ＭＥＭＳ微桥结构及其制造方法技术

本发明专利技术公开了ＭＥＭＳ微桥结构及其制造方法，涉及ＭＥＭＳ微桥结构领域。本发明专利技术的ＭＥＭＳ微桥结构中，接触孔内沉积有一层厚第一金属层和一层薄第二金属层，接触孔外只有一层薄第二金属层。与现有技术相比，本发明专利技术提供的ＭＥＭＳ微桥结构及其制造方法，使用两步工艺实现电极，不仅可以满足ＭＥＭＳ单元结构对电极电阻率的要求，也可以满足降低ＭＥＭＳ接触孔电阻的要求，同时由于金属层在敏感材料层下面，在实现金属层图形化工艺时，不会损伤到敏感材料层，从而提高了工艺窗口，相应地可提高该ＭＥＭＳ的性能、成品率和可靠性。

【技术实现步骤摘要】

【技术保护点】
一种ＭＥＭＳ微桥结构，包括衬底及形成于所述衬底上的ＭＥＭＳ微桥结构，所述衬底上设有顶层导电层，其特征在于，所述ＭＥＭＳ微桥结构包括：形成于所述衬底上的牺牲层，在所述牺牲层中设置有支撑孔，所述支撑孔底部露出所述顶层导电层；在所述支撑孔内及所述牺牲层表面形成有第一释放保护层，所述第一释放保护层中设置有接触孔，所述接触孔位于所述支撑孔底部露出所述顶层导电层；在所述支撑孔内及支撑孔周边形成有第一金属层和第二金属层，在所述支撑孔外还形成有金属电极，在所述第二金属层和所述金属电极上还形成有敏感材料层和第二释放保护层。

【技术特征摘要】

【专利技术属性】
技术研发人员：康晓旭，
申请(专利权)人：上海集成电路研发中心有限公司，
类型：发明
国别省市：31