【技术实现步骤摘要】
半导体封装件
[0001]相关申请的交叉引用
[0002]本申请要求于2021年1月29日在韩国知识产权局提交的韩国专利申请No.10
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2021
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0013548的优先权,该申请的公开内容通过引用整体地并入。
[0003]本专利技术构思涉及半导体封装件,并且更具体地,涉及包括堆叠芯片的半导体封装件。
技术介绍
[0004]半导体封装件被提供来实现集成电路芯片以有资格在电子产品中使用。通常,半导体封装件被配置为使得半导体芯片安装在印刷电路板上并且使用接合线或凸块来将半导体芯片电连接到印刷电路板。随着电子工业的发展,可能要求半导体封装件具有高容量特性。根据电子产品的紧凑性趋势,要求半导体封装件变得尺寸紧凑。
技术实现思路
[0005]本专利技术构思的一些示例实施例提供一种具有高容量的紧凑半导体封装件。
[0006]根据本专利技术构思的一些示例实施例,半导体封装件可以包括:下半导体芯片;以及多个上半导体芯片,所述多个上半导体芯片垂直堆叠在所述下半导体芯片的顶表面上。所述多个上半导体芯片可以包括多个第一上半导体芯片和第二上半导体芯片。所述第一上半导体芯片可以位于所述下半导体芯片与所述第二上半导体芯片之间。每一个所述第一上半导体芯片的厚度可以是所述下半导体芯片的厚度的大约0.4倍至大约0.95倍。所述第二上半导体芯片的厚度可以与每一个所述第一上半导体芯片的厚度相同或大于每一个所述第一上半导体芯片的厚度。所述第一上半导体芯片和所述第二上半导体芯片的总数 ...
【技术保护点】
【技术特征摘要】
1.一种半导体封装件,包括:下半导体芯片;以及多个上半导体芯片,所述多个上半导体芯片垂直堆叠在所述下半导体芯片的顶表面上,其中,所述多个上半导体芯片包括多个第一上半导体芯片并且包括第二上半导体芯片,所述第一上半导体芯片位于所述下半导体芯片与所述第二上半导体芯片之间,其中,每一个所述第一上半导体芯片的厚度是所述下半导体芯片的厚度的0.4倍至0.95倍,其中,所述第二上半导体芯片的厚度与每一个所述第一上半导体芯片的厚度相同或大于每一个所述第一上半导体芯片的厚度,并且其中,所述第一上半导体芯片和所述第二上半导体芯片的总数是4n,其中n是等于或大于三的自然数。2.根据权利要求1所述的半导体封装件,其中,所述下半导体芯片的厚度在30μm至60μm的范围内,并且每一个所述第一上半导体芯片的厚度在25μm至50μm的范围内。3.根据权利要求1所述的半导体封装件,其中,所述第二上半导体芯片不包括贯通结构。4.根据权利要求3所述的半导体封装件,其中,所述下半导体芯片包括第一半导体基板、第一电路层和第一贯通结构,每一个所述第一上半导体芯片包括第二半导体基板、第二电路层和第二贯通结构,并且所述第二半导体基板的厚度与所述第二电路层的厚度的第二比值小于所述第一半导体基板的厚度与所述第一电路层的厚度的第一比值。5.根据权利要求4所述的半导体封装件,其中,所述第二电路层的厚度是所述第一电路层的厚度的80%至120%,并且所述第二半导体基板的厚度小于所述第一半导体基板的厚度。6.根据权利要求1所述的半导体封装件,其中,所述下半导体芯片是逻辑芯片,并且所述第一上半导体芯片和所述第二上半导体芯片是存储芯片。7.根据权利要求1所述的半导体封装件,所述半导体封装件还包括位于所述下半导体芯片的顶表面上的模制层,所述模制层覆盖所述第一上半导体芯片的侧壁和所述第二上半导体芯片的侧壁,其中,所述模制层暴露所述第二上半导体芯片的顶表面。8.根据权利要求1所述的半导体封装件,所述半导体封装件还包括:内插式基板;半导体器件,所述半导体器件安装在所述内插式基板的顶表面上;以及多个内插式端子,所述多个内插式端子位于所述内插式基板的底表面上,其中,所述第一上半导体芯片位于所述内插式基板的顶表面上,并且与所述半导体器件横向间隔开。
9.一种半导体封装件,包括:第一半导体芯片,所述第一半导体芯片包括第一半导体基板、第一电路层和第一贯通结构;以及多个第二半导体芯片,所述多个第二半导体芯片垂直堆叠在所述第一半导体芯片的顶表面上,其中,每一个所述第二半导体芯片包括第二半导体基板、第二电路层和第二贯通结构,其中,每一个所述第二半导体芯片的厚度是所述第一半导体芯片的厚度的0.4倍至0.95倍,并且其中,所述第二半导体基板的厚度与所述第二电路层的厚度的第二比值小于所述第一半导体基板的厚度与所述第一电路层的厚度的第一比值。10.根据权利要求9所述的半导体封装件,其中,所述第二半导体基板的厚度小于所述第一半导体基板的厚度。11.根据权利要求10所述的半导体封装件,其中,所述第二电路层的厚度是所述第一电路层的厚度的80%至120%。12.根据权利要求9所述的半导体封装件,所述半导体封装件还包括第三半导体芯片,所述第三半导体芯片包括第三半导体基板和第三电路层,其中,所述第三半导体芯片不包括贯通结构,其中,所述第二半导体芯片位于所述第一半导体芯片与所述第三半导体芯片之间,并且其中,所述第二半导体基板的厚度小于所述第三半导体基板的厚度...
【专利技术属性】
技术研发人员:南杰,张根豪,张喆容,崔东朱,
申请(专利权)人:三星电子株式会社,
类型:发明
国别省市:
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