造型逻辑有限公司专利技术

造型逻辑有限公司共有38项专利

  • 本发明涉及用于对柔性基板中的扭曲进行补偿的像素架构并且涉及制造包括所述像素架构在内的显示器的方法。本发明提供了一种用于对柔性显示器的柔性基板中的扭曲进行补偿的像素架构,该架构包括:第一层,包括在柔性基板上的薄膜晶体管(TFT);第二层,...
  • 本发明描述了一种使用计算机化的第二计算机化电子设备在电子文档阅读设备上显示文档的一页或多页的方法,所述方法包括以下步骤:在第二电子设备上运行文档显示管理程序;使用管理程序来调用运行在第二电子设备上的应用程序以在第二电子设备上打开文档,使...
  • 本发明描述了一种用于显示电子文档页的显示设备,所述显示设备包括中央可重写部分、不可重写边界,具有由显示边缘限定的外部侧向物理维度,其中,边界被着色为实质上与中央可重写部分的背景颜色相匹配,使得当在中央可重写部分上显示文档页的前景部分时,...
  • 本发明描述了一种用于在电子纸显示器上显示所打印的文档的便携式无纸电子打印机。所述便携式无纸电子打印机包括:输入,用于接收来自计算机化电子设备的打印机驱动器的输出的打印数据;非易失性电子显示器,用于提供对文档页的所存储的打印数据的电子纸显...
  • 本发明描述了一种使用显示设备来显示具有预定尺寸的文档页的方法,所述显示设备具有对实质上不大于所述预定尺寸的侧向维度加以限定的边缘、并且具有中央可重写显示部分和不可重写边界,所述文档页包括承载文本和图形之一或两者的中央前景部分、具有背景颜...
  • 形成有机或部分有机开关器件的方法,包含:通过溶液处理和直接印刷沉积导电、半导电和/或绝缘层;通过排斥第二材料溶液的第一图形周围表面能屏障的自对准形成来确定电活化聚合物的高分辨率图形。
  • 用于在激光构图衬底上无电敷镀金属的方法。提供衬底,其上沉积了热成像层和催化层。用激光束曝光时,足够量的辐射在热成像层中被转变成热量,使得相邻的催化层的被曝光区域变得没有活性。然后将激光构图的衬底接触反应溶液,引起金属膜在催化层未曝光的区...
  • 一种制作晶体管的方法,包括:从第一溶剂的溶液中沉积出第一材料,形成晶体管的第一层;随后在第一材料保持溶解在第一溶剂中时,通过从第一材料基本不溶解的第二溶剂的溶液中在第一材料上沉积第二材料,形成晶体管的第二层。
  • 一种在衬底上制作电子器件的方法,该器件包括在多个区域中的导电或半导体材料,器件的运行利用从第一区域到第二区域的电流,该方法包括:通过混和材料和液体形成一种混合物;在衬底上形成一种限定结构,它包括在衬底的第一面积中的第一区域和在衬底的第二...
  • 一种形成电子器件的方法,包括:形成第一导体或半导体层,在第一导体或半导体层上制作一系列的至少一个绝缘层和至少一个半导体层;在绝缘层的部分区域局部沉积溶剂以溶解该区域中的系列绝缘层和半导体层而留下穿过这些层的孔隙;并将导体或半导体材料沉积...
  • 一种制作包括至少两个互连的电子开关器件的集成电路的方法,该方法包括通过喷墨印刷形成至少一部分的电子开关器件。
  • 一种用于形成有机或部分有机开关器件的方法,包括:通过溶液处理和直接印刷来沉积导电层,半导体层,绝缘层,或表面改性层;并且通过暴露于聚焦激光束来定义这些层的高分辨率图案。
  • 一种形成取向聚合物层的方法,该方法包括:在溶剂内淀积聚合物膜;使聚合物产生取向,同时一些溶剂仍残留在膜内;和通过从膜中除去溶剂来固化膜。
  • 形成有机或部分有机开关器件的方法,包含:    通过溶液处理和直接印刷沉积导电、半导电和/或绝缘层;通过排斥第二材料溶液的第一图形周围表面能屏障的自对准形成来确定电活化聚合物的高分辨率图形。
  • 一种用于在多层结构中形成电子器件的方法,包括以下步骤:    在横向延伸的第一层中限定表面形状分布;    在所述第一层上沉积至少一个非平面化层,以使所述或每个非平面化层的表面的表面形状分布与所述横向延伸的第一层的表面形状分布一致;以及...
  • 一种制造电子器件阵列的方法,包括以下步骤:在衬底上形成第一电子器件的一个或多个第一导电元件以及在上述衬底上形成第二电子器件的一个或多个第二导电元件;在衬底和第一及第二导电元件上形成沟道材料层以提供第一沟道,用于上述第一电子器件的导电元件...
  • 本发明总体涉及例如采用电阻式触摸屏技术结合柔性触摸屏元件和柔性显示器,以制造柔性组合设备。触敏有源矩阵显示器设备包括:在第一柔性基底上制造的显示器,所述显示器具有视面;以及位于所述显示器下面的具有第二柔性基底的触敏传感器;其中通过触摸所...
  • 一种用于有源矩阵显示器像素的器件体系结构,包括形成在该器件的第一金属层面上的源极寻址线和TFT漏电极、形成在第二分开的金属层面上的像素电极、和在利用至少一个电介质层与第一层面和第二层面分开的第三金属层面上的TFT栅电极和栅极寻址线,其中...