【技术实现步骤摘要】
半导体存储装置
相关申请本申请享受2021年09月06日提交的日本专利申请第2021
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144829号为基础申请的优先权。本申请通过参照该基础申请而包括基础申请的全部内容。
[0001]实施方式涉及半导体存储装置。
技术介绍
[0002]作为能够非易失地存储数据的半导体存储装置，已知有NAND闪速存储器。在该NAND闪速存储器这样的半导体存储装置中，为高集成化、大容量化而采用三维的存储器构造。
技术实现思路
[0003]实施方式抑制半导体存储装置的成品率的降低。
[0004]实施方式的半导体存储装置具备：沿第一方向按照基板、第一导电体层、第二导电体层的顺序排列且彼此分离地设置的基板、第一导电体层及第二导电体层；第一半导体膜，沿上述第一方向延伸而与上述第一导电体层相交，与上述第二导电体层相接；以及第一电荷储存膜，设置于上述第一半导体膜与上述第一导电体层之间，与上述第二导电体层相接，上述第一半导体膜在与上述第一导电体层相同的高度处含有由n型半导体构成的部分。
附图说明
【技术保护点】
【技术特征摘要】
1.一种半导体存储装置，其具备：沿第一方向以基板、第一导电体层、第二导电体层的顺序排列且彼此分离地设置的基板、第一导电体层及第二导电体层；第一半导体膜，沿所述第一方向延伸而与所述第一导电体层相交，与所述第二导电体层相接；以及第一电荷储存膜，设置于所述第一半导体膜与所述第一导电体层之间，与所述第二导电体层相接，所述第一半导体膜在与所述第一导电体层相同的高度处包含由n型半导体构成的部分。2.根据权利要求1所述的半导体存储装置，其中，所述半导体存储装置还包括第三导电体层，其在沿着所述第一方向的所述基板与所述第一导电体层之间，与所述基板及所述第一导电体层彼此分离地设置，与所述第一半导体膜及所述第一电荷储存膜相交，与所述第三导电体层相同的高度处的所述第一半导体膜的杂...
【专利技术属性】
技术研发人员：坂田晃一，荒井伸也，桥本晋，美浓明良，冈田俊祐，中塚圭祐，
申请(专利权)人：铠侠股份有限公司，
类型：发明
国别省市：
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