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本发明公开了一种光电阵列器件平面化接地方法，包括如下步骤：(1)在衬底上依次生长下接触层、有源区和上接触层；(2)通过光刻形成台面图案，陡直刻蚀出内部像素；(3)刻蚀出用于将下电极引至台面以上的缓坡；(4)淀积金属电极层；(5)淀积互联金属...
该专利属于无锡沃浦光电传感科技有限公司所有，仅供学习研究参考，未经过无锡沃浦光电传感科技有限公司授权不得商用。

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