本发明专利技术实施例提供了一种NAND Flash单元数据的读取方法，其特征在于，包括：检测NAND Flash存储单元的当前温度；根据所述当前温度，调整所述NAND Flash存储单元的源极电压，得到调整后的源极电压；在保持所述调整后的源极电压不变的情况下，检测所述NAND Flash存储单元的当前漏极特征值；根据所述当前漏极特征值和参考漏极特征值，确定漏极特征值变化量；根据所述漏极特征值变化量，读取所述NAND Flash存储单元的存储数据。本发明专利技术能够根据温度调节存储单元的源极电压，对随温度变化的阈值电压所造成的读取误差进行补偿，提高NAND Flash读取操作的准确性。操作的准确性。操作的准确性。
【技术实现步骤摘要】
一种NAND Flash单元数据的读取方法和装置
[0001]本专利技术涉及电子电路领域，特别是涉及一种NAND Flash单元的读取方法和装置。
技术介绍
[0002]Nand flash是一种非易失性存储器，它通过对存储单元(Memory cell)进行读写擦操作来存储数据，具有改写速度快，存储容量大等优点，被广泛使用到电子产品中。Nandflash存储器的基本操作包括：擦除操作、编程操作和读取操作。在编程操作时，通过对存储单元阈值电压的改变来确定写入数据为“1”或“0”，读取原理是在存储单元的栅极施加一个字线电压，并检测该存储单元的电流，当读取电流小于基准电流时，该存储单元的数据判定为“0”，当读取电流大于基准电流值时，该存储单元的数据判定为“1”。
[0003]但是，Nand flash的存储单元的阈值电压随温度变化较大，而现有技术在进行读取操作时，通常是施加一个恒定的字线电压。那么在低温时，由于存储单元的阈值电压会偏高，其读取电流就会偏低，可能将“1”错读为“0”；在高温时，由于存储单元的阈值电压会偏低，其读取电流就会偏高，可能将“0”错读为“1”，造成读取错误，降低读取操作的可靠性。
技术实现思路
[0004]鉴于上述问题，本专利技术提出了一种NAND Flash单元数据的读取方法，用于读取存储器存储单元的数据，提高读取操作的可靠性。
[0005]依据本专利技术的一个方面，提供了一种NAND Flash单元数据的读取方法，包括：
[0006]检测NAND Flash存储单元的当前温度；
[0007]根据所述当前温度，调整所述NAND Flash存储单元的源极电压，得到调整后的源极电压；
[0008]在保持所述调整后的源极电压不变的情况下，检测所述NAND Flash存储单元的当前漏极特征值；
[0009]根据所述当前漏极特征值和参考漏极特征值，确定漏极特征值变化量；
[0010]根据所述漏极特征值变化量，读取所述NAND Flash存储单元的存储数据。
[0011]可选的，所述当前温度与所述调整后的源极电压呈正相关。
[0012]可选的，所述当前漏极特征值包括当前漏极电压，参考漏极特征值包括参考漏极电压；所述根据所述当前漏极特征值和参考漏极特征值，确定漏极特征值变化量，包括：
[0013]根据所述当前漏极电压和参考漏极电压，确定漏极电压变化量；
[0014]所述根据所述漏极特征值变化量，读取所述NAND Flash存储单元的存储数据，包括：
[0015]根据所述漏极电压变化量，读取所述NAND Flash存储单元的存储数据。
[0016]可选的，所述根据所述漏极电压变化量，读取所述NAND Flash存储单元的存储数据，具体包括：
[0017]若所述漏极电压的变化量大于第一阈值时，则确定所述NAND Flash存储单元的存
储数据为“1”；
[0018]若所述漏极电压的变化量小于或等于第一阈值时，则确定所述NAND Flash存储单元的存储数据为“0”。
[0019]可选的，所述当前漏极特征值包括当前漏极电流，参考漏极特征值包括参考漏极电流；所述根据所述当前漏极特征值和参考漏极特征值，确定漏极特征值变化量，包括：
[0020]根据所述当前漏极电流和参考漏极电流，确定漏极电流变化量；
[0021]所述根据所述漏极特征值变化量，读取所述NAND Flash存储单元的存储数据，包括：
[0022]根据所述漏极电流变化量，读取所述NAND Flash存储单元的存储数据。
[0023]可选的，所述根据所述漏极电流变化量，读取所述NAND Flash存储单元的存储数据，具体包括：
[0024]若所述漏极电流变化量大于第二阈值时，则确定所述NAND Flash存储单元的存储数据为“1”；
[0025]若所述漏极电流变化量小于第二阈值时，则确定所述NAND Flash存储单元的存储数据为“0”。
[0026]依据本专利技术的另一个方面，提供了一种NAND Flash单元数据的读取装置，包括:
[0027]检测模块，用于检测NAND Flash存储单元的当前温度；
[0028]执行模块，用于根据所述当前温度，调整所述NAND Flash存储单元的源极电压，得到调整后的源极电压；
