【技术实现步骤摘要】
【技术保护点】
硅基凝胶叠层热解反应法制备单晶SiC薄膜的方法,其特征在于,包括以下步骤:1)PS溶胶的制备:称取聚苯乙烯粒料置于甲苯溶剂中,并在40℃水浴中恒温加热使之完全溶解,形成浓度为66.6g/L的PS溶胶;2)SiO2溶胶制备:室温下将体积比1:1的正硅酸乙脂和乙醇相混合,超声分散15分钟,逐滴加入浓度为0.02mol/L的稀HNO3作为催化剂,至PH值3~4之间,此时,正硅酸乙脂:乙醇:稀HNO3的体积比为1:1:2~2.5,继续搅拌30分钟,静置制成SiO2溶胶;3)将单晶Si片清洗干净;4)将单晶Si片置于甩胶机的平台上,用滴管将OCS溶胶滴于单晶Si片上,开动甩胶机,以300~500转/分钟的转速旋转30秒后,增加转速至3000~4500转/分钟,旋涂2分钟;5)取下甩胶后的单晶Si片,立即置于50℃的恒温干燥箱内老化24小时,使之形成表面具有均匀平整OCS凝胶层的OCS/Si片;6)将老化好的OCS/Si片置于甩胶机上,用滴管将PS溶胶滴于OCS/Si片上,开动甩胶机,以300~500转/分钟的转速旋转30秒,然后增加转速到3000~4500转/分钟,旋涂2分钟;7)将旋涂好PS溶 ...
【技术特征摘要】
【专利技术属性】
技术研发人员:王玉霞,
申请(专利权)人:北京世纪先承信息安全科技有限公司,王玉霞,
类型:发明
国别省市:
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