作中编程多个子块时，控制逻辑可在后续编程验证阶段期间并行(例如，同时)启用对应于这两个子块的存储器串。由于块中的字线(包含正被编程的选定字线和未被选字线两者)对两个子块来说是共同的，因此在加偏压到字线时无需改变。由于形成这两个本文档来自技高网...
【技术保护点】
【技术特征摘要】
1.一种存储器装置，其包括：存储器阵列；和控制逻辑，其以可操作方式与所述存储器阵列耦合以执行包括以下操作的操作：识别所述存储器阵列的块中的存储器单元集，其中所述存储器单元集包括在编程操作的编程阶段期间被编程并且与所述存储器阵列的选定字线相关联的两个或更多个存储器单元；致使在所述编程操作的编程验证阶段期间将编程验证电压施加到所述选定字线；和对所述存储器单元集执行并行感测操作以确定所述存储器单元集中的每一存储器单元是否在所述编程操作的所述编程阶段期间被编程到至少所述编程验证电压。2.根据权利要求1所述的存储器装置，其中所述控制逻辑将另外执行包括以下操作的操作：执行所述编程操作的所述编程阶段；和响应于所述编程操作的所述编程阶段完成，发起所述编程操作的所述编程验证阶段。3.根据权利要求1所述的存储器装置，其中所述存储器单元集中的两个或更多个存储器单元各自与所述存储器阵列的所述块的相邻子块相关联。4.根据权利要求1所述的存储器装置，其中所述存储器单元集中的所述两个或更多个存储器单元各自与所述存储器阵列的不同的相应存储器串相关联。5.根据权利要求4所述的存储器装置，其中执行所述并行感测操作包括：并行激活耦合于所述存储器阵列的每一相应存储器串与共享位线之间的相应选择栅极装置；和感测来自所述共享位线的电流是否流过每一相应存储器串。6.根据权利要求5所述的存储器装置，其中如果所述存储器单元集中的每一存储器单元在所述编程操作的所述编程阶段期间被编程到至少所述编程验证电压，那么来自所述共享位线的所述电流不流过每一相应存储器串。7.根据权利要求1所述的存储器装置，其中所述控制逻辑将另外执行包括以下操作的操作：响应于确定所述存储器单元集中的每一存储器单元在所述编程操作的所述编程阶段期间不被编程到至少所述编程验证电压，使计数器递增；和确定在所述存储器阵列的所述块中是否存在在所述编程操作的所述编程阶段期间被编程的一或多个额外存储器单元集。8.根据权利要求7所述的存储器装置，其中所述控制逻辑将另外执行包括以下操作的操作：响应于确定在所述存储器阵列的所述块中不存在在所述编程操作的所述编程阶段期间被编程的任何额外存储器单元集，确定所述计数器是否满足阈值准则；和响应于确定所述计数器满足阈值准则，确定所述存储器阵列的所述块已通过所述编程操作的所述编程验证阶段。9.一种方法，其包括：识别存储器阵列的块中的存储器单元集，其中所述存储器单元集包括在编程操作的编程阶段期间被编程并且与所述存储器阵列的选定字线相关联的两个或更多个存储器单元；
致使在所述编程操作的编程验证阶段期间将编程验证电压施加到所述选定字线；和对所述存储器单元集执行并行感测操作以确定所述存储器单元集中的每一存储器单元是否在所述编程操作的所述编程阶段期间被编程到至少所述编程验证电压。10.根据权利要求9所述的方法，其另外包括：执行所述编程操作的所述编程阶段；和响应于所述编程操作的所述编程阶段完成，发起所述编程操作的所述编程验证阶段。11.根据权利要求9所述的方法，其中所...
【专利技术属性】
技术研发人员：E，
申请(专利权)人：美光科技公司，
类型：发明
国别省市：
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