本发明提供了一种硅基凝胶叠层热解反应法制备单晶SiC薄膜的方法，首先依次将制备的SiO2溶胶、PS溶胶用甩胶机旋涂在干净的单晶Si片上，经过分别进行老化形成PS/OCS叠层凝胶；然后置于无氧状态的管式加热炉中的坩埚中，于390℃恒温30...