【技术实现步骤摘要】
本专利技术属于半导体制造领域,涉及一种。
技术介绍
光电阵列器件与其对应的驱动/读出电路的倒装互联技术目前已经被广泛应用。一般来说,光电器件是双端器件,包含一个正电极和一个负电极,两个电极一般分别位于材料结构上的上接触层和下接触层处,两者水平位置并不一致。另一方面,读出/驱动电路是标准的CMOS电路,其所有引出pad都位于同一平面上。这就给倒装互联造成了困难。如图1所示,现有的解决方法,一般是在光电阵列上分两次沉积互联金属(如In等)。位于上接触层上的金属球较小,高度较低。而位于下接触层上的金属球较大,高度较高。从而两者位于同一个高度上,能够实现倒装互联。然而这种方法对工艺的控制和一致性要求较高,对倒装焊的控制非常严格,从而造成成品率不高,成本上升。
技术实现思路
本专利技术所要解决的技术问题是提供一种,通过在下接触电极处形成缓坡台面,将金属沉积在缓坡上,从而将下接触电极引至台面上,实现正负电极位于同一平面上,有利于后续的倒装互联。为了解决以上技术问题,本专利技术提供了一种,包括如下步骤: (I)在衬底上依次生长下接触层、有源区和上接触层;(2)通过光刻形成台面图案,陡直刻蚀出内部像素;(3)刻蚀出用于将下电极引至台面以上的缓坡;(4)淀积金属电极层;(5)淀积互联金属;(6)进行两个芯片的倒装互联,形成电学连接。优选地,步骤(2)通过光刻形成台面图案,使用等离子体刻蚀,离子束刻蚀设备陡直刻蚀出内部像素。优选地,步骤(3)通过光刻形成台面图案,使用湿法腐蚀或特殊的等离子体刻蚀工艺刻蚀出用于将下电极引至台面以上的缓坡。优选地,步骤(4)通过光刻形成电极图案,并 ...
【技术保护点】
一种光电阵列器件平面化接地方法,其特征在于,包括如下步骤:(1)在衬底上依次生长下接触层、有源区和上接触层;(2)通过光刻形成台面图案,陡直刻蚀出内部像素;(3)刻蚀出用于将下电极引至台面以上的缓坡;(4)淀积金属电极层;(5)淀积互联金属;(6)进行两个芯片的倒装互联,形成电学连接。
【技术特征摘要】
1.一种光电阵列器件平面化接地方法,其特征在于,包括如下步骤: (1)在衬底上依次生长下接触层、有源区和上接触层; (2)通过光刻形成台面图案,陡直刻蚀出内部像素; (3)刻蚀出用于将下电极引至台面以上的缓坡; (4)淀积金属电极层; (5)淀积互联金属; (6)进行两个芯片的倒装互联,形成电学连接。2.如权利要求1所述的光电阵列器件平面化接地方法,其特征在于,步骤(2)通过光刻形成台面图案,使用等离子体刻蚀,离子束刻蚀设备陡直刻蚀出内部像素。3.权利要求1述的光电阵列器件平面化接地方法,其特征在于,步骤(3)通过光刻形成台面图案,使用湿法腐蚀或特殊的等离子体刻蚀工艺刻蚀出用于将下电极引至台面以上的缓坡。4.权利要...
【专利技术属性】
技术研发人员:黄寓洋,塞万·拉方波罗塞,刘惠春,
申请(专利权)人:无锡沃浦光电传感科技有限公司,
类型:发明
国别省市:
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