本发明实施例公开了一种存储设备及其控制装置和控制方法，存储设备还包括多个存储单元，控制装置包括：执行模块，执行模块用于执行第一操作并于第一操作阶段时，产生第一时钟控制信号；时钟模块，时钟模块用于根据第一时钟控制信号将时钟频率切换为小于预...

本发明实施例公开了一种存储设备及其控制装置和控制方法，存储设备还包括多个存储单元，控制装置包括：检测模块，检测模块用于在检测到执行第一编程操作的第一存储单元的峰值电流处于第i电流区间时，产生第i时钟控制信号；时钟模块，时钟模块用于根据第...

本发明实施例公开了一种存储设备及其控制方法和控制装置，存储设备包括多个存储芯片，控制方法包括：如果接收到至少两个第一操作指令，确定与至少两个第一操作指令对应的至少两个待操作存储芯片；控制至少两个待操作存储芯片分时执行对应的第一操作指令。...

本发明公开了一种存储器及存储设备，其中存储器包括：存储模块，存储模块包括至少一个第一物理块，第一物理块包括至少一个故障页和多个正常页，第一物理块的正常页用于存储一次性可编程数据；控制模块，控制模块与存储模块电连接，用于将所述一次性可编程...

本发明实施例公开了一种存储单元的擦除验证方法、装置、计算机设备及存储介质。所述方法包括：在确定产生对存储块的擦除验证需求时，获取所述存储块的当前擦除循环统计结果；查询与所述当前擦除循环统计结果匹配的擦除验证方式对所述存储块中每个存储单元...

本发明提供一种放大器电路，涉及电子领域。所述放大器电路包括：折叠共源共栅输入模块、浮动电流源闭环模块、偏置电路模块以及输出模块；折叠共源共栅输入模块用于为放大器电路提供输入信号；浮动电流源闭环模块用于抑制输出阻抗降低以及控制放大器输出级...

本发明提供一种Nand闪存，包括：读数据处理电路的输入端与第一数据通道相连，寄存器的信号传输端与第二数据通道相连，多个数据传输电路的一端分别与第一数据通道相连，多个数据传输电路的另一端分别与第二数据通道相连，当读数据处理电路需要读第一寄...

本发明提供一种eMMC测试方法和装置，包括：向eMMC所属的设备发送开始测试指令，以使该设备根据开始测试指令向eMMC写入固件程序；确定该固件程序是否完全写入eMMC；若确定该固件程序完全写入eMMC，则执行第一测试用例，以对eMMC进...

本发明实施例公开了一种数据搬移的恢复方法、装置、电子设备及存储介质。该方法包括：获取自由存储块头表和自由存储块链表；数据搬移的目标存储块由自由存储块链表中选取，数据搬移的目标存储块的有效信息在数据搬移完成后会移至自由存储块头表中，数据搬...

本发明实施例公开了一种用户数据搬移的恢复方法、装置、电子设备及存储介质。该方法包括：获取自由存储块链表，查找自由存储块链表，确定是否存在写入数据的第一用户数据存储块和第二用户数据存储块；若仅存在第二用户数据存储块，则将第二用户数据存储块...

本发明实施例公开了一种数据恢复方法、数据恢复装置、电子设备及存储介质。该方法包括：查找自由存储块头表和自由存储块链表，确定是否存在写入数据的缓存存储块；其中，继续使用的缓存存储块以及数据搬移完成后的目标缓存存储块均存储在自由存储块头表的...

本发明实施例公开了一种用户数据搬移的恢复方法、装置、电子设备及存储介质。该方法包括：获取第一自由存储块信息表；查找第一自由存储块信息表，确定是否存在写入数据的用户数据存储块和第一缓存存储块；其中，第一缓存存储块为第二类型缓存存储块；若第...

本发明实施例公开了一种用户数据搬移的恢复方法、装置、电子设备及存储介质。该方法包括：确定数据搬移的目标存储块和源存储块；读取所述目标存储块中最后一个有效数据存储页中的有效数据；若读取错误，则根据该有效数据对应的物理地址从源存储块中获取源...

本发明实施例提供了一种NAND Flash单元数据的读取方法，其特征在于，包括：检测NAND Flash存储单元的当前温度；根据所述当前温度，调整所述NAND Flash存储单元的源极电压，得到调整后的源极电压；在保持所述调整后的源极电...

本发明实施例提供了一种漏电检测电路，其特征在于，包括：高压镜像模块、参考模块、存储器模块和检测模块；所述参考模块，用于生成第一电流，向所述高压镜像模块传输所述第一电流；所述存储器模块，用于生成第二电流，向所述高压镜像模块传输所述第二电流...

本发明公开了一种多位寄存器的时钟控制方法和装置。所述方法包括：将多位寄存器按位进行分组，得到至少两个位组；若各所述位组中存在满足时钟开启条件的目标位组，则开启所述目标位组对应的时钟。利用该方法能够降低多位寄存器时钟信号翻转所引起的功耗。

本发明提供了一种校验的方法和装置。所述方法包括：在检测电路接收到对存储单元进行存储单元校验操作的校验指令时，根据多个位线与检测电路的物理距离，选中多个位线中与检测电路物理距离相对最远的第一预设数量的位线，以第一预设数量的位线与检测电路之...

本发明公开了一种非易失性存储器的编程方法及控制装置。所述方法包括：获取待编程数据，其中所述待编程数据的位数小于目标编程数量；对待编程数据进行编程校验；如果编程失败，则根据编程次数选取对应的编程模式进行编程。利用该方法，能够提升非易失性存...

本发明实施例提供了一种非易失存储器读处理方法及装置，该方法包括：在对所述待处理存储块执行读操作时，确定选中的目标字线；确定所述待处理存储块中边沿字线的导通阈值电压；其中，所述边沿字线为所述待处理存储块中的起始字线，和/或，末尾字线；对所...

本发明提供了一种控制擦除的方法和装置。所述方法包括：对目标存储单元执行擦除操作，对执行过擦除操作的目标存储单元执行第一擦除验证操作，若执行过擦除操作的目标存储单元通过第一擦除验证，则对执行过擦除操作的目标存储单元执行目标数量验证操作，若...