本实用新型公开了一种野外森林火情检测红外成像仪安装装置，包括外壳装置箱，外壳装置箱下方中心处固定有内置柱体，内置柱体下方可拆卸的安装有安装柱，安装柱的底部设置有底座；外壳装置箱上方设置有通风壳，通风壳顶部开设有通风口，外壳装置箱内部中心...

本发明公开了一种含有氟效应的N,O

本发明公开了一种吲哚啉衍生物的合成方法。该反应是利用三取代芳香胺1与碘叶立德2在可见光驱动的下进行反应。本方法仅使用可见光作为绿色能源进行驱动，无需任何催化剂以及添加剂，反应条件温和，易于操作，并能通过流动光化学的方法进行大量合成。化学...

本公开涉及数据分析技术领域，具体涉及一种文献识别方法、装置、电子设备以及计算机可读存储介质，该文献识别方法包括：构建候选文献数据集和候选文献引文集合；获取候选文献数据集中各候选文献的施引文献数目、各候选文献的各施引文献的权重和引用信息，...

本实用新型公开了一种生态环境监测装置，涉及生态环境监测技术领域，包括底座，底座的顶部设置有两根电动伸缩杆，该生态环境监测装置，通过设置有活塞缸、转动杆与第二软管，第二伺服电机的输出端带动转动杆转动，使得凸轮反向转动，使得凸轮的圆面端向推...

本发明涉及一种基于图形质心跟踪算法的纺织丝饼油污缺陷检测方法，包括：获取丝饼图像，图像降采样；图像灰度化；高斯滤波及二值化处理；边缘轮廓绘制，边缘轮廓最小外接矩形绘制；构建一张掩膜图像，与经降采样后的图像相与后得到掩膜后的图像；设定油污...

本发明涉及一种基于形状特征的纸管破损缺陷检测方法，包括：获取纸管图像，图像降采样；图像灰度化；高斯滤波，像素变换操作；二值化处理；边缘轮廓绘制，获取所有轮廓的面积；根据迭代方法保留最大轮廓面积，最大轮廓面积所对应的轮廓为最大轮廓，绘制最...

本发明公开三维点云分类及旋转姿态预测方法及系统，旋转不变性表示模块中先计算点云中每个点对应的法向量。在法向量点云上聚类得到与输入点云旋转同变的参考轴，以此参考轴固定点云的旋转姿态。在点云分类网络中，输入点云先经过旋转不变性表示模块多次旋...

本发明公开了一种基于进化计算的高光谱图像波段选择方法，涉及遥感图像处理技术领域，具体包括：使用多目标优化算法，对高光谱图像进行降维；在对高光谱特征选择的时候，随机在高光谱图像上取若干个像素点，计算这若干个像素点与其空间领域像素点之间在经...

本发明公开了一种双频甚低频天线，包括：正负电极、硅基板、压电材料、应力

本发明提供一种基于网络表示学习和层次标签嵌入的专利分类方法及系统，方法包括：获取包含类别标签等数据的专利信息；利用专利引文、发明人与权利人信息构造发明人网络和权利人网络；通过层次标签嵌入获得标签描述的语义特征表示，结合层次类别结构关联性...

本发明提出了一种永磁同步电机匝间短路下转矩脉动抑制控制方法，包括以下步骤：S1、利用转速PI调节器获得交轴电流参考值；S2、将采集的永磁同步电机的三相电流变换成为dq坐标系下的两相电流，建立dq坐标系下(k+1)时刻的电流离散方程；以(...

本发明涉及一种基于扩展局部二值模式的纺织丝饼成型不良缺陷检测方法，包括：获取丝饼图像，图像降采样；图像分割和图像裁剪；仿射变换；获取数据集；通过扩展的LBP算法计算出训练集中各个图像的纹理特征向量；生成XML文件；计算出测试集中各个图像...

本发明提出了一种基于虚拟变量的内置式永磁电机最小损耗控制方法，包括以下步骤：S1、构造一个与电磁转矩成正相关的虚拟变量i

本发明属于语音处理领域，具体涉及一种基于Transformer改进的语音增强方法、系统、装置。该方法包括如下步骤：S1：对标准Transformer网络进行改良得到用于执行语音增强任务的序列模型。S2：在序列模型的输入和输出端分别增加线...

本发明提供一种基于信息熵过采样的软件缺陷预测方法及系统，方法包括：获取软件缺陷数据集；将数据集划分为训练集测试集，并计算训练集中多数类样本和少数类样本的类确定性熵；根据类确定性熵将多数类样本和少数类样本划分为安全样本、关键样本、危险样本...

本发明公开了一种强下拉锁存结构电平转换电路，包括两极输入反相器、强下拉锁存电路和DLS输出反相器；所述强下拉锁存电路包括由四个PMOS晶体管和两个NMOS晶体管构成的两部分结构，每一部分结构均包括一个RVT上拉PMOS晶体管、一个HVT...

本发明公开了一种双定子永磁直线电机退磁故障诊断系统及方法，系统包括待诊断直线电机，驱动器和上位机，所述上位机将控制指令发送给驱动器，驱动器向待诊断直线电机发送控制脉动，驱动待诊断直线电机运行，待诊断直线电机将自身运动状态信号反馈给驱动器...

本发明提供了一种基于SERS机理实时原位监测还原反应的方法，包括以下步骤：

本发明公开了一种14T抗辐照SRAM存储单元电路，包括8个NMOS晶体管和6个PMOS晶体管；PMOS晶体管P5和NMOS晶体管N3构成第一个反向器，PMOS晶体管P6和NMOS晶体管N4构成第二个反向器，这两个反向器交叉耦合；N1与N...