【技术实现步骤摘要】
本专利技术涉及设备例如有机电子器件和用于形成这种器件的方法。半导体共扼(conjugate)聚合物薄膜晶体管(TFT)最近变得有兴趣应用于集成在塑料衬底上的便宜的逻辑电路(C.Drury等人,APL 73,108(1998))以及高分辨率有效矩阵显示器中的光电子集成器件和像素晶体管开关(H.Sirringhaus等人,Science 280,1741(1998),A.Dodabalapur等人,Appl.Phys.Lett.73,142(1998))中。在使用聚合半导体和无机金属电极和栅极绝缘层的测试器件配置中,高性能TFT已经说明。高达0.1cm2/Vs的载流子迁移率和106-108的开关电流比已经达到,这可与非晶硅TFT的性能相比较(H.Sirringhaus等人,Advances in Solid State Physics,39,101(1999))。聚合半导体的优点之一在于它们适用于简单且低成本的溶解处理。但是,全聚合物FFT器件和集成电路的制造要求能够形成聚合物导体,半导体和绝缘体的横移模式。各种图案形成技术例如照相平版印刷术(WO 99/10939 A2),丝网印刷(Z.Bao等人,Chem.Mat.9,1299(1997)),软平版冲压(J.A.Rogers,Appl.Phys.Lett.75,1010(1999))和微模塑法(J.A.Roger,Appl.Phys.Lett.72,2716(1998))以及直接喷墨印刷(H.Sirringhaus等人,UK 0009911.9)已经说明。许多直接印刷技术不能提供定义TFT的源极和漏极 ...
【技术保护点】
一种用于在衬底上形成电器件的方法,其中该电器件包括至少一个形成图案的层,该方法包括选择性地将衬底上的材料暴露于光束,以便改变层的物理性质,并且引起层的图案形成。
【技术特征摘要】
GB 2001-5-23 0112611.9;GB 2001-7-2 0116174.41.一种用于在衬底上形成电器件的方法,其中该电器件包括至少一个形成图案的层,该方法包括选择性地将衬底上的材料暴露于光束,以便改变层的物理性质,并且引起层的图案形成。2.权利要求1的方法,其中所述形成图案的层包括有机材料。3.权利要求1或2的方法,其中该方法包括选择性地将衬底上的有机材料的第一层暴露于光束,以便改变暴露于光束的区域中的该层的溶解度参数。4.权利要求3的方法,其中第一层的溶解度参数被改变,使得材料不可溶解于在曝光之前可以溶解于其中的溶剂中。5.权利要求4的方法,包括清洗材料的第一层,以便清除没有暴露于光束的区域中的第一层的材料的步骤。6.权利要求3~5的任何一个的方法,其中溶解度参数的改变包括引起层的材料的相位分隔和/或第一层的材料的交联。7.权利要求1和2的任何一个的方法,其中该方法包括选择性地将衬底上的材料的第一层暴露于光束,以便改变暴露于光束的区域中的第一层的材料的表面自由能。8.权利要求7的方法,其中在暴露于光束之后,第一层从局部区域中的衬底上清除,以便暴露下面衬底的表面。9.权利要求7或8的方法,包括将有机材料的第二层沉积到第一层上,第二层从溶剂中的溶液沉积,使得材料的第二层的沉积的图案受材料的第一层的改变的表面自由能的区域所影响。10.权利要求9的方法,其中选择第二层的材料从其沉积的溶剂,使得第二层的材料禁止沉积在材料的第一层的改变的表面自由能的区域中。11.权利要求10的方法,其中选择第二层的材料从其沉积的溶剂,使得第二层的材料禁止沉积在材料的第一层中表面自由能没有被光束改变的区域中。12.权利要求1和2的任何一个的方法,其中该方法包括选择性地将衬底上的材料的第一层暴露于光束,以便清除暴露于光束的区域中的第一层的材料。13.权利要求12的方法,其中第一层的材料在暴露于光束的区域中解吸和/或蒸发。14.