一种Nand闪存制造技术

本发明专利技术提供一种Nand闪存，包括：读数据处理电路的输入端与第一数据通道相连，寄存器的信号传输端与第二数据通道相连，多个数据传输电路的一端分别与第一数据通道相连，多个数据传输电路的另一端分别与第二数据通道相连，当读数据处理电路需要读第一寄存器的数据时，多个数据传输电路的另一端电压和读数据处理电路的输入端电压充电为电源电压，当读数据处理电路读第一寄存器的数据时，若与第一寄存器距离最近的第一数据传输电路检测第一寄存器的信号传输端电压小于第一预设电压阈值，第一数据传输电路将读数据处理电路的输入端电压放电至零。本发明专利技术能够有效提高Nand闪存的寄存器读数据速度，且Nand闪存的面积小。且Nand闪存的面积小。且Nand闪存的面积小。

【技术实现步骤摘要】
一种Nand闪存


[0001]本专利技术涉及存储
，特别是涉及一种Nand闪存。

技术介绍

[0002]Nand闪存是一种非易失存储器，具有存储容量大、数据吞吐量大等优点，被广泛应用于各类电子产品。Nand闪存按照Page(页)容量来读写存储阵列单元，常见的Page容量有1KB/2KB/4KB/16KB等。Nand闪存的寄存器数量与Page容量大小一致，寄存器用于存储根据读写地址输入的数据和输出的数据，NAND Flash中上千个寄存器依次横向排开。
[0003]现有技术中的Nand闪存采用图1所示的读寄存器电路实现对寄存器进行读操作，其中，图1所示的读寄存器电路的工作原理为：通过PMOS管P1
’
给Q
’
点充电至电源电压VDD
’
，然后SELC
’
信号打开寄存器中的NMOS管M2
’
，FLG
’
点电平可以通过寄存器中的NMOS管M1
’
直接对地放电。如果FLG
’
点电平为高定平即FLG
’
＝1，则Q
’
点电压被放电为0，反相器输出高电平即DOUT
’
＝1；如果FLG
’
点电平为低定平即FLG
’
＝0，则Q
’
点电压保持为电源电压VDD
’
，反相器输出低电平即DOUT
’
＝0。
[0004]现有技术中的读寄存器电路存在以下缺陷：由于Q
’
点后级的反相器需要从0翻转成1才能读对数据，则在Q
’
点放电时，Q
’
点的放电电压dv1
’
至少为0.5*VDD
’
。若VDD
’
＝1.8V，寄存器的走线电容CQ
’
的电容值为1p，FLG
’
点的放电电流Iflg
’
为10uA，则FLG
’
点的电压放电至0.9V的时间td1
’
＝CQ
’
*dv1
’
/Iflg
’
＝1p*0.9v/10uA＝90ns。因此，现有技术中的读寄存器电路读取数据时间很长，读取数据速度很慢，如需提高现有技术中的读寄存器电路的读取数据时间至10ns，则需要将NMOS管M1
’
的尺寸增大至目前的九倍尺寸，而上千个寄存器中每个寄存器的NMOS管M1
’
增大至目前的九倍尺寸，会导致Nand闪存面积太大，无法实现高速大容量小面积Nand闪存。

