一种校验的方法和装置制造方法及图纸

本发明专利技术提供了一种校验的方法和装置。所述方法包括：在检测电路接收到对存储单元进行存储单元校验操作的校验指令时，根据多个位线与检测电路的物理距离，选中多个位线中与检测电路物理距离相对最远的第一预设数量的位线，以第一预设数量的位线与检测电路之间连接线的物理距离为标准，调整其他位线与检测电路之间连接线的电阻值，响应于校验指令，通过检测电路对多个位线进行存储单元校验操作。本发明专利技术的方案使得所有进行校验操作的位线都被施以同样的电压，以同一个标准来进行校验，提高了检测电路扫描的准确度，不会影响Nand flash存储器执行其他的操作，提升了Nand flash存储器的可靠性。

【技术实现步骤摘要】
一种校验的方法和装置
本专利技术涉及存储领域，尤其涉及一种校验的方法和装置。
技术介绍
目前Nandflash存储器包括：存储单元阵列和检测电路，存储单元阵列由多个位线组合而成，检测电路用于Nandflash存储器中对存储单元执行扫描，执行扫描的目的是为了验证执行过编程的存储单元是否通过验证。现有技术Nandflash存储器检测电路执行校验操作时，按照一个位线一个位线扫描的方式进行，有可能得到错误的扫描的结果，即，原本通过验证的存储单元却被错误地当成未通过验证的存储单元，导致检测电路扫描的准确度较低，影响Nandflash存储器执行其他的操作。
技术实现思路
本专利技术提供一种校验的方法和装置，提高了Nandflash存储器中检测电路扫描的准确度。为了解决上述技术问题，本专利技术实施例提供了一种校验的方法，所述方法应用于Nandflash存储器，所述Nandflash存储器包括：存储单元阵列和检测电路，所述存储单元阵列包括：多个位线，每个位线包括多个存储单元；所述方法包括：在所述检测电路接收到本文档来自技高网...

【技术保护点】
1.一种校验的方法，其特征在于，所述方法应用于Nand flash存储器，所述Nand flash存储器包括：存储单元阵列和检测电路，所述存储单元阵列包括：多个位线，每个位线包括多个存储单元；所述方法包括：/n在所述检测电路接收到对所述存储单元进行存储单元校验操作的校验指令时，根据所述多个位线与所述检测电路的物理距离，选中所述多个位线中与所述检测电路物理距离相对最远的第一预设数量的位线；/n以所述第一预设数量的位线与所述检测电路之间连接线的物理距离为标准，调整所述多个位线中除所述第一预设数量的位线以外的其他位线与所述检测电路之间连接线的电阻值，使得所述其他位线上的检测电压与所述第一预设数量的位...

【技术特征摘要】
1.一种校验的方法，其特征在于，所述方法应用于Nandflash存储器，所述Nandflash存储器包括：存储单元阵列和检测电路，所述存储单元阵列包括：多个位线，每个位线包括多个存储单元；所述方法包括：
在所述检测电路接收到对所述存储单元进行存储单元校验操作的校验指令时，根据所述多个位线与所述检测电路的物理距离，选中所述多个位线中与所述检测电路物理距离相对最远的第一预设数量的位线；
以所述第一预设数量的位线与所述检测电路之间连接线的物理距离为标准，调整所述多个位线中除所述第一预设数量的位线以外的其他位线与所述检测电路之间连接线的电阻值，使得所述其他位线上的检测电压与所述第一预设数量的位线上的检测电压相等；
响应于所述校验指令，通过所述检测电路对所述多个位线进行存储单元校验操作。


2.根据权利要求1所述的方法，其特征在于，根据所述多个位线与所述检测电路的物理距离，选中所述多个位线中与所述检测电路物理距离相对最远的第一预设数量的位线，包括：
根据所述多个位线与所述检测电路的物理距离，选择所述多个位线中与所述检测电路物理距离相对最远的第一预设数量的位线；
通过所述检测电路检测所述第一预设数量的位线中各位线上的检测电压之差是否在预设范围内；
若所述第一预设数量的位线中各位线上的检测电压之差超出所述预设范围，则将所述第一预设数量调整为第二预设数量，并重新选择所述多个位线中与所述检测电路物理距离相对最远的第二预设数量的位线；
根据所述多个位线与所述检测电路的物理距离，选中所述多个位线中与所述检测电路物理距离相对最远的第一预设数量的位线，包括：
若所述第一预设数量的位线中各位线上的检测电压之差在所述预设范围内，则选中所述多个位线中与所述检测电路物理距离相对最远的第一预设数量的位线。


3.根据权利要求1所述的方法，其特征在于，所述Nandflash存储器还包括：滑动补偿电阻，所述滑动补偿电阻与所述检测电路和所述存储单元阵列分别连接，以所述第一预设数量的位线与所述检测电路之间连接线的电阻值为标准，调整所述其他位线与所述检测电路之间连接线的电阻值，包括：
调用距离电阻值关系表，所述距离电阻值关系表为所述多个位线中任一位线与所述检测电路之间连接线的物理距离与补偿电阻的阻值之间的关系表，离所述检测电路的物理距离越小的位线需要的补偿电阻的阻值越大；
根据所述距离电阻值关系表，以所述第一预设数量的位线与所述检测电路之间连接线的物理距离为标准，向所述滑动补偿电阻发送使能信号，所述使能信号用于控制所述滑动补偿电阻产生补偿电阻值；
利用所述滑动补偿电阻产生的补偿电阻值，调整所述其他位线与所述检测电路之间连接线的电阻值。


4.根据权利要求3所述的方法，其特征在于，在利用所述滑动补偿电阻产生的补偿电阻值，调整所述其他位线与所述检测电路之间连接线的电阻值后，所述方法还包括：
通过所述检测电路检测所述其他位线上的检测电压与所述第一预设数量的位线上的检测电压是否相等；
若所述其他位线上的检测电压与所述第一预设数量的位线上的检测电压不相等，则返回步骤：调用距离电阻值关系表；以及，根据所述距离电阻值关系表，以所述第一预设数量的位线与所述检测电路之间连接线的物理距离为标准，向所述滑动补偿电阻发送使能信号，并利用所述滑动补偿电阻产生的补偿电阻值，调整所述其他位线与所述检测电路之间连接线的电阻值；
若所述其他位线上的检测电压与所述第一预设数量的位线上的检测电压相等，则响应于所述校验指令，通过所述检测电路对所述多个位线进行存储单元校验操作。


5.根据权利要求3所述的方法，其特征在于，所述多个位线中除所述第一预设数量的位线以外的其他位线与所述检测电路之间连接线的电阻值的取值为：
所述其他...

【专利技术属性】
技术研发人员：张晓伟，
申请(专利权)人：北京兆易创新科技股份有限公司，西安格易安创集成电路有限公司，
类型：发明
国别省市：北京;11