描述了一种减少由有源矩阵电光显示器和显示驱动器显示的图像中的伪像的方法，所述电光显示驱动器包括多个有源矩阵像素驱动器，每个有源矩阵像素驱动器驱动电光显示器的相应像素，每个有源矩阵像素驱动器具有与显示驱动器的公共背板连接耦合的相关联的存储...

一种测试电子电泳显示器的方法，包括：将远程设备连接至所述电子显示器并在所述远程设备上显示用户界面。然后接收用于开始测试的用户输入，并从所述远程设备向所述电子显示器发送初始化信号，以清除所述显示器。然后接收用于显示图像的另一用户输入，并从...

一种柔性电子阅读设备，所述设备包括显示器部分和手柄，其中所述显示器部分包括:显示器背板，在柔性基板上；以及显示器，安装在所述显示器背板上面；其中，所述手柄位于所述显示器背板的一个边缘处并且包含用于所述显示器的显示器接口电子装置；并且所述...

一种用于生产多个像素化显示装置的方法，每个装置包括：包含单独可控的像素电极阵列的第一构件；以及包括含有光传输特性不同的至少两个不同类型的像素滤波器的像素滤波器阵列的第二构件，每个像素滤波器与所述像素电极中的各自一个像素电极关联；其中该方...

描述了一种显示系统，包括：耦接至显示驱动器并且包括感生电压补偿电路的电光显示器。补偿电路包括：用于测量对显示器的公共像素电极施加的电压的系统；以及以下系统之一或二者：用于测量显示器的像素选择线上的电压摆动的系统，以及用于测量由于在显示器...

被封装在封装结构中的电子开关器件阵列；其中所述阵列暴露到位于所述阵列与所述封装结构之间的一个或多个气体容腔。

一种技术包括：形成装置的横向延伸的切换电路，用于控制所述装置的像素导体(11)的重叠的横向延伸的阵列；在所述切换电路之上经由第一绝缘区域(7)形成导电的横向延伸的图案化的屏蔽器(8)，所述图案化的屏蔽器(8)限定用于收容所述切换电路与所...

一种制作用于反射式显示装置的控制部件的技术，其包括：形成电子切换装置的阵列；在所述电子切换装置的阵列之上形成限定受控表面形貌的绝缘体区域；以及通过保形沉积技术在绝缘体区域的图案化表面上形成反射的像素导体的基本上平面的阵列，每个像素导体是...

一种包括晶体管阵列的器件，该器件包括：位于衬底上的层堆叠中的下层级和上层级处的图案化导电层，所述图案化导电层限定所述晶体管阵列的栅极导体和源-漏电极；其中，所述层堆叠还包括在所述下层级之下的电介质层以及在所述电介质层之下的另一图案化导电...

一种技术，包括：将器件衬底安装在处理支承件上；在器件衬底如此安装在处理支承件上时在器件衬底上形成一个或更多电子元件；其中该器件衬底包括有机支承结构，并为上面的电子元件提供主要保护以防止劣化物质从器件衬底的与该一个或更多电子元件相反的一侧...

一种技术包括：通过分解过程从一个或更多个较大的基板形成多个较小的基板，根据该分解过程在较小的基板之间存在某一在变化范围内的可能变化尺寸；以及，在所述分解过程之前，为所述一个或更多个较大的基板提供一个或更多个检测标记，该检测标记的尺寸和位...

一种技术，包括：在第一有机层（7）的表面的一部分上形成电子器件的导电元件（9），将第二有机层（10）施加于所述导电元件和所述第一有机层之上，并且然后处理所述第一和第二有机层中的至少一个有机层，以提高所述第一和第二有机层之间的粘合强度，并...

一种制造一个或更多电子开关器件的技术，每个开关器件包括在两个电极之间的半导体沟道以及将所述半导体沟道与开关电极分隔开的电介质元件，该方法包括：通过将材料从旋转的第一辊转移到衬底上，在所述衬底上沉积所述材料的层以用于至少部分地形成所述一个...

一种技术包括：根据对于第一显示装置的光学特性的一个或更多个测量的结果以及对于一个或更多个其它装置的所述光学特性的一个或更多个测量的结果，来确定对于用于第一显示装置的前板公共电极的驱动电压的校正，所述一个或更多个其它装置包括具有与第一显示...

一种技术包括：经由投影透镜（12）使用激光束来烧蚀目标表面（2），以作为限定一个或更多个电子设备的一个或更多个元件的过程的一部分，其中在经由抽取装置进口（6）抽取从目标表面烧蚀的材料的同时执行该烧蚀，该抽取装置进口至少具有在所述目标表面...

一种技术，包括：利用一个或更多粘合元件（6）将器件衬底（8）固定到载体（1）；在该器件衬底如此固定到该载体时在该器件衬底上形成电子元件（10）；以及之后减小该一个或更多粘合元件中的至少一个的粘合强度以便于从该载体释放该衬底。

一种技术，包括：将包含用于支撑显示介质（6a）的第一柔性基板（4）的前面板（1）以及包含用于支撑用来控制所述显示介质的电子元件阵列（9）的第二柔性基板（8）的背板（2）组装在一起；并且通过在第一和第二导电元件（5、10）之间的区域内将导...

一种技术，包括：生产根据公共的生产工艺的多种器件；并且使用取决于器件的第一元件与经由所述层部分下垫于所述第一元件之下的器件的第二元件之间的重叠面积的第一电性质的指示值来确定所述多个器件之一的层的厚度，其中该方法还包括：另外使用取决于器件...

本发明涉及电子器件阵列。一种制造该电子器件阵列的方法包括以下步骤：在衬底上形成第一电子器件的一个或多个第一导电元件以及在上述衬底上形成第二电子器件的一个或多个第二导电元件；在衬底和第一及第二导电元件上形成沟道材料层以提供第一沟道，用于上...

本发明涉及一种制作诸如薄膜晶体管之类的电子器件的方法，使用激光切除用于选择性切除。所述有机电子器件具有这样的结构，包括上导电层和所述上导电层的紧邻下层，并且具有至少一种溶液可处理半导体层，制作所述有机电子器件的方法包括通过以下步骤对所述...