半导体结构及其制造方法、存储器、存储器系统技术方案

本公开实施例公开了一种半导体结构及其制造方法、存储器，其中，所述半导体结构包括：依次层叠设置的第一半导体层、隔离结构及第二半导体层；至少一个第一器件，所述第一器件的部分结构位于所述第一半导体层中；至少一个第二器件，所述第二器件的部分结构位于所述第二半导体层中。半导体层中。半导体层中。

【技术实现步骤摘要】
半导体结构及其制造方法、存储器、存储器系统


[0001]本公开涉及半导体
，具体地，涉及一种半导体结构及其制造方法、存储器、存储器系统。

技术介绍

[0002]作为一种典型的非易失性半导体存储器，NAND(Not
‑
And，与非型)闪存器由于具有较高的存储密度、可控的生产成本、合适的编擦速度及保持特性，已经成为存储市场中的主流产品。然而，半导体存储器还面临诸多的挑战。

技术实现思路

[0003]有鉴于此，本公开实施例提出一种半导体结构及其制造方法、存储器、存储器系统。
[0004]根据本公开的一个方面，提供了一种半导体结构，包括：
[0005]依次层叠设置的第一半导体层、隔离结构及第二半导体层；
[0006]至少一个第一器件，所述第一器件的部分结构位于所述第一半导体层中；
[0007]至少一个第二器件，所述第二器件的部分结构位于所述第二半导体层中。
[0008]上述方案中，所述第一器件的工作电压高于所述第二器件的工作电压。
[0009]上述方案中，所述半导体本文档来自技高网...

【技术保护点】

【技术特征摘要】
1.一种半导体结构，其特征在于，包括：依次层叠设置的第一半导体层、隔离结构及第二半导体层；至少一个第一器件，所述第一器件的部分结构位于所述第一半导体层中；至少一个第二器件，所述第二器件的部分结构位于所述第二半导体层中。2.根据权利要求1所述的半导体结构，其特征在于，所述第一器件的工作电压高于所述第二器件的工作电压。3.根据权利要求2所述的半导体结构，其特征在于，所述半导体结构还包括：连接结构，位于所述第一器件和所述第二器件的一侧且贯穿所述第二半导体层、所述隔离结构以及所述第一半导体层，所述连接结构电连接所述第一器件。4.根据权利要求1所述的半导体结构，其特征在于，所述隔离结构包括气体隔离材料和/或固体隔离材料。5.根据权利要求4所述的半导体结构，其特征在于，所述隔离结构包括气体隔离材料和固体隔离材料；其中，所述第一器件和第二器件在所述隔离结构所在平面的正投影处的隔离结构包括气体隔离材料。6.根据权利要求1所述的半导体结构，其特征在于，所述半导体结构还包括：第一绝缘层，覆盖所述第一半导体层远离所述隔离结构的表面；所述第一器件包括：第一掺杂区、第一栅极结构及与所述第一栅极结构、所述第一掺杂区均电连接的第一互连结构，所述第一掺杂区位于所述第一半导体层中，所述第一栅极结构及所述第一互连结构均位于所述第一绝缘层中对应所述第一掺杂区的位置处。7.根据权利要求1所述的半导体结构，其特征在于，所述半导体结构还包括：第二绝缘层，覆盖所述第二半导体层远离所述隔离结构的表面；所述第二器件包括：第二掺杂区、第二栅极结构及与所述第二栅极结构、所述第二掺杂区均电连接的第二互连结构，所述第二掺杂区位于所述第二半导体层中，所述第二栅极结构及所述第二互连结构均位于所述第二绝缘层中对应所述第二掺杂区的位置处。8.一种存储器，其特征在于，包括：存储器阵列以及与所述存储器阵列耦接的外围电路；其中，所述外围电路包括如权利要求1至7中任意一项所述的半导体结构。9.一种存储器系统，其特征在于，包括：一个或多个如权利要求8所述的存储器；以及存储器控制器，其与所述存储器耦接并控制所述存储器。10.一种半导体结构的制造方法，其特征在于，包括：提供基底结构，所述基底结构包括相对设置的第一表面和第二表面，所述第一表面处形成有至少一个第一器件；从所述第二表面减薄所述基底结构；在减薄后的第二表面上形成第二半导体层；在所述第二半导体层中形成至少一个第二器件；在基底结构和所述第二半导体层之间形成隔离结构。11.根据权利要求10所述的半导体结构的制造方法，...

【专利技术属性】
技术研发人员：陈赫，胡思平，华子群，石艳伟，
申请(专利权)人：长江存储科技有限责任公司，
类型：发明
国别省市：