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AZ电子材料日本株式会社专利技术
AZ电子材料日本株式会社共有118项专利
用于固定半导体片的组装体系及半导体片的制造方法技术
本发明公开了一种适于加工半导体片的用于固定半导体片的组装体系,该体系包含(a)支持块;(b)半导体片;和(c)置于所述陶瓷块和所述半导体片之间的水性粘合剂组合物,该粘合剂组合物包含水;至少一种隔离剂和至少一种树脂,其中,所述粘合剂组合物...
用于处理聚硅氮烷的溶剂和采用这种溶剂处理聚硅氮烷的方法技术
聚硅氮烷采用一种单一或混合溶剂进行处理,所述溶剂含有一种或多种选自下述物质的成分:二甲苯、苯甲醚、萘烷、环己烷、环己烯、甲基环己烷、乙基环己烷、苎烯、己烷、辛烷、壬烷、癸烷、一种C↓[8]-C↓[11]烷烃混合物、一种C↓[8]-C↓[...
感光树脂组合物制造技术
一种感光树脂组合物,它含有一种碱溶性树脂、一种具有醌二叠氮部分的感光剂、一种特定的酚类化合物和一种溶剂和任选的一种具有环氧基的硬化剂,其特征在于所述碱溶性树脂为一种丙烯酸树脂,所述溶剂是一种由丙二醇单甲基醚乙酸酯和一种在常温和大气压下较...
防止显影缺陷的方法及用于该方法的组合物技术
一种防止显影缺陷的组合物,其包含(1)C↓[4-15]全氟烷基羧酸、C↓[4-10]全氟烷基磺酸或全氟己二酸与铵、四烷基铵或C↓[1-4]烷醇胺的盐或(2)无机酸与全氟烷基季铵盐的盐,其中酸/碱当量比为1/1到1/3。该组合物被施覆到形...
用于夹层绝缘膜的光敏组合物及形成带图形夹层绝缘膜的方法技术
本发明提供一种储藏性能优异且能生产膜厚限度提高了的夹层绝缘膜的光敏组合物。该光敏组合物的特征在于包含:重均分子量为500-200,000的改性聚倍半硅氮烷和光酸产生剂,该改性聚倍半硅氮烷包含由式-[SiR↑[1](NR↑[2])↓[1....
平版印刷用冲洗液以及用其形成抗蚀图案的方法技术
一种平版印刷用冲洗溶液,其特征在于:包含水和一种具有乙烯氧基基团(-CH↓[2]CH↓[2]O-)但不具有氟原子的非离子表面活性剂。
形成沟槽隔离结构的方法技术
提供一种形成沟槽隔离结构的方法,在凹槽内它既不产生空隙,也不产生裂纹。该方法包括步骤:在硅基底表面上形成凹槽;涂覆聚硅氮烷溶液;涂覆聚硅氮烷溶液;在预烘干温度下预烘干涂层,调节温度使得温度在50~400℃的范围内随时间流逝而升高;在高于...
涂料组合物、多孔硅质膜、用于制备多孔硅质膜的方法以及半导体装置制造方法及图纸
提供了一种具有高机械强度并且适合用于层间绝缘膜的低介电常数的多孔硅质膜。根据本发明的涂料组合物的特征在于包含:一种有机溶剂和包含在所述的有机溶剂中的1)聚烷基硅氮烷和2)至少一种有机树脂成分,该成分选自于由丙烯酸酯和甲基丙烯酸酯的均聚物...
微细图形形成材料以及微细图形形成方法技术
本发明提供了一种形成微细图形的方法,包括下述步骤:在直径为6英寸或更大的基底1上形成由化学增强光致抗蚀剂制成的抗蚀图形3,涂覆含有水溶性树脂,水溶性交联剂,和水或水与水溶性有机溶剂的混合溶剂的微细图形形成材料以形成涂覆层4,烘焙该化学增...
含磷硅氮烷组合物、含磷硅质膜、含磷硅质填料、用于生产含磷硅质膜的方法和半导体装置制造方法及图纸
本发明一个目的是提供一种含磷硅质材料,其相对介电常数不大于3.5。本发明所述含磷硅氮烷组合物其特征在于含有存在于有机溶剂中的聚烷基硅氮烷和至少一种磷化合物。一种含磷硅质膜可通过下述方法形成:涂敷所述组合物到基片上以形成膜,该膜接着在50...
