一种存储器及存储设备制造技术

本发明专利技术公开了一种存储器及存储设备，其中存储器包括：存储模块，存储模块包括至少一个第一物理块，第一物理块包括至少一个故障页和多个正常页，第一物理块的正常页用于存储一次性可编程数据；控制模块，控制模块与存储模块电连接，用于将所述一次性可编程数据写入第一物理块的正常页，本发明专利技术实施例提供的存储器具有较高的存储能力。

【技术实现步骤摘要】
一种存储器及存储设备
本专利技术实施例涉及数据存储
，尤其涉及一种存储器及存储设备。
技术介绍
NANDFlash是一种非易失存储器，具有改写速度快，存储容量大等优点，被广泛应用到平板电脑、手机、汽车电子、固态硬盘(SolidStateDisk，SSD)、照相机、台式电脑等电子产品中。存储器的存储单元阵列由典型的基本结构构成，即存储器包括多个物理块，每个物理块包括多个页。为了保护存储器中的数据，越来越多的存储器厂商在存储器内部划定一个一次性可编程(OneTimeProgram，OTP)区域用于存储重要的一次性可编程数据，比如手机开机程序、源代码、系统程序等，OTP区域只可以编程一次，一次性可编程数据一旦写入OTP区域便不可再更改。图1为现有技术中的存储器的结构示意图，如图1所示，OTP区域A1101通常都是固定的分配给用户只读存储区域A110(UserROM)中的某些页，占用了一定空间，影响了存储器的存储能力。
技术实现思路
本专利技术提供一种存储器及存储设备，以提高存储器的存储能力。第一方面，本专利技术实施例提供了一种存储器，包括：存储模块，所述存储模块包括至少一个第一物理块，所述第一物理块包括至少一个故障页和多个正常页，所述第一物理块的正常页用于存储一次性可编程数据；控制模块，所述控制模块与所述存储模块电连接，用于将所述一次性可编程数据写入所述第一物理块的正常页。可选的，所述控制模块还用于对所述存储模块的多个物理块进行检测，将块内存在故障页的物理块确定为所述第一物理块。可选的，所述存储器还包括：闪存转换层，所述闪存转换层中存储有地址映射表，所述地址映射表中记录有所述一次性可编程数据的逻辑地址和写入的物理地址。可选的，所述存储模块还包括第二物理块，所述第二物理块用于存储第一数据，所述第一数据包括用户数据和系统数据。可选的，所述第二物理块还用于存储一次性可编程数据。可选的，所述第一物理块包含至少四个正常页。可选的，所述四个正常页为连续的正常页。可选的，所述四个正常页为不连续的正常页。可选的，所述存储器为NANDFlash。第二方面，本专利技术实施例还提供了一种存储设备，所述存储设备包括第一方面中所述的任一存储器。本专利技术实施例通过在存储模块中选取包括至少一个故障页和多个正常页的物理块，通过控制模块将一次性可编程数据写入该物理块的正常页，使得一次性可编程数据不需再占用存储器中的固定空间，提高了存储器的存储能力。附图说明图1为现有技术中的存储器的结构示意图；图2为本专利技术实施例提供的一种存储器的结构示意图；图3为本专利技术实施例提供的一种存储方法的流程示意图；图4为本专利技术实施例提供的一种存储方法的流程图。具体实施方式下面结合附图和实施例对本专利技术作进一步的详细说明。可以理解的是，此处所描述的具体实施例仅仅用于解释本专利技术，而非对本专利技术的限定。另外还需要说明的是，为了便于描述，附图中仅示出了与本专利技术相关的部分而非全部结构。NANDFlash是一种非易失存储器，具有改写速度快，存储容量大等优点，被广泛应用到平板电脑、手机、汽车电子、固态硬盘(SolidStateDisk，SSD)、照相机、台式电脑等电子产品中。NANDFlash的存储单元结构同场效应管的结构不同，NANDFlash的存储单元结构是在栅极和硅衬底之间设置一个浮置栅极，浮置栅极是由氮化物夹在二氧化硅材料之间构成，其内部存储结构是金属-氧化层-半导体-场效应管结构(MOSFET)，具有源极，漏极和栅极。原理是利用控制栅极电压将P阱(P-well)中的电子注入到浮置栅极来实现数据的存储。存储器的存储单元阵列由典型的基本结构构成，即存储器包括多个物理块，每个物理块包括多个页。为了保护存储器中的数据，越来越多的存储器厂商在存储器内部划定一个一次性可编程(OneTimeProgram，OTP)区域用于存储重要的一次性可编程数据，比如手机开机程序、源代码、系统程序等，OTP区域只可以编程一次，一次性可编程数据一旦写入OTP区域便不可再更改。图1为现有技术中的存储器的结构示意图，如图1所示，OTP区域A1101通常都是固定的分配给用户只读存储区域A110(UserROM)中的某些页，占用了一定空间，影响了存储器的存储能力。基于上述技术问题，本专利技术实施例提供了一种存储器及存储设备，通过在存储模块中选取包括至少一个故障页和多个正常页的物理块，通过控制模块将一次性可编程数据写入该物理块的正常页，解决现有技术中的一次性可编程数据占用存储器的固定空间影响存储器存储能力的问题，以提高存储器的存储能力。以上是本专利技术的核心思想，下面将结合本专利技术实施例中的附图，对本专利技术实施例中的技术方案进行清楚、完整地描述。基于本专利技术中的实施例，本领域普通技术人员在没有做出创造性劳动前提下，所获得的所有其他实施例，都属于本专利技术保护的范围。图2为本专利技术实施例提供的一种存储器的结构示意图，如图2所示，本专利技术实施例提供的存储器包括：存储模块11，存储模块11包括至少一个第一物理块111，第一物理块111包括至少一个故障页1111和多个正常页1112，第一物理块111的正常页1112用于存储一次性可编程数据；控制模块12，控制模块12与存储模块11电连接，用于将一次性可编程数据写入第一物理块111的正常页1112。其中，第一物理块111可至少四个正常页1112，正常页1112可以为连续的正常页也可以为不连续的正常页。现有技术中，如果存储器中某个物理块包含一个或多个的故障页1111(即无法正常读写的页)，则认为该物理块是一个坏块，在存储器测试阶段，由于存储器制造工艺存在缺陷等原因，存储器内部会出现坏块区域，通常情况下，这些坏块会被废弃掉，造成了存储资源的浪费。本专利技术实施例的技术方案通过在存储模块11中选取包括至少一个故障页1111和多个正常页1112的第一物理块111，通过控制模块12将一次性可编程数据写入第一物理块111的正常页1112，使得一次性可编程数据不需再占用存储器中的固定空间，充分利用了坏块资源，提高了存储器的存储能力。可选的，控制模块12还用于对存储模块11的多个物理块进行检测，将块内存在故障页1111的物理块确定为第一物理块111。具体的，在存储器测试阶段，控制模块12对存储器中的物理块进行检测，若物理块中存在故障页1111，则确定该物理块为第一物理块111。继续参考图2所示，可选的，本专利技术实施例提供的存储器还包括：闪存转换层13，闪存转换层13中存储有地址映射表，地址映射表中记录有一次性可编程数据的逻辑地址和写入的物理地址。具体的，在存储器测试阶段，若检测到物理块中存在故障页1111，则确定该物理块为第一物理块111，将第一物理块111中正常页1112的物理地址写入闪存转换层13的地址映射表中，并将该物理地址映射为一次性可编程数据的逻辑地址。继续参考图本文档来自技高网...

