【技术实现步骤摘要】
包含具有重复图案的电介质结构的存储器装置
[0001]本文描述的实施例涉及存储器装置，所述存储器装置包含邻近存储器块之间的电介质结构以及在存储器装置的阶梯区处的支撑结构。
技术介绍
[0002]存储器装置(例如，快闪存储器装置)中的组件的结构的尺寸相对小(例如，纳米大小)。在某一尺寸，在存储器装置的制造期间存储器装置的一些结构中可发生塌陷。一些常规技术使用额外化学工艺步骤以防止此类塌陷。然而，额外步骤会增加制造存储器装置的成本。
技术实现思路
附图说明
[0003]图1示出根据本文所描述的一些实施例的呈存储器装置的形式的设备。
[0004]图2示出根据本文中描述的一些实施例的呈具有存储器单元阵列和存储器单元块的存储器装置形式的设备的示意图。
[0005]图3A示出根据本文中描述的一些实施例的包含存储器单元阵列、阶梯区和存储器单元块之间的电介质结构的图2的存储器装置的结构的俯视图。
[0006]图3B示出图3A的存储器装置的一部分(例如，侧视图)。
[0007]图4至图7示出根据本...
【技术保护点】
【技术特征摘要】
1.一种设备，其包括：彼此上下地定位的多个第一层次，所述第一层次包含相应第一存储器单元和用于所述存储器单元的第一控制栅极，所述第一存储器单元沿着相应第一柱定位，所述第一柱延伸穿过所述第一层次；彼此上下地定位的多个第二层次，所述第二层次包含相应第二存储器单元和用于所述存储器单元的第二控制栅极，所述第二存储器单元沿着相应第二柱定位，所述第二柱延伸穿过所述第二层次；以及电介质结构，其形成于所述第一层次与所述第二层次之间的狭缝中，所述电介质结构包含沿着所述狭缝的长度且邻近于所述第一层次的边缘，其中所述边缘具有形状的重复图案。2.根据权利要求1所述的设备，其中所述电介质结构的所述边缘是第一边缘，且其中所述电介质结构包含沿着所述狭缝的所述长度且邻近于所述第二层次的第二边缘，且所述第二边缘具有形状的所述重复图案。3.根据权利要求1所述的设备，其中所述形状包含Z形形状。4.根据权利要求1所述的设备，其中所述重复图案包含弯曲片段。5.根据权利要求1所述的设备，其中所述重复图案包含第一片段和连接到所述第一片段的第二片段，且所述第一片段与所述第二片段之间的角度大于零且小于180度。6.根据权利要求1所述的设备，其中所述第一控制栅极包含共同形成阶梯结构的相应部分，其中所述电介质结构的所述边缘包含邻近于所述阶梯结构的部分。7.一种设备，其包括：彼此上下地定位的多个层次，所述层次包含相应存储器单元和用于所述存储器单元的控制栅极，所述存储器单元沿着相应柱定位，所述柱在从所述层次当中的一个层次到另一层次的方向上延伸；导电接触件，其接触所述控制栅极，所述导电接触件具有在与所述柱相同的方向上延伸的不同长度；以及支撑结构，其邻近于所述导电接触件且与所述控制栅极和所述导电接触件电学分离，所述支撑结构在与所述导电接触件相同的方向上延伸，其中所述支撑结构中的一个具有垂直于所述支撑结构的长度的横截面，且所述横截面具有非圆形形状。8.根据权利要求7所述的设备，其中所述非圆形形状是多边形。9.根据权利要求7所述的设备，其中所述非圆形形状包含笔直片段以及连接到所述笔直片段的弯曲片段。10.根据权利要求7所述的设备，其中所述非圆形形状是椭圆形。11.根据权利要求7所述的设备，其中所述控制栅极包含共同形成阶梯结构的相应部分，且所述导电接触件在所述阶梯结构的位置处接触所述控制栅极。12.根据权利要求7所述的设备，其中所述支撑结构具有相同长度，且所述导电接触件具有不同长度。13.一种设备，其包括：存储器单元块，其包含与导电材料层级交错的电介质材料层级，所述导电材料层级形成用于所述存储器单元的控制栅极，所述导电材料层级包含共同形成阶梯结构的相应部
分；导电接触件，其在所述阶梯结构的位置处接触所述导电材料层级，所述导电接触件具有在从所述电介质材料层级当中的一个层...
还没有人留言评论。发表了对其他浏览者有用的留言会获得科技券。