权利要求1和2的任何一个的方法,其中该方法包括使衬底上的材料的第一层与反应介质相接触,并且选择性地将材料的第一层暴露于光束,以便促进暴露于光束的区域中第一层的材料与反应介质之间的化学反应。15.权利要求14的方法,其中反应介质包含在第一层中。16.权利要求14的方法,包括将气态或液态的反应介质施加到第一层的表面的步骤。17.权利要求14~16的任何一个的方法,其中化学反应是这样的,以至于改变暴露于光束的区域中的第一层的材料的溶解度和/或表面自由能和/或电性能。18.权利要求1和2的任何一个的方法,其中该方法包括选择性地将衬底上的材料的第一层暴露于光束,以便改变暴露于光束的区域中的该层的体积。19.任何一个前面的权利要求的方法,其中光束是聚焦光束。20.任何一个前面的权利要求的方法,其中光束是这样的,以至于引起暴露于光束的区域中的第一层的局部加热。21.权利要求20的方法,其中暴露于光束的区域中的衬底的局部温度在暴露于光束的过程中不超过350℃。22.权利要求20的方法,其中暴露于光束的区域中的衬底的局部温度在暴露于光束的过程中不超过200℃。23.权利要求20的方法,其中暴露于光束的区域中的衬底的局部温度在暴露于光束的过程中不超过120℃。24.前面的权利要求的任何一个的方法,其中第一层的厚度小于1μm。25.权利要求1~24的任何一个的方法,其中第一层形成电器件的导电电极。26.权利要求1~24的任何一个的方法,其中第一层形成电器件的半导体层。27.权利要求1~24的任何一个的方法,其中第一层形成电器件的绝缘层。28.权利要求1~24的任何一个的方法,其中第一层形成电器件的表面改性层。29.任何一个前面的权利要求的方法,其中光束具有小于10μm的宽度。30.任何一个前面的权利要求的方法,其中光束具有小于1μm的宽度。31.任何一个前面的权利要求的方法,其中光束是激光束。32.任何一个前面的权利要求的方法,其中光束是红外光的光束。33.权利要求1~31的任何一个的方法,其中光束属于可见光。34.权利要求1~31的任何一个的方法,其中光束属于紫外光。35.任何一个前面的权利要求的方法,包括跨越第一层来移动光束,以执行所述选择性的暴露并定义期望的图案。36.任何一个前面的权利要求的方法,其中光束是偏振光的光束。37.权利要求36的方法,其中第一层暴露于光束引起第一层的材料的光对准。38.权利要求37的方法,其中第一层的材料的光对准与第一层的图案形成同时。39.权利要求36~38的方法,包括沉积第二有机层,该第二有机层获得与光对准的层相接触的对准分子结构。40.权利要求39的方法,其中第二有机层是液晶共扼聚合物层。41.任何一个前面的权利要求的方法,其中第一层是电器件的所述形成图案的层。42.权利要求41的方法,其中第一层是电器件的活性层。43.权利要求1~8或12~42的任何一个的方法,包括在第一层上沉积有机材料的第二层,使得第二层的沉积的图案受第一层的图案形成所影响。44.权利要求9~11或43的任何一个的方法,其中第二层是电器件的所述形成图案的层。45.权利要求44的方法,其中第二层是电器件的活性层。46.权利要求1~8或12~42的任何一个的方法,包括将第二衬底上的材料的层暴露于聚焦光束,以便引起材料的层的图案到第一衬底上的转移。47.权利要求46的方法,其中第二衬底上的材料的层是电器件的所述形成图案的层。48.权利要求47的方法,其中第二衬底上的材料的层是电器件的活性层。49.权利要求47的方法,其中材料的层是表面改性层。50.任何一个前面的权利要求的方法,其中电器件是电子开关器件。51.任何一个前面的权利要求的方法,其中电器件是薄膜晶体管器件。52.前面的权利...
【专利技术属性】
技术研发人员:翰宁瑟令豪斯,保罗A蔡恩,
申请(专利权)人:造型逻辑有限公司,
类型:发明
国别省市:GB[英国]
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