【技术保护点】
1.一种存储器，其特征在于，包括：/n存储模块，所述存储模块包括至少一个第一物理块，所述第一物理块包括至少一个故障页和多个正常页，所述第一物理块的正常页用于存储一次性可编程数据；/n控制模块，所述控制模块与所述存储模块电连接，用于将所述一次性可编程数据写入所述第一物理块的正常页。/n

【技术特征摘要】
1.一种存储器，其特征在于，包括：
存储模块，所述存储模块包括至少一个第一物理块，所述第一物理块包括至少一个故障页和多个正常页，所述第一物理块的正常页用于存储一次性可编程数据；
控制模块，所述控制模块与所述存储模块电连接，用于将所述一次性可编程数据写入所述第一物理块的正常页。


2.根据权利要求1所述的存储器，其特征在于，所述控制模块还用于对所述存储模块的多个物理块进行检测，将块内存在故障页的物理块确定为所述第一物理块。


3.根据权利要求1所述的存储器，其特征在于，还包括：闪存转换层，所述闪存转换层中存储有地址映射表，所述地址映射表中记录有所述一次性可编程数据的逻辑地址和写入的物理地址。


4.根据权利要求1所述的存储器，其特征在于...

【专利技术属性】
技术研发人员：贺元魁，
申请(专利权)人：北京兆易创新科技股份有限公司，
类型：发明
国别省市：北京;11