【技术实现步骤摘要】
一种控制擦除的方法和装置
本专利技术涉及存储领域，尤其涉及一种控制擦除的方法和装置。
技术介绍
目前Nandflash存储器采用的擦除操作为接收擦除操作指令，执行擦除操作指令对应的擦除操作，具体过程为执行擦除验证操作，若是存储单元未通过擦除验证，则执行擦除加压操作，擦除加压操作结束后再执行擦除验证操作，如此循环，直到擦除操作成功或者达到擦除循环次数的上限。目前Nandflash存储器执行擦除操作的过程中，因为各方面的原因，可能会导致一些存储单元被擦的比较深，这些被擦的比较深的存储单元在后续执行编程操作时会比较困难，并且擦的过深也对存储单元的使用寿命产生较大影响。因此现有技术为了收紧擦除操作完成之后存储单元的阈值电压分布，以及把被擦的比较深的存储单元的阈值电压抬高一些，通常会在执行完成擦除操作之后，再对执行过擦除操作的存储单元执行一个软编程，但因为软编程采用的电压值大小并不能根据存储单元的阈值电压，达到很精确的控制，为了抬高被擦的比较深的存储单元的阈值电压，执行软编程很有可能使得本身阈值电压就接近甚至稍微超过擦除验证电...
【技术保护点】
1.一种控制擦除的方法，其特征在于，所述方法应用于Nand flash存储器，所述Nandflash存储器包括：多个存储单元，所述方法包括：/n对目标存储单元执行擦除操作，所述目标存储单元为所述多个存储单元中至少一个存储单元；/n对执行过所述擦除操作的目标存储单元执行第一擦除验证操作；/n若执行过所述擦除操作的目标存储单元通过第一擦除验证，则对执行过所述擦除操作的目标存储单元执行目标数量验证操作，所述目标数量验证操作为检测通过第一擦除验证的目标存储单元数量的操作；/n若通过目标数量验证操作的目标存储单元的数量达到预设目标数量，跳过软编程操作，对执行过所述擦除操作的目标存储单...
【技术特征摘要】
1.一种控制擦除的方法，其特征在于，所述方法应用于Nandflash存储器，所述Nandflash存储器包括：多个存储单元，所述方法包括：
对目标存储单元执行擦除操作，所述目标存储单元为所述多个存储单元中至少一个存储单元；
对执行过所述擦除操作的目标存储单元执行第一擦除验证操作；
若执行过所述擦除操作的目标存储单元通过第一擦除验证，则对执行过所述擦除操作的目标存储单元执行目标数量验证操作，所述目标数量验证操作为检测通过第一擦除验证的目标存储单元数量的操作；
若通过目标数量验证操作的目标存储单元的数量达到预设目标数量，跳过软编程操作，对执行过所述擦除操作的目标存储单元执行上限验证操作，所述上限验证操作为验证预设目标数量的目标存储单元的阈值电压是否小于预设上限电压的操作，所述预设上限电压为执行过所述擦除操作的目标存储单元的阈值电压允许达到的上限值。
2.根据权利要求1所述的方法，其特征在于，若执行过所述擦除操作的目标存储单元通过第一擦除验证，则对执行过所述擦除操作的目标存储单元执行目标数量验证操作，包括：
若执行过所述擦除操作的目标存储单元通过所述第一擦除验证，则采用与所述第一擦除验证操作相同的验证电压，对执行过所述擦除操作的目标存储单元执行第二擦除验证操作；
检测通过第二擦除验证的目标存储单元的数量。
3.根据权利要求1所述的方法，其特征在于，所述预设目标数量的取值为：
小于等于通过第一擦除验证的目标存储单元的数量。
4.根据权利要求1所述的方法，其特征在于，在对执行过所述擦除操作的目标存储单元执行第一擦除验证操作之后，所述方法还包括：
若执行过所述擦除操作的目标存储单元未通过所述第一擦除验证操作，则继续对所述目标存储单元执行所述擦除操作。
5.根据权利要求1所述的方法，其特征在于，在对执行过所述擦除操作的目标存储单元执行目标数量验证操作之后，所述方法还包括：
若通过目标数量验证操作的目标存储单元的数量未达到所述预设目标数量，则对所述目标存储单元执行所述软编程操作。
6.根据权利要求1所述的方法，其特征在于，在对执行过所述擦除操作的目标存储单元执行上...
【专利技术属性】
技术研发人员：张晓伟，
申请(专利权)人：北京兆易创新科技股份有限公司，西安格易安创集成电路有限公司，
类型：发明
国别省市：北京;11
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