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本公开实施例公开了一种半导体结构及其制造方法、存储器，其中，所述半导体结构包括：依次层叠设置的第一半导体层、隔离结构及第二半导体层；至少一个第一器件，所述第一器件的部分结构位于所述第一半导体层中；至少一个第二器件，所述第二器件的部分结构位于...
该专利属于长江存储科技有限责任公司所有，仅供学习研究参考，未经过长江存储科技有限责任公司授权不得商用。

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