具有改进均匀度的微机电系统装置及制造所述装置的方法制造方法及图纸

本发明专利技术揭示一种微机电系统（ＭＥＭＳ）装置及制造所述装置的方法。在一个方面中，例如干涉式调制器等ＭＥＭＳ包含支撑可变形反射层的一个或一个以上细长内部柱及支撑轨条，其中所述细长内部柱完全位于干涉式腔内且与所述支撑轨条平行对齐。在另一方面中，所述干涉式调制器包含一个或一个以上细长蚀刻释放孔，所述孔形成于所述可变形反射层中且与形成于所述可变形反射层中的界定所述可变形反射层的平行条带的通道平行对齐。

【技术实现步骤摘要】
【国外来华专利技术】

【技术保护点】
一种制造微机电装置的方法，其包括：　在衬底上形成牺牲层；　在所述牺牲层中形成两个或两个以上大体上平行的第一通道以借此形成所述牺牲层的至少一个条带；　在所述形成的第一通道中形成支撑轨条；　在所述牺牲层的所述条带中形成第 一细长开口；　在所述第一细长开口中形成细长柱；　在所述牺牲层、所述支撑轨条及所述细长柱上形成可变形层；　在所述可变形层中形成一个或一个以上第二通道以借此形成所述可变形层的至少一个条带，所述可变形层的所述条带大体上垂直于所述 牺牲层的所述条带；以及　移除所述牺牲层以在所述可变形层的所述条带与所述衬底之间形成腔，所述腔在两侧上与所述支撑轨条毗接；　其中所述支撑轨条在所述腔的所述两侧上支撑所述可变形层；其中所述细长柱在所述腔内；且其中所述细长柱经对齐以使 得伸长方向大体上平行于所述支撑轨条。

【技术特征摘要】
【国外来华专利技术】...

【专利技术属性】
技术研发人员：戴维L希尔德，钟帆，菲利普唐弗洛伊德，
申请(专利权)人：高通MEMS科技公司，
类型：发明
国别省市：US[美国]