技术实现思路

[0005]鉴于上述问题，本专利技术实施例的目的在于提供一种Nand闪存，以解决现有技术中的读寄存器电路读取数据速度很慢的问题。
[0006]为了解决上述问题，本专利技术实施例公开了一种Nand闪存，所述Nand闪存包括读数据处理电路、多个数据传输电路、多个寄存器、第一数据通道以及第二数据通道，所述读数据处理电路的输入端与所述第一数据通道相连，所述寄存器的信号传输端与所述第二数据通道相连，所述数据传输电路的一端与所述第一数据通道相连，所述数据传输电路的另一端与所述第二数据通道相连，其中，
[0007]当所述读数据处理电路需要读所述多个寄存器中第一寄存器的数据时，所述多个数据传输电路的另一端电压和所述读数据处理电路的输入端电压充电为电源电压，当所述读数据处理电路读所述第一寄存器的数据时，若所述多个数据传输电路中第一数据传输电路检测所述第一寄存器的信号传输端电压小于第一预设电压阈值，所述第一数据传输电路将所述读数据处理电路的输入端电压放电至零；所述多个数据传输电路中所述第一数据传
输电路与所述第一寄存器距离最近。
[0008]可选地，所述数据传输电路包括：
[0009]第一充电控制模块，所述第一充电控制模块的控制端接收充电使能信号，所述第一充电控制模块的第一端接电源，所述第一充电控制模块的第二端与所述第二数据通道相连，当所述充电使能信号有效时，所述第一充电控制模块导通；
[0010]第一电压检测模块，所述第一电压检测模块的输入端分别与所述第一充电控制模块的第二端和所述第二数据通道相连，若所述第一电压检测模块的输入端电压小于所述第一预设电压阈值，所述第一电压检测模块输出第一控制信号；
[0011]第一开关模块，所述第一开关模块的控制端与所述第一电压检测模块的输出端相连，所述第一开关模块的第一端与所述读数据处理电路的输入端相连，所述第一开关模块的第二端接地，当所述第一电压检测模块输出所述第一控制信号时，所述第一开关模块导通。
[0012]可选地，所述第一电压检测模块包括：
[0013]第一反相器，所述第一反相器的输入端分别与所述第一充电控制模块的第二端和所述第二数据通道相连，所述第一反相器的输出端与所述第一开关模块的控制端相连，所述第一反相器的控制端接收所述读数据处理电路的读使能信号。
[0014]可选地，所述数据传输电路还包括：
[0015]第一控制模块，所述第一控制模块与所述第一开关模块的控制端相连，当所述多个数据传输电路的另一端电压和所述读数据处理电路的输入端电压充电时，所述第一控制模块控制所述第一开关模块断开。
[0016]可选地，所述第一控制模块包括：
[0017]第一开关，所述第一开关的控制端接收所述充电使能信号的反信号，所述第一开关的第一端分别与所述第一电压检测模块的输出端和所述第一开关模块的控制端相连，所述第一开关的第二端接地，当所述充电使能信号有效时，所述第一开关导通。
[0018]可选地，所述Nand闪存还包括写数据处理电路，其中，所述写数据处理电路的输出端分别与所述读数据处理电路的输入端和所述第一数据通道相连，当所述写数据处理电路需要对所述第一寄存器写数据时，所述多个数据传输电路的另一端电压和所述写数据处理电路的输出端电压充电为电源电压，当所述写数据处理电路对所述第一寄存器写数据时，若所述第一数据传输电路检测所述写数据处理电路的输出端电压小于第二预设电压阈值，所述第一数据传输电路将所述第一数据传输电路的另一端电压放电至零。
[0019]可选地，所述数据传输电路还包括：
[0020]第二电压检测模块，所述第二电压检测模块的输入端与所述写数据处理电路的输出端相连，若所述第二电压检测模块检测所述写数据处理电路的输出端电压小于所述第二预设电压阈值，所述第二电压检测模块输出第二控制信号；
[0021]第二开关模块，所述第二开关模块的控制端与所述第二电压检测模块的输出端相连，所述第二开关模块的第一端与所述第一充电控模块的第二端相连，所述第二开关模块的第二端接地，当所述第二电压检测模块输出所述第二控制信号时，所述第二开关模块导通。
[0022]可选地，所述第二电压检测模块包括：
[0023]第二反相器，所述第本文档来自技高网...

【技术保护点】

【技术特征摘要】
1.一种Nand闪存，其特征在于，所述Nand闪存包括读数据处理电路、多个数据传输电路、多个寄存器、第一数据通道以及第二数据通道，所述读数据处理电路的输入端与所述第一数据通道相连，所述寄存器的信号传输端与所述第二数据通道相连，所述数据传输电路的一端与所述第一数据通道相连，所述数据传输电路的另一端与所述第二数据通道相连，其中，当所述读数据处理电路需要读所述多个寄存器中第一寄存器的数据时，所述多个数据传输电路的另一端电压和所述读数据处理电路的输入端电压充电为电源电压，当所述读数据处理电路读所述第一寄存器的数据时，若所述多个数据传输电路中第一数据传输电路检测所述第一寄存器的信号传输端电压小于第一预设电压阈值，所述第一数据传输电路将所述读数据处理电路的输入端电压放电至零；所述多个数据传输电路中所述第一数据传输电路与所述第一寄存器距离最近。2.根据权利要求1所述的Nand闪存，其特征在于，所述数据传输电路包括：第一充电控制模块，所述第一充电控制模块的控制端接收充电使能信号，所述第一充电控制模块的第一端接电源，所述第一充电控制模块的第二端与所述第二数据通道相连，当所述充电使能信号有效时，所述第一充电控制模块导通；第一电压检测模块，所述第一电压检测模块的输入端分别与所述第一充电控制模块的第二端和所述第二数据通道相连，若所述第一电压检测模块的输入端电压小于所述第一预设电压阈值，所述第一电压检测模块输出第一控制信号；第一开关模块，所述第一开关模块的控制端与所述第一电压检测模块的输出端相连，所述第一开关模块的第一端与所述读数据处理电路的输入端相连，所述第一开关模块的第二端接地，当所述第一电压检测模块输出所述第一控制信号时，所述第一开关模块导通。3.根据权利要求2所述的Nand闪存，其特征在于，所述第一电压检测模块包括：第一反相器，所述第一反相器的输入端分别与所述第一充电控制模块的第二端和所述第二数据通道相连，所述第一反相器的输出端与所述第一开关模块的控制端相连，所述第一反相器的控制端接收所述读数据处理电路的读使能信号。4.根据权利要求2所述的Nand闪存，其特征在于，所述数据传输电路还包括：第一控制模块，所述第一控制模块与所述第一开关模块的控制端相连，当所述多个数据传输电路的另一端电压和所述读数据处理电路的输入端电压充电时，所述第一控制模块控制所述第一开关模块断开。5.根据权利要求4所述的Nand闪存，其特征在于，所述第一...

【专利技术属性】
技术研发人员：李琪，侯志彬，朱长峰，
申请(专利权)人：北京兆易创新科技股份有限公司上海格易电子有限公司，
类型：发明
国别省市：