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本发明提供了一种硅基凝胶叠层热解反应法制备单晶SiC薄膜的方法，首先依次将制备的SiO2溶胶、PS溶胶用甩胶机旋涂在干净的单晶Si片上，经过分别进行老化形成PS/OCS叠层凝胶；然后置于无氧状态的管式加热炉中的坩埚中，于390℃恒温30分钟...
该专利属于北京世纪先承信息安全科技有限公司;王玉霞所有，仅供学习研究参考，未经过北京世纪先承信息安全科技有限公司;王玉霞授权不得商用。

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