【技术实现步骤摘要】
本专利技术涉及取向聚合物，特别地涉及适合于在器件如聚合物薄膜晶体管中使用的取向聚合物，取向聚合物的方法，和掺入这种聚合物的器件。取向聚合物优选基本上平行取向的液晶共轭聚合物。半导体共轭聚合物场效应晶体管(FET)具有作为集成逻辑电路的关键元件(C.Drury等，APL73，108(1998))和基于柔性塑料衬底上的溶液加工得到的光电器件(H.Sirringhaus等，Science280，1741(1998))的潜在应用。已发现，得到高电荷载流子迁移率的一个主要标准是活性半导体聚合物中的高度结构有序性。已公知，对于一些聚合物来说，有可能使用诸如Langmuir-Blodgett(LB)淀积(R.Silerova，Chem.Mater.10，2284(1998))、拉伸取向(D.Bradley，J.Phys.D20，1389(1987))或共轭聚合物膜摩擦(M.Hamaguchi等，Appl.Phys.Lett.67，3381(1995))之类的加工技术，在薄膜中诱导聚合物链的单轴取向。已采用通过拉伸取向(P.Dyreklev等，Solid State Communications 82，317(1992))和LB淀积(J.Paloheimo等，Thin Solid Films 210/211，283(1992))制造的单轴取向聚合物膜，制造聚合物FET器件。然而，这些研究中的场效应迁移率较低(＜10-5cm2/Vs)。可利用一些聚合物的自有序化趋势获得薄聚合物膜中的局部有序性。一个例子是聚-3-己基噻吩(P3HT)，其中可通过刚性主链和柔性侧链的相偏...
【技术保护点】
一种形成取向聚合物层的方法，该方法包括：淀积在溶剂内的聚合物膜；使聚合物产生取向，同时一些溶剂仍残留在膜内；和通过从膜中除去溶剂来固化膜。
【技术特征摘要】
GB 2001-7-9 0116735.2;GB 2002-1-14 0200643.5;GB 201.一种形成取向聚合物层的方法，该方法包括淀积在溶剂内的聚合物膜；使聚合物产生取向，同时一些溶剂仍残留在膜内；和通过从膜中除去溶剂来固化膜。2.权利要求1的方法，其中在膜内存在的溶剂量大于0.1wt％时，进行使聚合物产生取向的步骤。3.权利要求2的方法，其中在膜内存在的溶剂量小于20wt％时，进行使聚合物产生取向的步骤。4.权利要求1-3任何一项的方法，其中使聚合物产生取向的步骤包括使聚合物变为易溶相。5.权利要求1的方法，其中膜厚小于100nm。6.前述任何一项权利要求的方法，其中固化膜的步骤包括使溶剂从膜中蒸发。7.权利要求6的方法，其中从膜中蒸发溶剂的时间大于5分钟。8.前述任何一项权利要求的方法，其中在溶剂内，从溶液中淀积聚合物，其中聚合物在所述溶剂内的回转半径大于在其θ溶剂内聚合物的回转半径。9.前述任何一项权利要求的方法，其中取向膜的步骤包括使膜与溶剂饱和的氛围接触。10.前述任何一项权利要求的方法，其中取向聚合物的步骤包括使膜退火，同时一些溶剂仍残留在膜内。11.权利要求10的方法，其中退火温度小于150℃。12.前述任何一项权利要求的方法，其中从溶液中淀积聚合物，所述溶液含有第一溶剂和沸点比第一溶剂低的第二溶剂。13.权利要求12的方法，其中第一溶剂的沸点高于150℃。14.权利要求12或13的方法，其中第二溶剂的沸点低于150℃。15.权利要求12-14之一的方法，其中在第二溶剂蒸发之后，聚合物在第一溶剂内形成易溶相。16.前述任何一项权利要求的方法，其中使聚合物产生取向的步骤包括使膜与取向衬底接触，该取向衬底具有能在聚合物内诱导取向的表面浮雕。17.前述任何一项权利要求的方法，其中使聚合物产生取向的步骤包括将膜暴露于线性偏振光下。18.权利要求16的方法，其中能在聚合物内诱导取向的衬底含有光敏层，该光敏层已被光致取向和通过暴露于偏振光的聚焦光束下形成图案。19.前述任何一项权利要求的方法，其中固化膜的步骤包括加热膜，以促使溶剂从膜中蒸发。20.前述任何一项权利要求的方法，其中固化膜的步骤包括将膜暴露于真空，以促使溶剂从膜中蒸发。21.前述任何一项权利要求的方法，其中聚合物是电活化聚合物。22.前述任何一项权利要求的方法，其中聚合物是共轭聚合物。23.前述任何一项权利要求的方法，其中取向是液晶取向。24.前述任何一项权利要求的方法，其中取向是聚合物主链相对于取向向量的取向。25.前述任何一项权利要求的方法，其中通过喷墨打印淀积膜。26.权利要求25的方法，其中聚合物溶液的液滴被喷墨打印在取向衬底上，和当该溶剂或每一种溶剂蒸...
【专利技术属性】
技术研发人员：H西林豪斯，AC阿里亚斯，JD麦卡肯齐，
申请(专利权)人：造型逻辑有限公司，
类型：发明
国别省市：GB[英国]
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