【技术实现步骤摘要】
【专利摘要】本技术涉及一种绿芯片加红荧光粉的小模组高光通LED封装结构,结构包括支架和双电极绿光芯片,所述支架包括碗杯和杯壁;所述碗杯呈扁平状正方型结构;所述杯壁的纵截面为三角形,并位于碗杯的边缘,所述杯壁的杯口呈圆形;所述碗杯的上表面安装有所述双电极绿光芯片,所述双电极绿光芯片通过两根导线与碗杯上的电极相连;所述双电极绿光芯片周围固化有红色荧光粉胶体层。本技术能够提高发光亮度且降低成本。【专利说明】绿芯片加红荧光粉的小模组高光通LED封装结构
本技术涉及LED封装
,特别是涉及一种绿芯片加红荧光粉的小模组高光通LED封装结构。
技术介绍
现有LED封装中发光芯片采用的是AllnGaP芯片,由于AllnGaP芯片一般为单电极,封装时正负极性无法变通,AllnGaP为芯片本身的发光波长,其发光波长不可调,AllnGaP芯片材质较脆,容易损坏。同时采用AllnGaP芯片封装的LED光亮度较低,成本较闻。
技术实现思路
本技术所要解决的技术问题是提供一种绿芯片加红荧光粉的小模组高光通LED封装结构,能够提高发光亮度且降低成本。本技术解决其技术问题所采用的技术方案是:提供一种绿芯片加红荧光粉的小模组高光通LED封装结构,包括支架和双电极绿光芯片,所述支架包括碗杯和杯壁;所述碗杯呈扁平状正方型结构;所述杯壁的纵截面为三角形,并位于碗杯的边缘,所述杯壁的杯口呈圆形;所述碗杯的上表面安装有所述双电极绿光芯片,所述双电极绿光芯片通过两根导线与碗杯上的电极相连;所述双电极绿光芯片周围固化有红色荧光粉胶体层。所述双电极绿光芯片为InGaN芯片。所述红色荧光粉胶体层由 ...
【技术保护点】
一种绿芯片加红荧光粉的小模组高光通LED封装结构,包括支架(1)和双电极绿光芯片(2),其特征在于,所述支架(1)包括碗杯(11)和杯壁(12);所述碗杯(11)呈扁平状正方型结构;所述杯壁(12)的纵截面为三角形,并位于碗杯(11)的边缘,所述杯壁(12)的杯口呈圆形;所述碗杯(11)的上表面安装有所述双电极绿光芯片(2),所述双电极绿光芯片(2)通过两根导线(3)与碗杯(11)上的电极相连;所述双电极绿光芯片(2)周围固化有红色荧光粉胶体层(4)。
【技术特征摘要】
【专利技术属性】
技术研发人员:应园,
申请(专利权)人:宁波协源光电科技有限公司,
类型:实用新型
国别省市:
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