一种存储器及存储设备制造技术

本发明专利技术公开了一种存储器及存储设备，其中存储器包括：存储模块，存储模块包括至少一个第一物理块，第一物理块包括至少一个故障页和多个正常页，第一物理块的正常页用于存储一次性可编程数据；控制模块，控制模块与存储模块电连接，用于将所述一次性可编程数据写入第一物理块的正常页，本发明专利技术实施例提供的存储器具有较高的存储能力。

【技术实现步骤摘要】
一种存储器及存储设备
本专利技术实施例涉及数据存储
，尤其涉及一种存储器及存储设备。
技术介绍
NANDFlash是一种非易失存储器，具有改写速度快，存储容量大等优点，被广泛应用到平板电脑、手机、汽车电子、固态硬盘(SolidStateDisk，SSD)、照相机、台式电脑等电子产品中。存储器的存储单元阵列由典型的基本结构构成，即存储器包括多个物理块，每个物理块包括多个页。为了保护存储器中的数据，越来越多的存储器厂商在存储器内部划定一个一次性可编程(OneTimeProgram，OTP)区域用于存储重要的一次性可编程数据，比如手机开机程序、源代码、系统程序等，OTP区域只可以编程一次，一次性可编程数据一旦写入OTP区域便不可再更改。图1为现有技术中的存储器的结构示意图，如图1所示，OTP区域A1101通常都是固定的分配给用户只读存储区域A110(UserROM)中的某些页，占用了一定空间，影响了存储器的存储能力。
技术实现思路
本专利技术提供一种存储器及存储设备，以提高存储器的存储能力。>第一方面，本专利技本文档来自技高网...

【技术保护点】
1.一种存储器，其特征在于，包括：/n存储模块，所述存储模块包括至少一个第一物理块，所述第一物理块包括至少一个故障页和多个正常页，所述第一物理块的正常页用于存储一次性可编程数据；/n控制模块，所述控制模块与所述存储模块电连接，用于将所述一次性可编程数据写入所述第一物理块的正常页。/n

【技术特征摘要】
1.一种存储器，其特征在于，包括：
存储模块，所述存储模块包括至少一个第一物理块，所述第一物理块包括至少一个故障页和多个正常页，所述第一物理块的正常页用于存储一次性可编程数据；
控制模块，所述控制模块与所述存储模块电连接，用于将所述一次性可编程数据写入所述第一物理块的正常页。


2.根据权利要求1所述的存储器，其特征在于，所述控制模块还用于对所述存储模块的多个物理块进行检测，将块内存在故障页的物理块确定为所述第一物理块。


3.根据权利要求1所述的存储器，其特征在于，还包括：闪存转换层，所述闪存转换层中存储有地址映射表，所述地址映射表中记录有所述一次性可编程数据的逻辑地址和写入的物理地址。


4.根据权利要求1所述的存储器，其特征在于...

【专利技术属性】
技术研发人员：贺元魁，
申请(专利权)人：北京兆易创新科技股份有限公司，
类型：发明
国别省市：北京;11