【技术实现步骤摘要】
本专利技术大体涉及电子器件,且更具体地涉及堆叠式半导体元件。
技术介绍
在制造电子元件过程中的一个目标在于使各种元件的尺寸最小化。例如,期望诸如移动电话和个人lt字助理(PDA)的手持装 置尽可能的小。为了实现该目标,包括在这些装置中的半导体电路 应该尽可能的小。使这些电路更小的一种方法是堆叠承载这些电路 的芯片。已知有多种使堆叠中的芯片相互连接的方法。例如,形成在每 个芯片表面处的焊垫可以-故丝焊(wire-bonded)至公共基—反或堆叠 中的其他芯片。另一个实例是所谓的微凸块3D封装,其中每个芯 片都包括按照规定路线(例如,沿芯片的外边缘)到达电路板的多 个微凸块。使堆叠中的芯片相互连接的另 一个方法是使用通孔。通孔穿过 基板延伸,从而使不同芯片上的电路相互电连接。相比于其他技术, 通孔互连在互连密度方面会具有优势。虽然对于可以堆叠的芯片的 数量在理论上没有限制,但是从堆叠内部散热的能力会作为 一个实 际的问题而限制芯片的数量。
技术实现思路
使用第一工艺技术形成第一半导体芯片。在第一半导体芯片中 形成多个通孔,以及4吏该第一半导体芯片变薄,以4吏每个通孔都乂人 该芯片的上表面延伸至下表面。使用不同于第一工艺技术的第二工 艺技术形成第二半导体芯片。该第二半导体芯片在一个表面上具有 多个触点。邻近于该半导体芯片安装第一半导体芯片,以使多个通L中的 一 些电连^妄至相关耳关的多个触点中的 一 些。在附图和以下的说明书中阐述了本专利技术的 一 个或多个实施例 的细节。从说明书和附图、以及从权利要求书中,本专利技术的其他特 征、目的、和优点将变得显而易见。附图 ...
【技术保护点】
一种用于形成半导体元件的方法,所述方法包括:使用第一工艺技术形成第一半导体芯片,所述第一半导体芯片包括具有有源电路的上表面和与所述上表面相对的下表面;在所述第一半导体芯片中形成多个通孔;使所述第一半导体芯片变薄,以使 至少在所述变薄之后,每个通孔都从所述上表面延伸至所述下表面;使用第二工艺技术形成第二半导体芯片,所述第二工艺技术不同于所述第一工艺技术,所述第二半导体芯片在一个表面上具有多个触点;以及邻近于所述第二半导体芯片安装所述第一半导 体芯片,以使所述多个通孔中的一些通孔电连接至所述多个触点中相关联的一些触点。
【技术特征摘要】
US 2006-12-22 11/644,3291.一种用于形成半导体元件的方法,所述方法包括使用第一工艺技术形成第一半导体芯片,所述第一半导体芯片包括具有有源电路的上表面和与所述上表面相对的下表面;在所述第一半导体芯片中形成多个通孔;使所述第一半导体芯片变薄,以使至少在所述变薄之后,每个通孔都从所述上表面延伸至所述下表面;使用第二工艺技术形成第二半导体芯片,所述第二工艺技术不同于所述第一工艺技术,所述第二半导体芯片在一个表面上具有多个触点;以及邻近于所述第二半导体芯片安装所述第一半导体芯片,以使所述多个通孔中的一些通孔电连接至所述多个触点中相关联的一些触点。2. 根据权利要求1所述的方法,其中,使用第一工艺技术形成第 一半导体芯片包括形成具有高电压器件的半导体芯片;以及其 中,使用第二工艺技术形成第二半导体芯片包括形成具有低电 压器件的半导体芯片。3. 根据权利要求2所述的方法,其中,所述第二半导体芯片包括 非易失性存储单元的阵列,以及其中,所述第一半导体芯片包 括用于处理所述非易失性存储单元的所述阵列中的所述存J诸 单元的电3各。4. 根据权利要求3所述的方法,其中,所述非易失性存储单元包 括浮动^^册闪存单元。5. 根据权利要求3所述的方法,其中,所述非易失性存储单元包 括电荷捕获存储单元。6. 根据权利要求1所述的方法,其中,使用第一工艺技术形成第 一半导体芯片包括形成带有模拟电路的半导体芯片,以及其 中,使用第二工艺技术形成第二半导体芯片包括形成带有数字 电^各的半导体芯片。7. 根据权利要求1所述的方法,其中,使用第一工艺技术形成第 一半导体芯片包括 使用双才及工艺形成半导体芯片,以及其中,使用第二工艺技术形成第二半导体芯片包括使用CMOS工艺 形成半导体芯片。8. 根据权利要求1所述的方法,其中,使用第二工艺技术形成第 二半导体芯片包括形成存储单元的阵列,以及其中,使用第一工艺技术形成第 一半导体芯片包括形成经由所述多个通孔连 接至所述存储单元的阵列的外围电^各,所述外围电^各可才喿作地 从所述阵列的寻址区存取信息。9. 根据权利要求8所述的方法,其中,所述存储单元的阵列包括 动态随才几存耳又存储单元的阵列。10. 根据权利要求9所述的方法,其中,所述第二半导体芯片包括 多个晶体管,所述多个晶体管中的每一个都包括NMOS晶体管。11. 根据权利要求1所述的方法,其中,第二半导体芯片的所述多 个触点包4舌通孑L。12. 根据权利要求11所述的方法,进一步包括使所述第二半导体芯片变薄,以使每个通孔都从所述表 面延伸至相只十面。13. —种存储装置,包括第一半导体芯片,包括非易失性存储单元的阵列,通过 向所述阵列施加第一电压来读耳又所述阵列,以及通过向所述阵 列施加第二电压来对所述阵列进^写入,所述第二电压高于所 述第一电压;以及第二半导体芯片,具有用于接收所述第一电压的外部输 入节点,所述第二半导体芯片具有可操作地由所述第 一电压产 生所述第二...
【专利技术属性】
技术研发人员:阿卡尔古德西塔尔安,
申请(专利权)人:奇梦达北美公司,
类型:发明
国别省市:US[美国]
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