[0029]检测模块，还用于在保持所述调整后的源极电压不变的情况下，检测所述NAND Flash存储单元的当前漏极特征值；
[0030]确定模块，用于根据所述当前漏极特征值和参考漏极特征值，确定漏极特征值变化量；
[0031]读取模块，用于根据所述漏极特征值变化量，读取所述NAND Flash存储单元的存储数据。
[0032]可选的，所述当前漏极特征值包括当前漏极电压，参考漏极特征值包括参考漏极电压，所述确定模块，具体用于根据所述当前漏极电压和参考漏极电压，确定漏极电压变化量；
[0033]所述读取模块，具体用于根据所述漏极电压变化量，读取所述NAND Flash存储单元的存储数据。
[0034]可选的，所述读取模块，具体用于若所述漏极电压的变化量大于第一阈值时，则确定所述NAND Flash存储单元的存储数据为“1”；若所述漏极电压的变化量小于或等于第一阈值时，则确定所述NAND Flash存储单元的存储数据为“0”。
[0035]可选的，所述当前漏极特征值包括当前漏极电流，参考漏极特征值包括参考漏极电流，所述确定模块，具体用于根据所述当前漏极电流和参考漏极电流，确定漏极电流变化量；
[0036]所述读取模块，具体用于根据所述漏极电流变化量，读取所述NAND Flash存储单元的存储数据。
[0037]可选的，所述读取模块，具体用于若所述漏极电流变化量大于第二阈值时，则确定
所述NAND Flash存储单元的存储数据为“1”；若所述漏极电流变化量小于第二阈值时，则确定所述NAND Flash存储单元的存储数据为“0”。
[0038]本专利技术提供的NAND Flash单元数据的读取方法，通过根据存储单元的当前温度，调整其源极电压，在保持调整后的源极电压不变的情况下，检测当前漏极特征值，再根据当前漏极特征值和参考漏极特征值的变化量，读取存储器单元数据的方法，有效的抑制了温度对读取所造成的影响，进而获得更加稳定的漏极特征值，便于更加可靠的读取数据，提高了存储器读取数据的准确性。
附图说明
[0039]为了更加清楚地说明本专利技术示例性实施例的技术方案，下面对描述实施例中所需要用到的附图做一简单介绍。显然，所介绍的附图只是本专利技术所要描述的一部分实施例的附图，而不是全部的附图，对于本领域普通技术人员，在不付出创造性劳动的前提下，还可以根据这些附图得到其他的附图。
[0040]图1A为本专利技术提供的一种NAND Flash单元数据的读取方法的一个实施例的步骤流程图；
[004本文档来自技高网...
【技术保护点】
【技术特征摘要】
1.一种NAND Flash单元数据的读取方法，其特征在于，所述方法包括：检测NAND Flash存储单元的当前温度；根据所述当前温度，调整所述NAND Flash存储单元的源极电压，得到调整后的源极电压；在保持所述调整后的源极电压不变的情况下，检测所述NAND Flash存储单元的当前漏极特征值；根据所述当前漏极特征值和参考漏极特征值，确定漏极特征值变化量；根据所述漏极特征值变化量，读取所述NAND Flash存储单元的存储数据。2.如权利要求1所述的方法，其特征在于，所述当前温度与所述调整后的源极电压呈正相关。3.如权利要求1所述的方法，其特征在于，所述当前漏极特征值包括当前漏极电压，参考漏极特征值包括参考漏极电压；所述根据所述当前漏极特征值和参考漏极特征值，确定漏极特征值变化量，包括：根据所述当前漏极电压和参考漏极电压，确定漏极电压变化量；所述根据所述漏极特征值变化量，读取所述NAND Flash存储单元的存储数据，包括：根据所述漏极电压变化量，读取所述NAND Flash存储单元的存储数据。4.如权利要求3所述的方法，其特征在于，所述根据所述漏极电压变化量，读取所述NAND Flash存储单元的存储数据，包括：若所述漏极电压的变化量大于第一阈值时，则确定所述NAND Flash存储单元的存储数据为“1”；若所述漏极电压的变化量小于或等于第一阈值时，则确定所述NAND Flash存储单元的存储数据为“0”。5.如权利要求1所述的方法，其特征在于，所述当前漏极特征值包括当前漏极电流，参考漏极特征值包括参考漏极电流；所述根据所述当前漏极特征值和参考漏极特征值，确定漏极特征值变化量，包括：根据所述当前漏极电流和参考漏极电流，确定漏极电流变化量；所述根据所述漏极特征值变化量，读取所述NAND Flash存储单元的存储数据，包括：根据所述漏极电流变化量，读取所述NAND Flash存储单元的存储数据。6.如权利要求5所述的方法，其特征在于，所述根据所述漏极电流变化量，读取所述NAND Flash存储单元的存储数据，具体包括：若所述漏极电流变化量大于...
【专利技术属性】
技术研发人员：邸士伟，
申请(专利权)人：北京兆易创新科技股份有限公司，
类型：发明
国别省市：
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