本发明公开了一种硅质膜的形成方法，该膜中的氮含量很低。该方法包括：将聚硅氮烷组合物涂布在具有凹凸的衬底表面上以形成涂层，使该涂层中仅与衬底表面相邻的部分硬化，从而沿着具有凹凸的衬底的形状形成被覆膜，并且移除在形成被覆膜的步骤中未硬化的聚...

本发明提供了一种精细图案形成用组合物和一种精细图案形成方法。这种精细图案形成用组合物使得高深宽比的图案能够制造得比由用于曝光的光波长所确定的分辨限度更精细。该组合物含有水溶性树脂和含水溶剂，并且其２５℃下的动力粘度ｖ在１０～３５ｍｍ２／...

一种方法，其包括将含水溶性乙烯基树脂、在分子中具有至少两个氨基的化合物、溶剂以及（如果需要的话）添加剂例如表面活性剂的水溶性树脂组合物施覆到在基板（１）上形成的抗蚀图（２）上，以形成水溶性树脂膜（３），通过混合使与抗蚀图邻接的该水溶性树...

提供一种感光性树脂组合物，其在进行狭缝涂敷后，在不采用减压干燥或真空干燥的方法而进行自然干燥的情况下，干燥时间短、没有涂敷不匀、涂敷膜厚均一，曝光、显影后的抗蚀图案的形状良好。作为感光性树脂组合物，采用含有碱可溶性酚醛树脂、含醌二叠氮基...

一种负性感光树脂组合物，包括一种碱溶性酚醛清漆树脂、一种交联剂和一种通过光产生酸的光致酸产生剂，所述酚醛清漆树脂经过分离处理，于是根据聚苯乙烯标准有１，０００～１０，０００的重均分子量，并相对于该总树脂量，含有５重量％或更少的分子量小于...

在化学增强光致抗蚀剂膜上施覆抗反射涂层组合物，形成了抗反射涂层膜，该组合物包含碱溶性含氟聚合物、酸、胺和适于溶解这些组分的溶剂，ｐＨ为７或更小。所形成的抗反射涂层膜可以用于防止在光致抗蚀剂膜内的多次反射，提高了曝光后显影液显影时的光致抗...

一种形成具有高分辨率和高精确度的蚀刻图形的方法，该方法防止在有机抗反射膜和光敏感材料膜之间的界面中形成反应产物，并在蚀刻后减少了已蚀刻膜的残余物。在半导体基质１０上形成由多晶硅组成的可蚀刻膜１１，有机抗反射膜１２，和由化学放大抗蚀剂制成...

本发明提供一种光致抗蚀剂涂布液供给装置和一种涂布液供给方法，以将含有很少颗粒的光致抗蚀剂涂布液供给至光致抗蚀剂涂布装置。还提供了一种光致抗蚀剂涂布装置，其通过使用该光致抗蚀剂涂布液供给装置，可以实现具有很少缺陷和优异成本特性的涂布。该光...

本发明提供一种抗蚀剂基底处理液和使用该处理液形成图形的方法，能够同时容易地解决诸如基底表面上外来杂质、图形坍塌和图形粗糙的问题。处理液包含水和具有含１１～３０个碳原子的烃基的伯胺或氨的烯化氧加合物。本发明的图形形成方法包括用该处理液处理...

本发明涉及一种微细化的抗蚀图案的形成方法，具体公开了一种使显影后的抗蚀图案微细化而不大大增加生产成本或降低生产效率的图案形成方法，该方法包括如下步骤：让显影后的抗蚀图案与优选包含非离子表面活性剂的处理液接触６０秒或更长时间，从而降低通过...

＊＊＊ 试图得到一种可在低温和短时间内剥离光致抗蚀剂的剥离液，并在上述剥离光致抗蚀剂处理后用水漂洗时也不会形成不溶物沉淀，从而避免了该不溶物的再粘附。将欲处理的材料浸渍在一个含有其含量为１０－１００重量％，具有通式（１）的嘧啶酮化...

一种用作光致抗蚀剂的光敏组合物，其包含一种树脂组合物和一种光敏物质，其中，树脂组合物为两种或多种树脂的混合物，这些树脂的折射率差值至少为０．０３，或者为一种作为基础树脂的碱溶性树脂与作为树脂添加剂的一种用作光敏组合物的溶解抑制剂的树脂的...

本发明描述了用于涂膜层显影的表面活性剂水溶液，它至少含有一种选自以下的表面活性剂：Ｎ－酰基肌氨酸盐、Ｎ－酰基－Ｎ－甲基丙氨酸盐、Ｎ－酰基牛磺酸盐、Ｎ－酰基－Ｎ－甲基牛磺酸盐、脂肪酸烷基醇酰胺以及脂肪酸烷基醇酰胺同聚氧化乙烯的加成物。这种...

本发明公开了一种感光性树脂组合物，其包含碱溶性树脂与含醌二叠氮化物基团的光敏剂，其中，光敏剂包含具有不同平均酯化率的两种或多种酯的混合物，所述酯为由四羟基二苯甲酮与１，２－萘醌二叠氮化物磺酸形成的酯化产物。作为光敏剂，优选光敏剂Ａ与光敏...

用于ｉ－线曝光的感光性树脂组合物，包括碱溶性树脂和含有醌二叠氮化物基团的光敏剂，其中碱溶性树脂为酚醛清漆树脂和选自下述一个或更多树脂的混合物，（ｉ）聚丙烯酸酯、（ｉｉ）聚异丁烯酸酯、（ｉｉｉ）聚苯乙烯衍生物和（ｉｖ）包括两个或更多选自丙...

将由含有表面活性剂的酸性组合物制得的减少显影缺陷的组合物涂布到在８英寸或更大的基质上形成的化学增强的光刻胶膜上。结果是，抗蚀剂表面成为亲水性，防止在抗蚀剂层上形成显影液很难溶解的层。通过从减少显影缺陷的组合物中扩散的适当量的酸，化学增强...

形成抗蚀图形的方法，包括以下步骤：（ａ）涂覆和形成化学放大光致抗蚀剂膜，（ｂ）在化学放大光致抗蚀剂膜上涂覆ｐＨ值为１．３到４．５的处理剂，（ｃ）在涂覆和形成化学放大光致抗蚀剂膜和涂覆所述的处理剂这两步的至少一步之后烘焙所述的化学放大光致...

本发明公开了将晶片定位到化学机械抛光设备上的晶片定位环，它可以防止晶片受到损害，它具有优良的耐磨耗性，可以减少更换的工作，从而实现抛光晶片的规模生产。在用于化学机械抛光设备的晶片定位环的表面上，其中至少与晶片接触的部分，由包括至少３０重...

本发明描述了一种感光树脂组合物，其包含一种碱溶性树脂如（甲基）丙烯酸烷基酯和（甲基）丙烯酸的共聚物，和一种含醌二叠氮化物基团的光敏剂，一种由如下通式（Ⅰ）表示的多环酚化合物，如果需要的话，还包含一种具有环氧基团的硬化剂，这种组合物用于形...

一种改善蚀刻衬底时刻掩模耐蚀刻性的方法，该方法包括下述步骤：采用光致抗蚀剂在衬底上形成抗蚀剂图案，在形成的抗蚀剂图案上涂敷用于形成蚀刻保护层的组合物，通过加热在组合物与抗蚀剂之间形成不溶于含水显影溶液的蚀刻保护层，通过显影溶液除去除刻保...