【技术实现步骤摘要】
【国外来华专利技术】
本专利技术涉及读取非易失磁性存储器,例如磁性随机存取存储器(MRAM),并具体涉及一种用于提供更可靠的磁性元件的方法和系统,所述磁性元件更少受到由于处理所导致变化的影响。
技术介绍
动态随机存取存储器(DRAM)、闪存(FLASH)和静态随机存取存储器(SRAM)是市场上三种主要的传统半导体存储器。DRAM的制造成本最低。但是,除了例如需要刷新、相对低的速度和高功耗的缺点以外,DRAM还是易失性的。因此,当电源关闭时DRAM失去数据。FLASH存储器是非易失性的,但是非常慢。用于FLASH存储器的写入周期持续时间(endurance)少于一百万个周期。该写入周期持续时间限制了FLASH存储器在一些高数据率市场中的应用。SRAM是快速存储器。但是,SRAM是易失性的,并且每单元占用太多的硅区域。在寻找提供高速、非易失、小单元区域和令人满意的持续时间的通用随机存取存储器的过程中,许多公司正在开发薄膜磁性随机存取存储器(MRAM)。传统的MRAM能够利用存储器单元进行制造,所述存储器单元使用多个磁性元件,例如各向异性的磁阻(AMR)元件、巨磁阻(GMR)元件以及磁性隧道结(MTJ)叠层。例如,传统MTJ叠层的制造和使用都相对简单。因此,利用传统的磁性单元中的MTJ叠层的MRAM被用作这里的主要例子。用于改变可变磁矢量方向的磁场通常由基本相互垂直的两条导线提供。当电流同时经过两条导线时,与两条导线中的电流有关的两个磁场作用在可变磁矢量上,以确定其方向。图1示出传统的MRAM 1的一部分。传统的MRAM包括传统的垂直导线10和12,传统的磁性存储单元具有传统的M ...
【技术保护点】
一种磁性存储器,其包含: 多个磁性存储器单元,所述多个磁性存储器单元中的每一个都包括第一磁性元件; 至少一个用于对所述多个可编程磁性存储器单元的一部分进行编程的可编程电流源,至少一个可编程电流源的每一个都包括控制器和耦合至所述控制器的电流源,所述控制器包括至少一个第二磁性元件,所述至少一个第二磁性元件基本与所述第一磁性元件相同,所述控制器用于基于所述至少第二磁性元件来确定由所述电流源提供的电流。
【技术特征摘要】
【国外来华专利技术】US 2003-8-11 60/494,003;US 2004-2-17 10/781,4821.一种磁性存储器,其包含多个磁性存储器单元,所述多个磁性存储器单元中的每一个都包括第一磁性元件;至少一个用于对所述多个可编程磁性存储器单元的一部分进行编程的可编程电流源,至少一个可编程电流源的每一个都包括控制器和耦合至所述控制器的电流源,所述控制器包括至少一个第二磁性元件,所述至少一个第二磁性元件基本与所述第一磁性元件相同,所述控制器用于基于所述至少第二磁性元件来确定由所述电流源提供的电流。2.根据权利要求1所述的磁性存储器,其中,所述电流源进一步包括镜像电流源。3.根据权利要求2所述的磁性存储器,其中,所述控制器进一步包括偏置电路。4.根据权利要求1所述的磁性存储器,其中,所述控制器进一步包括多个含有所述至少第二磁性元件的锁存器电路,所述多个锁存器电路用于选择性地驱动所述电流源。5.根据权利要求1所述的磁性存储器,其中,所述控制器进一步包括温度传感器,以允许所述电流源提供温度敏感电流。6.一种磁性存储器,其包含多个磁性存储器单元,所述多个磁性存储器单元中的每一个包括第一磁性元件;第一自适应电流源,其包括用于对所述多个磁性存储器单元的一部分进行编程的第一可编程电流源,所述第一可编程电流源包括第一控制器和耦合至所述第一控制器的第一电流源,所述第一控制器用于确定由所述第一电流源提供的第一电流,所述第一控制器包括至少第二磁性元件,所述至少第二磁性元件基本与所述第一磁性元件相同,所述第一控制器基于所述至少第二磁性元件对由所述第一电流源提供的所述第一电流进行控制;以及第二自适应电流源,其包括用于对所述多个磁性存储器单元的一部分进行编程的第二可编程电流源,所述第二可编程电流源包括第二控制器和耦合至所述第二控制器的第二电流源,所述第二控制器用于确定由所述第二电流源提供的第二电流,所述第二控制器包括至少第三磁性元件,所述至少第三磁性元件基本与所述第一磁性元件相同,所述第二控制器基于所述至少第三磁性元件对由所述第二电流源提供的所述第二电流进行控制。7.根据权利要求6所述的磁性存储器,其中,所述第一电流源进一步包括镜像电流源。8.根据权利要求7所述的磁性存储器,其中,所述第一控制器进一步包括偏置电路。9.根据权利要求6所述的磁性存储器,其中,所述电流源进一步包括镜像电流源。10.根据权利要求8所述的磁性存储器,其中,所述第二控制器进一步包括偏置电路。11.根据权利要求6所述的磁性存储器,其中,所述第一控制器进一步包括含有所述至少第二磁性元件的多个锁存器电路,所述多个锁存器电路用于选择性地驱动所述第一电流源。12.根据权利要求6所述的磁性存储器,其中,所述第二控制器进一步包括含有所述至少第三磁性元件的多个锁存器电路,所述多个锁存器电路用于选择性地驱动所述第二电流源。13.根据权利要求6所述的磁性存储器,其中,所述控制器进一步包括温度传感器,以允许所述电流源提供温度敏感的电流。14.一种用于提供磁性存储器的方法,其包含(a)提供多个磁性存储器单元,所述多个磁性...
【专利技术属性】
技术研发人员:D曾,X史,PK王,HKK杨,D胡,
申请(专利权)人:磁旋科技公司,
类型:发明
国别省市:US[美国]
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