电子器件制造技术

一种包括晶体管阵列的器件，该器件包括：位于衬底上的层堆叠中的下层级和上层级处的图案化导电层，所述图案化导电层限定所述晶体管阵列的栅极导体和源-漏电极；其中，所述层堆叠还包括在所述下层级之下的电介质层以及在所述电介质层之下的另一图案化导电层；其中，所述另一图案化导电层既经过所述电介质层提供所述晶体管阵列中的电功能，又限定开口，所述电介质层经由所述开口用于增加所述器件衬底与在所述下层级处的所述图案化导电层之间的粘接强度。

【技术实现步骤摘要】
【国外来华专利技术】

【技术保护点】

【技术特征摘要】
【国外来华专利技术】...

【专利技术属性】
技术研发人员：M·杰克逊，C·罗穆斯黛尔，J·卓迈尔，
申请(专利权)人：造型逻辑有限公司，
类型：
国别省市：