用于形成精细图形的材料和使用该材料形成精细图形的方法技术
本发明提供了一种精细图形形成材料,含有水溶性树脂,水溶性交联剂,和水或由水和水溶性有机溶剂的混合液组成的溶剂,其特征在于其包含胺化合物;还提供了一种使用该材料的精细图形形成方法。该胺化合物为伯胺化合物或季胺化合物,该伯胺化合物包括肼,脲...
涂料组合物和通过使用该涂料组合物制得的低介电硅质材料制造技术
本发明提供一种涂料组合物,它能简便地制备出具有优异机械强度且同时具有稳定的非常低水平介电常数和对多种化学品有良好耐化学品性的多孔硅质膜,并提供了一种通过使用该涂料组合物制备硅质材料的方法。本发明涂料组合物含有聚烷基硅氮烷化合物、乙酰氧基...
用于形成蚀刻停止层的组合物制造技术
本发明的目的是提供用于形成蚀刻停止层的组合物,该组合物能够同时实现干法蚀刻选择性和低的介电常数,以及使用该组合物生产半导体装置的方法。该目的可以通过用于形成蚀刻停止层的包括含硅聚合物的组合物,包含在该组合物中的含硅聚合物包括二甲硅烷基苯...
水溶性树脂组合物和使用该组合物形成图案的方法技术
一种用于图案形成方法中的水溶性树脂组合物,所述方法涉及涂敷涂层到由ArF响应的辐射敏感树脂组合物形成的抗蚀图上并增大所述抗蚀图宽度以获得有效小型化的沟槽图案和孔图案,其中,抗蚀图层的尺度收缩程度比现有技术有提高,并且,其中粗/密抗蚀图对...
用于形成沟槽隔离结构的方法技术
本发明提供一种具有硅质膜的基础材料,它在沟槽隔离结构的沟内部没有空隙和破裂,并且在基片和硅质膜之间具有优良的粘着性,还提供了一种制备具有硅质膜的基础材料的方法。沟槽隔离结构是通过这样一种方法形成的,该方法包括涂敷含硅聚合物溶液到有沟槽隔...
具有较小平带位移的硅质膜及其制备方法技术
本发明涉及一种制备具有良好绝缘性的硅质膜的方法,及应用于该方法的涂料组合物。该涂料组合物包含数均分子量为100~50,000的全氢聚硅氮烷或改性全氢聚硅氮烷,以及铝化合物,用铝原子与硅原子的摩尔比表示,该涂料组合物的含铝量不小于10pp...
聚硅氮烷处理溶剂及用该溶剂处理聚硅氮烷的方法技术
本发明涉及一种聚硅氮烷处理溶剂,其具有优异的溶解力和稳定性,对于作为底层的基底和聚硅氮烷的性能没有影响,具有良好的切割边缘形状,另外对于人体是高度安全的。该处理溶剂包含从由四氢化萘,对薄荷烷,对异丙基苯甲烷,α-蒎烯,1,8-桉树脑及其...
光致抗蚀剂用溶剂以及采用它的狭缝涂敷用光致抗蚀剂组合物制造技术
本发明涉及一种光致抗蚀剂用溶剂以及采用它的狭缝涂敷用光致抗蚀剂组合物。提供不降低固体成分含量、能够进行狭缝涂敷的高速涂敷的光致抗蚀剂用溶剂,以及能够通过狭缝涂敷进行高速涂敷的光致抗蚀剂组合物。该溶剂是可以通过狭缝涂敷法涂敷于基板的光致抗...
制备硅质膜的方法以及带有由该方法制备的硅质膜的衬底技术
本发明的目的在于提供一种制备硅质膜的方法以及带有由该方法制备的硅质膜的衬底。该硅质膜的品质均匀,无关位置并无关在凹槽的内部还是外部,并且在凹槽内部无孔隙和裂纹。通过在具有凹凸的硅衬底表面上形成含氢量高的绝缘膜,然后在该衬底上涂覆含聚硅氮...
含硅共聚物的组合物、可溶剂溶解的交联含硅共聚物及由其制备的固化产品制造技术
一种组合物,包含交联剂和数均分子量为500-1,000,000的含硅共聚物,该含硅共聚物含有由式(Ⅰ)和(Ⅱ)表示的必要单元,并可以包含由式(Ⅲ)-(Ⅶ)表示的任选单元,在-20-100℃反应1-3小时。所得组合物涂覆于基底上,并在15...
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